Продукція > 2SC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5710 | SANYO | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5712 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5712 | TOSHIBA | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5712(TE12L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | на замовлення 1601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5712(TE12L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC | на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5712(TE12L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5712(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5712(TE12L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5712(TE12L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | на замовлення 5719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5712(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5712(TE12L,ZF) | Toshiba | 2SC5712(TE12L,ZF) | на замовлення 6115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5712(TE12LF) | TOSHIBA | SOT-89 0725+ | на замовлення 831 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5713 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC5713(TE12L,F) | TOSHIBA | 2007 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5714 | TOSHIBA | SOT89 | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5714 | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5714(TE12L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5714(TE12L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 353 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5714(TE12L,ZF) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 20V 4A PW-MINI Packaging: Box Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: PW-MINI Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC572 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC57250SL | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 15V 2A MINI3-G1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: Mini3-G1 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 600 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5729T106Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5729T106Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5729T106R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5729T106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC573 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5730 TL R | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 2078 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5730-Q | ROHM | SOT23 07+ | на замовлення 3445 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5730-R | ROHM | SOT23 07+ | на замовлення 9163 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5730-R/UMR | ROHM | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5730/R | ROHM | SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5730TLQ | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5730TLQ | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5730TLR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5730TLR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 1A TSMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5731T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5731T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5732TLQ | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 5A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Supplier Device Package: CPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5734/R | ROHM | SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5737-T1 | на замовлення 2995 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC5738 | TOS | на замовлення 5098 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5738(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 20 V, 3. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: TSM Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5738(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor, 20 V, 3.5 A, TSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5738(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | на замовлення 2062 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5738(TE85LF) | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5739 | на замовлення 79580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC57390P | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220D-A1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TO-220D-A1 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC574 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC575 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5750-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ Packaging: Strip Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5750-T1-A | Renesas Electronics Corporation | Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343 Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343 | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5750-T1-A | Renesas | Trans RF BJT NPN | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5750-T1-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5751 | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC5751-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ Packaging: Strip Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 205mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5751-T2-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 205mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5751-T2-A | Renesas | Trans RF BJT NPN 6V 0.05A 205mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5751-T2-A | Renesas | Trans RF BJT NPN 6V 0.05A 205mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5751-T2-A | Renesas Electronics Corporation | Description: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343F Packaging: Bulk Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 205mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343F | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5752-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ Packaging: Strip Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 12GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5752-T1-A | Renesas | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5752-T1-A | Renesas Electronics Corporation | Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT-343 Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 12GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5752-T1-A | Renesas | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5752-T1-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 12GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5753 | NEC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5753-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ Packaging: Strip Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB Power - Max: 205mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 12GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5753-T2-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT-343F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB Power - Max: 205mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 12GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5754-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 5V 20GHZ Packaging: Strip Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 735mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 20GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5754-A | CEL | RF Bipolar Transistors NPN Silicon 20GHz Pout (1dB 26dBm) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5754-A | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5754-T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC5754-T2 | NEC | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5754-T2-A | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5754-T2-A | NEC | 06+ROHS SOT-343 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5754-T2-A | CEL | RF Bipolar Transistors NPN High Frequency | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5754-T2-A | CEL | Description: RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT-343F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 6.5dB Power - Max: 735mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 20GHz Supplier Device Package: SOT-343F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5755 | TOSHIBA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5755(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 10V 2A TSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC576 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5761 | NEC | 00+ SOT-143 | на замовлення 6999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5761-T2/T16 | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC5763M | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 700V 7A 3-Pin (3+Tab) TO-220 | на замовлення 1052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5763M | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 7A TO-220AB Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 800mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 5V Frequency - Transition: 17MHz Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 3603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5763M | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC5763M - 2SC5763M, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5763M | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 700V 7A 3-Pin (3+Tab) TO-220 | на замовлення 2551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5764M-T | TO220F 05+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5766 | на замовлення 87000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC577 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5772 | NEC/CEL | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5772FE-TL-ESOT23-FRPB-FREE | RENESAS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5772FR | HITACHA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5772FR-TL-E | Renesas | SILICON NPN RF Transistor | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5772FR-TL-E | RENESAS | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5772FR-TL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: RF TRANS NPN 9V 9GHZ 3-MPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 75mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 5V Frequency - Transition: 9GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 900MHz Supplier Device Package: 3-MPAK | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5772FR-TL-E SOT23-FR | RENESAS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5773JR(TL-E) | Renesas | Trans RF BJT NPN 6V 0.08A 700mW 3-Pin MPAK T/R | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5773JR-TL | HITACHI | SOT23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5773JR-TL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: RF TRANS NPN 6V 10.8GHZ 3-MPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11.9dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 10.8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 900MHz Supplier Device Package: 3-MPAK | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5775 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 12A 2500mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PB | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5775 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC5775 - 2SC5775, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

