Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB7440 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7440GPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB7440GPBF - IRFB7440 - N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7440GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7440GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7440GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7440GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V | на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W | на замовлення 626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V | на замовлення 2058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7440PBF Код товару: 150169
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7440PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 208A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET | на замовлення 269 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon | MOSFET N CH 40V 120A TO220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 38032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7440PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm | на замовлення 1029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7446 | International Rectifier | 123A 40V 99W N-MOSFET IRFB7446 TO220AB TIRFB7446 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7446GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446GPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET, 40V, 118A, 3 62 nC Qg, TO-220AB | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7446GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7446GPBF | International Rectifier | Description: IRFB7446 - POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V | на замовлення 1157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 123A Power dissipation: 99W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Technology: HEXFET® | на замовлення 399 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V | на замовлення 1151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7446PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 99W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 52 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 15118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | International Rectifier | MOSFET N CH 40V TO220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W | на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7446PBF Код товару: 164381
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB7530 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFB7530 IRFB7530 TIRFB7530 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7530 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7530PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7530PBF Код товару: 184416
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB7530PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 295A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 274nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET | на замовлення 33 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 688 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7530PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7530PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7530PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7534 | International Rectifier | N-MOSFET 60V 195A 2.4mΩ 294W IRFB7534 Infineon TIRFB7534 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 110 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7534 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB7534PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7534PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7534PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Power dissipation: 294W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 186nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET | на замовлення 660 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7534PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7534PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7534PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V | на замовлення 7974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7534PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB | на замовлення 414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7534PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7534PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 81248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7534PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7534PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7534PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7534PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7534PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7534PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7534PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 7937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7537 | International Rectifier | N-MOSFET 60V 173A 3.3mΩ 230W IRFB7537 International Rectifier TIRFB7537 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7537 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB7537PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7537PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7537PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 173 A, 2750 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm | на замовлення 3520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7537PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7537PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7537PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7537PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 173A TO-220AB | на замовлення 688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7537PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7537PBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7537PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 173A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET | на замовлення 984 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7537PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7537PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7537PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V | на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7540 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7540PBF | International Rectifier | TO220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7540PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 88nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube | на замовлення 149 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB7540PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V | на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7540PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB | на замовлення 6786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7540PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB7540PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

