Продукція > 2N3
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N3439T | MOTOROLA | на замовлення 26900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N3439U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3439U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A U4 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: U4 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3439U4 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 3-Pin Case U4 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3439U4/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3439U4/TR | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: U4 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3439U4/TR | Microchip Technology | Epitaxial Planar NPN Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3439UA | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle | на замовлення 6529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3439UA | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3439UA | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle | на замовлення 6529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3439UA | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3439UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3439UA | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3439UA | MICROSEMI | NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR 2N3439 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3439UA/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3439UA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3439UA/TR | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 4-Pin UA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N343A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N343B | MOT | CAN | на замовлення 675 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N344 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N3440 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N3440 - Hochspannungs-Bipolartransistor (BJT), einfach, planar, NPN, 250V, 1.2W, 800mA, TO-39 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440 | HARRIS | 2N3440 | на замовлення 6103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3440 | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440 | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 1A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440 | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT NPN 250V 1A 5000mW 3-Pin TO-39 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 54 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440 | MICROSEMI | TO-39/1000 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N3440 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440 | HARRIS | 2N3440 | на замовлення 757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3440 | Centralsemi | TRANS NPN 250V TO-39 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440 Код товару: 112785
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-39 Гранична частота fT: 15 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 250 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 300 В Струм колектора Ic, А: 1 А Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| 2N3440 | Harris Corporation | Description: TRANS NPN 250V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 14983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3440 | HARRIS | 2N3440 | на замовлення 8066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3440 | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT NPN 250V 1A 5000mW 3-Pin TO-39 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3440 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 1A; 1/5W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 1A Power dissipation: 1/5W Case: TO39 Current gain: 40...160 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 15MHz | на замовлення 794 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3440 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 250V 1A TO-39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3440 | HARRIS | 2N3440 | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3440 | CDIL | NPN 1A 250V 1W 15MHz 2N3440 T2N3440 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 170 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3440 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT THT | на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3440 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 1A; 1W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 1A Power dissipation: 1W Case: TO39 Current gain: 30...160 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 15MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 250V TO-39 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 Frequency - Transition: 15MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | на замовлення 28814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3440 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3440 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage | на замовлення 4554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 300Vcbo 250Vceo 7.0Vebo 10pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 250V 1A 1W TH TRANSISTOR-SMALL S Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-39 Frequency - Transition: 15MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440-JQR-B | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT NPN 250V 1A 5000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440-JQR-B | Welwyn Components / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440-O-B | Welwyn Components / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440-O-B | Semelab (TT electronics) | 2N3440-O-B | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440A | MOTOROLA | на замовлення 11900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N3440DIE2HR | STMicroelectronics | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440E3 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440E3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Lead-Free Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440E3 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440L | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440L | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A TO-5 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440L | MOTOROLA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N3440S | MOTOROLA | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N3440T1 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440U4 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 3-Pin Case U4 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A U4 Power - Max: 5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tray Part Status: Active Supplier Device Package: U4 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440UA | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 250V 1A 800mW 4-Pin UA Waffle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3440UA | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT SMT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3441 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 140V 3A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3441 | MOTOROLA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N3441 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 140V 3A 3W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3441 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 140V 3A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3441 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 140V 3A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 4V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 3 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3441 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 140V 3A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3441A | MOTOROLA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N3441X | MOTOROLA | на замовлення 560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N3441Y | MOTOROLA | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N3442 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 140V 10A 6W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3442 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 140V 10A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 6 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3442 Код товару: 46391
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-204 Гранична частота fT: 80 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 140 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 160 В Струм колектора Ic, А: 10 А Коефіцієнт передачі струму h21: 12 / 72 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N3442 | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 10A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 200mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 117 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3442 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 140V 10A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3442 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N3442 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 7.5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 117W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-3 Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80kHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 3329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3442 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 10A; 117W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 10A Power dissipation: 117W Case: TO3 Pulsed collector current: 15A Current gain: 7.5...70 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 80kHz | на замовлення 843 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3442 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Power SW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3442 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 140V 10A TO-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 200mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 80kHz Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 117 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 220 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3442 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 160Vcbo 160Vcev 140Vceo 7.0V 10A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3442.. | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N3442.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-3, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 7.5 MSL: - Verlustleistung Pd: 117 Übergangsfrequenz ft: 80 Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3442G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 10A 117000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3442G | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 10A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 200mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 80kHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 117 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3442G | On Semiconductor | возможная замена КТ 945, TO204 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3442G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 10A; 117W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 10A Power dissipation: 117W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 800kHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3442G Код товару: 152390
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N3442G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N3442G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 117 W, TO-204AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 7.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 117 Übergangsfrequenz ft: 80 Bauform - Transistor: TO-204AA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3442G | PMC-Sierra | NPN 140V 10A 200mA 117W 2N3442G 2N3442 ON Semiconductors T2N3442 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 103 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N3442G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 10A 140V 117W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N3443 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N3444 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

