Продукція > si4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4200-BMSI
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200-BMRSILICON03+
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL FOR SI4200
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Si4200
Frequency: 850MHz, 900MHz, 1.8GHz
Type: GPRS/GSM
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200-GMSilicon LabsDescription: IC TXRX TRI-BAND 32MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200-GMSILICONQFN??
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200-GMRSILICON04+
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI42000BW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200BMSILQFN
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200DB-BMSilicon09+
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200DB-BMRSI
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200DB-BRMSAGEM04+
на замовлення 3298 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200DB-GMRSILICON06+
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200DY-T1-E3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25 Volts 8 Amps 2.8 Watts
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4200DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4201-BMSilicon09+
на замовлення 440018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4201-BMSilicon LabsDescription: IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4201-BMRVISHAY03+
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4201-GMSilicon LabsDescription: IC UNVRSL BASEBAND INTRFC 20QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4201-GMR2004PB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
si4201bm
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4202DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3VishayMOSFET DUAL N-CH 20V (D-S), SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
на замовлення 6639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4202DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.99 грн
10+85.26 грн
100+57.52 грн
500+42.80 грн
1000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4204
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4204DY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4204DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 14393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.91 грн
10+117.06 грн
50+89.24 грн
100+75.33 грн
500+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4204DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.16 грн
10+135.89 грн
25+132.84 грн
100+102.47 грн
250+93.97 грн
500+76.80 грн
1000+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4204DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.08 грн
7500+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4204DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4204DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 3800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 19.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 19.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4204DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 12545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4204DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 19.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4205SILICON2007;
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4205-BMSILICONQFN
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4205-BMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX CELLULAR 32LFLGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4205-BMRSILICON04+
на замовлення 32432 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4205-EVB+F19Silicon LabsDescription: BOARD EVAL FOR SI4205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4205BMSILICON0539
на замовлення 332 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4206SILICONQFN?
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4206-BMSILICONEQFN??
на замовлення 588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4206-BMSilicon LabsDescription: IC TXRX TRI-BAND W/DCXO 32LGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4206-BM LGA-32SILICON0541
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4206-BMLGA-32
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4206-BMRSILICON09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4206-BWRSILICON09+
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4206-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL FOR SI4206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4206BMSILICON
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4206BMR
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4208SILICONEQFN??
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4208-A-GMR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4208C-GM
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4208GM
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4209QFN??
на замовлення 3257 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4209-A-GMRSILICON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4209C-GM
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210SILICON2007;
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210-A-IF-EVBSilicon LabsDescription: BOARD INTERFACE FOR SI4210
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210-B072-GMR0442+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210-C-GMRSIQFN
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4210-D-GMSilicon LabsDescription: IC TXRX QUAD-BAND 32QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4210-D-GMVIS06+ QFN
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210-D-GMRSILICON06NOPB
на замовлення 11262 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210-E-KT-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EMULATION FOR SI4210
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210-E-RF-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4210
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4210
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210-G-KT-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EMULATION FOR SI4210
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210-G-RF-EVBSilicon LabsDescription: BOARD RADIO FOR SI4210,SI4300
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210-GMSilicon09+
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210-T-IF-EVBSilicon LabsDescription: BOARD RADIO INTRFC FOR SI4210
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210-X-BO-EVBSilicon LabsDescription: BOARD BREAKOUT FOR SI4210
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210?C-GMRSILICONQFN??
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4210DY-T1-E3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 6.5A 2.7W 35.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210GMSILICON
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4212-B-GMSilicon LabsDescription: IC TXRX MULTI-BAND 36QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4212-RKDA-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EMULATION FOR SI4212
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4212-RRDA-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4212
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4212-TKDX-EVBSilicon LabsDescription: KIT EVAL TXRX FOR SI4212
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4212-TRDX-EVBSilicon LabsDescription: KIT EVAL DAUGHT CARD FOR SI4212
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4213-AOSilicon09+
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4213AOSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 15031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.06 грн
10+60.04 грн
100+39.72 грн
500+29.09 грн
1000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4214DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.50 грн
5000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4214DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4214DDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4214DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4214DDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.