Продукція > MMB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBTA56-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-7-01-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 861000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-7-01-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 861000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 295896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 80V 300mW | на замовлення 34140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 294000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 310mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Quantity in set/package: 3000pcs. | на замовлення 1521 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-AQ | Diotec Semiconductor | SMD General Purpose PNP Transistor Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA56-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: TO-236 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 300mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-AQ | Diotec Semiconductor | SMD General Purpose PNP Transistor Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-AQ | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 350 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBTA56-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-AQ | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, -60V, -500mA, PNP, AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-AU-R1-000A1 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT SOT-23/TRA/SOT/GPT-03TP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-AU-R2-000A1 | Panjit | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; SOT23; automotive industry Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-AU_R1_000A1 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-AU_R1_000A1 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE-80V IC-500mA SOT-23 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-AU_R1_000A1 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-AU_R2_000A1 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-GS08 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA56-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-HF | Comchip Technology | Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 80V 225mW SOT-23 | на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-HF | Comchip Technology | General Purpose Transistor | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-LT1-2GM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA56-R1-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT SOT-23/TRA/SOT/GPT-03TP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-RTK | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA56-RTK/P | KEC | 09+ | на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 36564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MMBTA56-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - MMBTA56-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-TP-HF | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-TP-HF | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23 Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56-TP-HF | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56/2G | N/A | SOT-23 03+ | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56CT | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANSISTOR PNP 80V SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56GSOT-23T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA56HE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56HE3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56HE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56HE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1 | MOTOROLA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1(2G) | на замовлення 59500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1/2GM | на замовлення 4700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 50614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 25815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | On Semiconductor | PNP, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 50МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 189520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz | на замовлення 32706 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP | на замовлення 60411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 25815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 43610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 50614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ON-Semiconductor | PNP 500mA 80V 225mW 50MHz MMBTA56 TMMBTA56lt1 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 190842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G Код товару: 177590
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 561000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G /3G | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G-HFE | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G-HFE | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G-HFE | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 80V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 80V 0.5A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 5806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 34724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4710000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP | на замовлення 681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 34724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4710000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz | на замовлення 7530 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q | Yangjie Electronic Technology | MMBTA56Q | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-13-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-13-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-13-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

