Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP095N20NM6AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 116A; Idm: 464A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 116A Pulsed drain current: 464A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP095N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPP095N20NM6AKSA1 | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP095N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V | на замовлення 989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP095N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP095N20NM6AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP096N03L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP096N03LG | INFINEON | TO220 10+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP096N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V | на замовлення 13100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP096N03LGHKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP096N03LGHKSA1 - IPP096N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP09N03LA | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP09N03LA | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP09N03LA - IPP09N03L POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP09N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP09N03LAHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S204AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S204AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S204AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V | на замовлення 9616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP100N04S204AKSA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP100N04S204AKSA2 - IPP100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 213 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S2L03AKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP100N04S2L03AKSA1 - IPP100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 197 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S2L03AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S2L03AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP100N04S2L03AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S2L03AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 36500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP100N04S2L03AKSA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP100N04S2L03AKSA2 - IPP100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 36500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 157 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S2L03AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S2L03AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S3-03 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S303AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S303AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S303AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP100N04S4-03D | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S4-H2 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T2 | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S403DXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N04S4H2AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N06S205AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N06S205AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V | на замовлення 13300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP100N06S205AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N06S205AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP100N06S2L-05 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP100N06S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 100A TO220-3 OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N06S2L05AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N06S2L05AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_)40V 60V) | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N06S2L05AKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP100N06S2L05AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N06S2L05AKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP100N06S2L05AKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N06S2L05AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP100N06S3-03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21620 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N06S3-04 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N06S3L-03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26240 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N06S3L-04 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17270 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N06S3L-04IN | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP100N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N08N3G | Infineon technologies | на замовлення 465 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP100N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N08N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP100N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 70A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N08S2-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N08S207AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP100N08S207AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N08S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N08S2L07AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N08S2L07AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N08S2L07AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP100N08S2L07AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N08S2L07AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N08S2L07AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N08S2L07AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP100N10S3-05 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N10S3-05 Код товару: 176365
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP100N10S305AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP100N10S305AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N10S305AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N10S305AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N10S305AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N10S305AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N12S305AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N12S305AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ | на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP100N12S305AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 100+ | на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N12S305AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP100N12S305AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0043 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 6900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N12S305AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N12S305AKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(120V 300V) Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N12S305AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(120V 300V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N18N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 13A TO-220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP100N18N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 6690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP100P03P3L-04 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 475µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP10N03L | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP10N03LB G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP110N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP110N20N3 G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP110N20N3G | Infineon | N-MOSFET 88A 200V 300W IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G TIPP110n20n3g кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP110N20N3G | Infineon | IPP110N20N3GXKSA1 MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP110N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP110N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V | на замовлення 4819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP110N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP110N20N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP110N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP110N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP110N20N3GXKSA1 Код товару: 144237
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP110N20N3GXKSA1 | Infineon | IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 Транзистори | на замовлення 50 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|