Продукція > IMB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMBG65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+655.59 грн
10+413.62 грн
100+285.11 грн
1000+269.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.57 грн
10+396.52 грн
100+343.09 грн
500+293.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+552.50 грн
5+474.38 грн
10+396.26 грн
50+365.71 грн
100+258.88 грн
250+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.69 грн
10+327.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.40 грн
10+359.63 грн
100+242.31 грн
1000+218.15 грн
2000+215.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+466.01 грн
12000+427.89 грн
18000+400.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R050M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+396.26 грн
50+365.71 грн
100+258.88 грн
250+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+944.73 грн
5+883.52 грн
10+821.51 грн
50+703.75 грн
100+594.38 грн
250+582.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.32 грн
10+307.24 грн
100+231.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+381.69 грн
10+375.64 грн
25+369.59 грн
100+350.47 грн
250+319.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+421.47 грн
50+409.18 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+821.51 грн
50+703.75 грн
100+594.38 грн
250+582.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+375.64 грн
39+369.59 грн
100+350.47 грн
250+319.11 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HInfineon TechnologiesDescription: IMBG65R060M2H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HInfineon TechnologiesDescription: IMBG65R060M2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.16 грн
10+365.41 грн
25+338.04 грн
100+289.00 грн
250+275.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+441.32 грн
39+372.42 грн
42+345.30 грн
100+311.01 грн
250+284.51 грн
500+269.73 грн
1000+266.33 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.32 грн
10+372.42 грн
25+345.30 грн
100+311.01 грн
250+284.51 грн
500+269.73 грн
1000+266.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+490.49 грн
10+412.36 грн
100+333.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.38 грн
10+342.96 грн
100+240.93 грн
500+215.39 грн
1000+182.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R060M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+412.36 грн
100+333.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+905.27 грн
50+768.81 грн
100+643.40 грн
250+630.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+537.20 грн
10+349.31 грн
100+235.41 грн
500+228.50 грн
1000+216.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.14 грн
10+330.94 грн
25+325.65 грн
100+308.91 грн
250+281.31 грн
500+265.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1048.63 грн
5+976.95 грн
10+905.27 грн
50+768.81 грн
100+643.40 грн
250+630.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+330.94 грн
44+325.65 грн
100+308.91 грн
250+281.31 грн
500+265.60 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.63 грн
10+359.20 грн
100+262.46 грн
500+232.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+396.90 грн
100+376.82 грн
500+356.74 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+302.31 грн
48+297.49 грн
100+282.21 грн
250+257.01 грн
500+242.60 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+728.08 грн
50+618.49 грн
100+517.07 грн
250+506.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.12 грн
10+302.31 грн
25+297.49 грн
100+282.21 грн
250+257.01 грн
500+242.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+860.16 грн
5+794.12 грн
10+728.08 грн
50+618.49 грн
100+517.07 грн
250+506.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.97 грн
10+334.23 грн
100+235.41 грн
500+209.17 грн
1000+178.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+362.64 грн
103+344.92 грн
500+326.02 грн
1000+297.30 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HInfineon TechnologiesIMBG65R107M1H
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+844.15 грн
25+805.18 грн
50+772.77 грн
100+718.90 грн
250+645.00 грн
500+602.24 грн
1000+587.62 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.99 грн
10+304.06 грн
100+198.82 грн
500+186.39 грн
1000+176.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.53 грн
10+302.89 грн
100+220.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+558.87 грн
38+379.23 грн
100+306.09 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+303.58 грн
500+287.04 грн
1000+271.69 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+505.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+558.87 грн
10+379.23 грн
100+306.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R107M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 24A; 110W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+269.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+202.23 грн
73+195.62 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.08 грн
10+254.20 грн
100+182.23 грн
500+142.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+213.76 грн
72+197.88 грн
73+195.52 грн
100+186.35 грн
250+170.44 грн
500+161.60 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+500.15 грн
50+424.79 грн
100+354.84 грн
250+347.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.76 грн
10+197.88 грн
25+195.52 грн
100+186.35 грн
250+170.44 грн
500+161.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.47 грн
10+197.68 грн
100+138.07 грн
500+133.93 грн
1000+120.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R163M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+605.66 грн
5+553.31 грн
10+500.15 грн
50+424.79 грн
100+354.84 грн
250+347.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HInfineon TechnologiesIMBG65R260M1H
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+568.48 грн
27+544.06 грн
50+523.33 грн
100+487.52 грн
250+437.72 грн
500+408.77 грн
1000+398.78 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.51 грн
25+68.39 грн
100+64.86 грн
250+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 346mOhm @ 3.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 201 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.81 грн
10+440.55 грн
100+360.82 грн
500+285.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.46 грн
500+176.01 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+69.51 грн
208+68.39 грн
211+67.27 грн
250+63.78 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 6A; 65W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 65W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+164.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.46 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 346mOhm @ 3.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 201 pF @ 400 V
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.86 грн
10+253.30 грн
100+180.00 грн
500+139.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+440.55 грн
100+360.82 грн
500+285.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.21 грн
10+215.14 грн
100+132.55 грн
500+113.91 грн
1000+107.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2412.17 грн
10+1940.27 грн
100+1490.45 грн
500+1392.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1624.49 грн
10+1282.14 грн
100+964.41 грн
500+922.30 грн
1000+783.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R016M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750V, G2, 16 m
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1322.46 грн
10+992.37 грн
100+719.34 грн
500+648.23 грн
1000+550.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1111.45 грн
10+835.17 грн
100+604.74 грн
500+546.06 грн
1000+463.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+937.48 грн
10+688.30 грн
100+498.43 грн
500+449.41 грн
1000+381.07 грн
2000+379.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R033M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+794.12 грн
10+566.05 грн
100+410.06 грн
500+369.33 грн
1000+313.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+679.76 грн
10+457.28 грн
100+328.60 грн
500+299.61 грн
1000+254.74 грн
2000+248.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+640.29 грн
10+431.08 грн
100+309.27 грн
500+275.45 грн
1000+257.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG75R060M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 750 V G2
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+565.39 грн
10+373.13 грн
100+260.95 грн
500+231.26 грн
1000+191.22 грн
2000+186.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBH10D-060
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBH25-120MODULE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBH50D-060N/A09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBH50D-060A
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBH60-100MODULE
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBH60-120MODULE
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBH75D-060S
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI200F-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI200L-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI200S-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI300F-060module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBI300F-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]