Продукція > IPP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP100N04S4-H2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T2
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N04S403DXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N04S4H2AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S205AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S205AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+100.72 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S205AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+76.87 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S205AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S2L-05Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 100A TO220-3 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S2L-05INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S2L05AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S2L05AKSA2Infineon
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S2L05AKSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+256.50 грн
10+214.69 грн
50+199.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S2L05AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.77 грн
10+229.83 грн
100+163.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S2L05AKSA2INFINEONDescription: INFINEON - IPP100N06S2L05AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S2L05AKSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S2L05AKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S3-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S3-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S3L-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S3L-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S3L-04INInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08N3GInfineon technologies
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP100N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08S2-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08S207AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08S207AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+176.83 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08S2L-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08S2L07AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08S2L07AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08S2L07AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08S2L07AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08S2L07AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP100N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08S2L07AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N10S3-05Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N10S3-05
Код товару: 176365
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N10S305AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.91 грн
10+348.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N10S305AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N10S305AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N10S305AKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N12S305AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_100+
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+186.86 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N12S305AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N12S305AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP100N12S305AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0043 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N12S305AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N12S305AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_100+
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N12S305AKSA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(120V 300V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N12S305AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N18N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 13A TO-220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N18N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+246.11 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100P03P3L-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 475µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP10N03LINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP10N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3 GInfineon
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+884.03 грн
25+843.21 грн
50+809.27 грн
100+752.87 грн
250+675.47 грн
500+630.69 грн
1000+615.37 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GInfineonN-MOSFET 88A 200V 300W IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G TIPP110n20n3g
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+224.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GInfineonIPP110N20N3GXKSA1 MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1
Код товару: 144237
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+495.86 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1InfineonIPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 4874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.04 грн
10+252.40 грн
50+197.63 грн
100+168.93 грн
500+139.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAInfineonMOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+561.03 грн
100+532.74 грн
500+504.45 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 11960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+561.03 грн
100+532.74 грн
500+504.45 грн
1000+460.30 грн
10000+400.94 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP110N20NAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+741.68 грн
22+670.54 грн
25+608.06 грн
50+547.51 грн
100+471.25 грн
250+378.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAXKInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.98 грн
50+141.88 грн
100+136.34 грн
500+115.48 грн
1000+109.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.70 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP111N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 9400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
500+175.62 грн
1000+166.19 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+191.50 грн
1000+153.50 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
500+175.62 грн
1000+166.19 грн
10000+151.16 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+191.09 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+191.50 грн
1000+153.50 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.67 грн
50+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.79 грн
85+167.78 грн
100+159.32 грн
500+140.45 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.54 грн
50+165.69 грн
100+157.33 грн
500+138.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N03L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N03LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 12946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N03LGHKSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP114N03LGHKSA1 - IPP114N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]