Продукція > 2N4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N4392CSM-N1 | TT Electronics | TT Electronics JFET N-CHANNEL LCC1 NS1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4392CSM-N1-X | TT Electronics | TT Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4392CSM-N2 | TT Electronics | TT Electronics JFET N-CHANNEL LCC1 NS2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4392CSM-N2-X | TT Electronics | TT Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4392S | MOTOROLA | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4392UB | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4392UB | Microchip Technology | JFET Power Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4392UB | Microchip Technology | Description: JFET N-CH Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4392UB/TR | Microchip Technology | Description: JFET Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4392UB/TR | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4392Z | SILICONI | на замовлення 28900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4393 | Microchip Technology | N Channel Jfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393 | Microchip Technology | Description: JFET N-CH 40V TO18 Packaging: Bulk Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: TO-18 Power - Max: 1.8 W Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4393 | MOT | CAN | на замовлення 3756 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393 | InterFET | JFETs JFET N-Channel -40V Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393 Код товару: 25174
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Напруга сток-витік Uds, В: 40 В Струм стоку Idd, А: 5 А | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4393 | Vishay Semiconductors | JFETs RECOMMENDED ALT 106- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393 | Central Semiconductor | Trans JFET N-CH Si 3-Pin TO-18 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 40V TO206AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Power - Max: 1.8 W Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393 | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393 PBFREE | Central Semiconductor | JFETs 40V N-Ch JFET 40Vgs 50mA 1.8W TO-18 | на замовлення 1432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393 PBFREE | Central Semiconductor | Trans JFET N-CH Si 3-Pin TO-18 Box | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: JFET N-CH 40V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: TO-18 Power - Max: 1.8 W Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V | на замовлення 6601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4393 PBFREE | Centralsemi | JFET 40V N-Ch JFET 40Vgs 50mA 1.8W TO-18 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393 TIN/LEAD | Central Semiconductor | JFETs N-Ch 40Vgd 40Vgs 50mA 1.8W JFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Trans JFET N-CH Si 3-Pin TO-18 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: .5V 3V 50MA 1.8W TH JFET N CHANN Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA Resistance - RDS(On): 100 Ohms Power - Max: 1.8 W Supplier Device Package: TO-18 Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393 TO-18 3L | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: LOW NOISE, N-CHANNEL JFET SWITCH | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4393 TO-18 3L ROHS | Linear Integrated Systems, Inc. | Description: JFET N-CH 40V TO18-3 Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA Resistance - RDS(On): 100 Ohms Power - Max: 1.8 W Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18-3 Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4393-2 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 40V TO206AA Resistance - RDS(On): 100 Ohms Power - Max: 1.8 W Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393-E3 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 40V TO206AA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 20 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 1 nA Resistance - RDS(On): 100 Ohms Power - Max: 1.8 W Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393-E3 | Vishay Siliconix | JFET N-ch. TO-18=TO-206AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393-N2 | TT Electronics | JFET N-CHANNEL TO18 NS2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393-N2-X | TT Electronics | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393CSM-N1 | TT Electronics | JFETs JFET N-CHANNEL LCC1 NS1 SMT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393CSM-N1-X | TT Electronics | JFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393CSM-N2 | TT Electronics | JFET N-CHANNEL LCC1 NS2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393CSM-N2-X | TT Electronics | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393UB | Microchip Technology | JFET Power Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393UB | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393UB | Microchip Technology | Description: JFET N-CH Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393UB/TR | Microchip Technology | JFETs JFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4393UB/TR | Microchip Technology | Description: JFET Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4397 | MOT | CAN | на замовлення 387 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4398 Код товару: 133696
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4398 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4398 | Microchip Technology | Description: PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4398 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4398 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 40V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4398 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Power SW | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4398 PBFREE | Central Semiconductor | 2N4398 PBFREE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4398 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 40V 30A TO3 Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: TO-3 Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 5mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Tube Power - Max: 5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4398 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 30A 200W 40Vcbo 40Vceo 40Vceo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 140 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4399 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 30A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4399 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 30A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 1A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 5 W | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4399 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 30A 5W PNP Power BJT THT | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4399 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4399 | NTE ELECTRONICS | Description: NTE ELECTRONICS - 2N4399 - SILICON PNP TRANSISTOR, 60V, 30A, TO-3 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30 Verlustleistung: 5 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 2 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4399 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4399 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Power SW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4399 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 60V 30A TO-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4399 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 30A 200W 60Vcbo 60Vcbo 60Vceo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N439A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N43A | MOTOROLA | на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N44 | MOTOROLA | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N440 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4400 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO92 Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bag Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400 | NTE ELECTRONICS | Description: NTE ELECTRONICS - 2N4400 - TRANSISTOR, NPN, 40V Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600 Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400 | NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4400 | FAIRCHILD | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4400 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 600mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Packaging: Tape & Box (TB) Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 600mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW | на замовлення 3239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 600mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Packaging: Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 600mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 600mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 600mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400(транзистор) Код товару: 60376
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4400-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400A | MOTOROLA | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N4400BU | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400BU | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400TA | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 7152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4400TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400TA_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400TF | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N4400TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13889 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400TF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4400TF | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4400TFR | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 28027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4400TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 16461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N4400TFR | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N4400TFR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400TFR_Q | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N4400_D81Z | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |

