Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7105-40AIE,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 40V 155A 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7105-40ATE /T3 | NXP Semiconductors | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7105-40ATE,118 | Nexperia | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7105-40ATE,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A SOT426 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 272W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK710540AIE | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK710540ATE | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK7107-40ATC,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A SOT426 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 272W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7107-55AIE,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 140A Automotive 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7107-55AIE,118 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA BUK7107 - N-CHANNEL TRE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 272W (Tc) FET Feature: Current Sensing Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Bulk Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7107-55ATE,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 272W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK710740ATC | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK710755AIE | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK710755ATE | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK7108-40AIE,118 | NXP USA Inc. | Description: PFET, 75A I(D), 40V, 0.008OHM, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V FET Feature: Current Sensing Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-426 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3140 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7108-40AIE,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 40V 117A 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7108-40AIE,118 | Nexperia | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK710840AIE | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK7109-75AIE,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 75A SOT426 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V FET Feature: Current Sensing Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7109-75AIE,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 75A SOT426 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V FET Feature: Current Sensing Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7109-75AIE,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7109-75ATE,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 75A SOT426 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 272W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7109-75ATE,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 75A SOT426 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 272W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK710975AIE | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK710975AIE Код товару: 163091
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BUK710975ATE | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK714R1-40BT /T3 | NXP Semiconductors | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK714R1-40BT,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A SOT426 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 272W (Tc) FET Feature: Temperature Sensing Diode Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6808 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK714R1-40BT,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK714R1-40BT,118 | Nexperia | MOSFET TRENCHPLUS MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK714R140BT | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK7207-30B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7207-30B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK720730B | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK7208-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 105A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7208-40B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A DPAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2493 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7208-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 105A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7208-40B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7208-40B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 6600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 185°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | на замовлення 4508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7208-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 105A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 9893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7208-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 105A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7208-40B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2493 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7208-40B,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 75A; Idm: 420A; 167W; DPAK Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC On-state resistance: 15.6mΩ Drain current: 75A Power dissipation: 167W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 420A Application: automotive industry Drain-source voltage: 40V Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7208-40B,118 Код товару: 169603
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BUK7208-40B,118 | Nexperia | MOSFET BUK7208-40B/SOT428/DPAK | на замовлення 9893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7208-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 105A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7208-40B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7208-40B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 6600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 185°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | на замовлення 4508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7208-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 105A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK720840B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK7210-55B,118 | Nexperia | MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 83A 3-Pin(2+Tab) | на замовлення 3313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7210-55B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7210-55B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7210-55B/C1,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK721140A | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK721155B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK7212-55B | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7212-55B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7212-55B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7212-55B,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 59A; Idm: 335A; 167W; DPAK Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC On-state resistance: 25mΩ Drain current: 59A Power dissipation: 167W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 335A Application: automotive industry Drain-source voltage: 55V Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7212-55B,118 | Nexperia | MOSFET BUK7212-55B/SOT428/DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7212-55B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 185°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2453 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7212-55B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 185°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 9166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7212-55B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7212-55B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7212-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 185°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 9166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK721255B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK7213-40A,118 | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 40V 55A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK721340A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK721375B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK7214-75B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7214-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 69 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7214-75B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 69A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7214-75B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 69A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7214-75B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 70A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2612 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7214-75B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 69A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7214-75B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 69A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7214-75B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7214-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 69 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7214-75B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 69A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7214-75B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 70A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2612 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7214-75B,118 | Nexperia | MOSFET BUK7214-75B/SOT428/DPAK | на замовлення 9080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7214-75B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 69A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK721475B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK7215-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 55A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2107 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7215-55A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK72150-55A | PHILIPS | TO252 | на замовлення 2375 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK72150-55A,118 | Nexperia | MOSFET BUK72150-55A/SOT428/DPAK | на замовлення 10035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK72150-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 11A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 322 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 7373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK72150-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 11A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 322 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7215055A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK721555A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK7219-55A | на замовлення 5080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BUK7219-55A | Nexperia | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7219-55A | NXP | MOSFET N-CH 55V 55A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7219-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 55A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7219-55A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7219-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 55 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 114 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7219-55A,118 | Nexperia | MOSFET BUK7219-55A/SOT428/DPAK | на замовлення 9995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7219-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7219-55A,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 39A; Idm: 250A; 114W; DPAK Polarisation: unipolar On-state resistance: 38mΩ Drain current: 39A Power dissipation: 114W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 250A Application: automotive industry Drain-source voltage: 55V Case: DPAK Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7219-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7219-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 55A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7219-55A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7219-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7219-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 55A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK7219-55A/C1,118 | Nexperia USA Inc. | Description: BUK7219-55A - N-CHANNEL TRENCHMO | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 995 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK721955A | NXP | SMD | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

