Продукція > MUN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MUN5211T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 60
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.23 грн
93+4.53 грн
124+3.39 грн
139+3.04 грн
500+2.43 грн
1000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5211T1G/DTC114EUPANASONIC09+ SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1ON09+
на замовлення 27018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.18 грн
9000+2.66 грн
24000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13888+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 13888 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 41886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+13.54 грн
97+7.84 грн
230+3.28 грн
500+3.14 грн
1000+2.33 грн
3000+2.11 грн
6000+1.92 грн
9000+1.91 грн
15000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+6.25 грн
208+3.63 грн
211+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.72 грн
1000+1.88 грн
5000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 47023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3668+3.86 грн
9000+3.20 грн
24000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON-Semiconductor2NPN 50V 100mA 250mW MUN5212DW1T1G ONSemiconductor TMUN5212dw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 11539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 4604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.19 грн
100+6.31 грн
500+4.34 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.25 грн
106+7.69 грн
249+3.27 грн
500+2.73 грн
1000+2.04 грн
5000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212PW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1ONSOT323
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 110724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1 - MUN5212T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 62700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.90 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.19 грн
6000+2.00 грн
9000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 60186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.36 грн
110+7.42 грн
179+4.56 грн
500+3.09 грн
1000+2.65 грн
5000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 130850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Current gain: 60...100
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GON Semiconductor
на замовлення 662 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 12456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
36+8.60 грн
100+4.67 грн
500+3.44 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 6805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+12.36 грн
110+7.42 грн
179+4.56 грн
500+3.09 грн
1000+2.65 грн
5000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5212T2
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213ON SemiconductorON Semiconductor SS SC70 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213MOTSOT-323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213-T1
на замовлення 2091000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213/8CON09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 212800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT363
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
на замовлення 233800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 5323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6508+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 6508 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1ON07+;
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6508+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 6508 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6508+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 6508 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6508+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 6508 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+2.56 грн
507+1.49 грн
640+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.80 грн
46+16.75 грн
100+16.10 грн
250+14.86 грн
500+14.22 грн
1000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.81 грн
9000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 11539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.35 грн
6000+2.89 грн
9000+2.72 грн
15000+2.37 грн
21000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1G
Код товару: 174648
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 33146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2530+5.59 грн
3062+4.62 грн
4077+3.47 грн
9000+3.00 грн
24000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 2530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.70 грн
71+11.54 грн
113+7.23 грн
500+4.91 грн
1500+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.52 грн
9000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.38 грн
80+9.48 грн
135+5.59 грн
1000+4.46 грн
3000+3.10 грн
9000+2.67 грн
24000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 30730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+6.00 грн
500+4.13 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3979+3.55 грн
9000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3979 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 12575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+16.70 грн
850+16.64 грн
853+16.60 грн
1000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T3GonsemiDigital Transistors SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V
на замовлення 9164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T3GON Semiconductor
на замовлення 19545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213DW1T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
29+10.64 грн
100+6.63 грн
500+4.56 грн
1000+4.02 грн
2000+3.57 грн
5000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213RT1
на замовлення 1266000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8153+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 8153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 6662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8153+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 8153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8153+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 8153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8153+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 8153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8153+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 8153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213T1 - MUN5213T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1/CK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1G
Код товару: 177311
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 28489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5209+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 5209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 92747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
49+6.19 грн
100+3.81 грн
500+2.59 грн
1000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5213T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 536000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1GON-SemiconductorNPN 50V 100mA 202mW MUN5213T1G ONSemiconductor TMUN5213
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+6.49 грн
197+3.85 грн
198+3.82 грн
326+2.24 грн
330+2.05 грн
500+1.41 грн
1000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.64 грн
6000+2.34 грн
9000+2.04 грн
24000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.06 грн
6000+1.77 грн
9000+1.66 грн
15000+1.44 грн
21000+1.36 грн
30000+1.30 грн
75000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213T2
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213TI
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5213\8CONSOT-323
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5214onsemi SS SC70 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]