Продукція > mmb
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBTA56LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ON-Semiconductor | PNP 500mA 80V 225mW 50MHz MMBTA56 TMMBTA56lt1 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G Код товару: 177590
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 48479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | On Semiconductor | PNP, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 50МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz | на замовлення 32184 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G /3G | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G-HFE | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G-HFE | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1G-HFE | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 80V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 80V 0.5A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 9866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP | на замовлення 40000 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 34724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz | на замовлення 7532 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 34724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q | Yangjie Electronic Technology | MMBTA56Q | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-13-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-13-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-13-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBTA56Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 310mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry Quantity in set/package: 3000pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 350 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 780000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBTA56Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 350 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56Q-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 780000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56WT1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA56WT1 | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56WT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 11800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56WT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 405780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56WT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56WT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56WT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz | на замовлення 545 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 405780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56WT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 303 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56WT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56_D87Z | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GEN PUR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE-80V IC-500mA SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 5065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA56_R1_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE-80V IC-500mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE-80V IC-500mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA56_R2_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNANDPNPHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE-80V IC-500mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63 | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA63 | MOT | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBTA63 | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 30V 1.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1099765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA63 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTA63 - MMBTA63, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 1117725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA63 | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63 | onsemi | Darlington Transistors PNP Transistor Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63 | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 30V 1.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA63 | ONSEMI | Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 1.2A; 0.35W Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Frequency: 125MHz Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63 | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 30V 1.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA63-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA63-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBTA63-7-F - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 300 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63-7-F | Diodes Zetex | Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA63-7-F | Diodes Incorporated | Darlington Transistors -30V 300mW | на замовлення 21058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63-7-F | DIV | SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA63-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 300mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz Current gain: 5000...10000 Manufacturer standard package: 3000pcs. | на замовлення 536 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBTA63-7-F | Diodes Zetex | Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBTA63-7-F - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 300 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63-7-F | на замовлення 830 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBTA63-7-F-W | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63-7-F-W | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63-7-F-W | Diodes Incorporated | General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63-HF | Comchip Technology | Darlington Transistors TRANS PNP 0.5A 30V SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Darlington Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTA63-TP | Micro Commercial Components | Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

