Продукція > RN4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN4984FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4984FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.75 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4984FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.98 грн
51+16.01 грн
104+7.83 грн
500+4.75 грн
1000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
18+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 7444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 7660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
17+18.72 грн
100+9.43 грн
500+7.85 грн
1000+6.11 грн
2000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FSTOSHIBASOT-563
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985TOSHIBASOT363
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 6Pin 2.2K x 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985(TE85LF)ToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985,LF(CTToshibaNPN/PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
25+12.30 грн
100+6.01 грн
500+4.70 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4985,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.85 грн
9000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 200mW TRANSISTOR
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4985,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.85 грн
9000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985/6E
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE
на замовлення 13085 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LF(CTToshibaDigital Transistors NPN + PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
на замовлення 6141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
22+14.34 грн
100+7.59 грн
500+4.69 грн
1000+3.19 грн
2000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
15+21.21 грн
100+13.20 грн
500+8.47 грн
1000+6.52 грн
2000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FSTOSHIBASOT663
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985TE85L
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985TE85L(6E)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986TOSHIBA09+
на замовлення 23518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986 TE85L SOT363-6FTOSHIBA
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 6Pin 4.7K x 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986(TE85L)TOSHIBASOT363-6F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986(TE85L) SOT363-6FTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986(TE85L) SOT363-6FTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
26+11.93 грн
100+8.01 грн
500+5.78 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 10829 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4986FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+8.70 грн
108+7.54 грн
138+5.90 грн
500+3.96 грн
1000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4986FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.96 грн
1000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
24+13.06 грн
100+8.78 грн
500+6.34 грн
1000+5.71 грн
2000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FSTOSHSOT26/
на замовлення 17240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987TOSHIBA
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
18+17.13 грн
100+8.36 грн
500+6.55 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.40 грн
100+9.65 грн
500+6.73 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN + PNP , R1=10kOhm, R2=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987/6H
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FEToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FETOSHIBA
на замовлення 12200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE(TE85LF)ToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE,LF(CBToshibaRN4987FE,LF(CB
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+21.28 грн
690+20.52 грн
1000+19.85 грн
2500+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4987FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+11.38 грн
106+7.72 грн
205+3.98 грн
500+3.17 грн
1000+2.44 грн
5000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.86 грн
8000+2.48 грн
12000+2.33 грн
20000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN4987FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.17 грн
1000+2.44 грн
5000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 7329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 27872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+9.06 грн
100+5.58 грн
500+3.83 грн
1000+3.38 грн
2000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN PNP 50V 100MA US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987T5LFTToshibaDigital Transistors X34 Pb-F US6 PLN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 6Pin 22K x 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN + PNP BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN + PNP BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
19+16.30 грн
100+8.21 грн
500+6.28 грн
1000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, 22kO, 47kO, 22kO, 47kO, 50V (SOT-363)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, Q1B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]