Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SC5707-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 8A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-EOn SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5707-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 330
Bauform - Transistor: TO-251
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-SHY-TL04+ TO252
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TLSANYOSOT252/2.5
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
на замовлення 17757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 8 А, ft, МГц = 330, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TP-FA-2 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 330MHz
Current gain: 200...560
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.56 грн
5+88.70 грн
10+78.66 грн
50+56.90 грн
100+50.21 грн
500+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-E
Код товару: 211444
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 8A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.61 грн
10+79.53 грн
100+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EOn SemiconductorTRANS NPN 50V 8A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 8A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+39.55 грн
1400+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC571NEC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5710SANYO
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712TOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC5712(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 2.5 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+64.54 грн
674+20.94 грн
700+20.18 грн
1000+18.82 грн
2500+16.92 грн
5000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 3A PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
11+28.09 грн
100+18.04 грн
500+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+65.67 грн
500+40.92 грн
1000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12L,ZF)Toshiba2SC5712(TE12L,ZF)
на замовлення 6115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
689+20.50 грн
715+19.76 грн
1000+19.12 грн
2500+17.89 грн
5000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5712(TE12LF)TOSHIBASOT-89 0725+
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5713
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5713(TE12L,F)TOSHIBA2007
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5714TOSHIBASOT89
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5714Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5714(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
674+20.94 грн
700+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 674 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5714(TE12L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 20V 4A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5714(TE12L,ZF)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 20V 4A PW-MINI
Packaging: Box
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC572TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC57250SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 15V 2A MINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5729T106QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5729T106QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5729T106RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5729T106RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC573TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5730 TL RROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5730-QROHMSOT23 07+
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5730-RROHMSOT23 07+
на замовлення 9163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5730-R/UMRROHM09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5730/RROHMSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5730TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5730TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5730TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5730TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 1A TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5731T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5731T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5732TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 5A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5734/RROHMSOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5737-T1
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5738TOS
на замовлення 5098 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5738(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5738(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor, 20 V, 3.5 A, TSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5738(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 20 V, 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5738(TE85LF)ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5739
на замовлення 79580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC57390PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 60V 3A TO-220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC574TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC575TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5750-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 15GHZ
Packaging: Strip
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5750-T1-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
651+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 651 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5750-T1-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5750-T1-ARenesasTrans RF BJT NPN
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
905+39.01 грн
1000+35.98 грн
10000+32.07 грн
100000+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 905 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5751
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5751-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 15GHZ
Packaging: Strip
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 205mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5751-T2-ARenesasTrans RF BJT NPN 6V 0.05A 205mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1112+31.74 грн
10000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 1112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5751-T2-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 205mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5751-T2-ARenesasTrans RF BJT NPN 6V 0.05A 205mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1112+31.74 грн
10000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 1112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5751-T2-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT-343F
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 205mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 20mA, 3V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
738+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 738 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5752-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 12GHZ
Packaging: Strip
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5752-T1-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5752-T1-ARenesasNPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.43 грн
500+89.50 грн
1000+82.54 грн
10000+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5752-T1-ARenesasNPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.43 грн
500+89.50 грн
1000+82.54 грн
10000+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5752-T1-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT-343
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5753NEC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5753-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 12GHZ
Packaging: Strip
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 205mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5753-T2-ACELDescription: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT-343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 205mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5754-ACELRF Bipolar Transistors NPN Silicon 20GHz Pout (1dB 26dBm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5754-ACELDescription: RF TRANS NPN 5V 20GHZ
Packaging: Strip
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 735mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 20GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5754-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5754-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5754-T2NEC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5754-T2-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5754-T2-ACELDescription: RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT-343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 6.5dB
Power - Max: 735mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 20GHz
Supplier Device Package: SOT-343F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5754-T2-ANEC06+ROHS SOT-343
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5754-T2-ACELRF Bipolar Transistors NPN High Frequency
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5755TOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5755(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 10V 2A TSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC576TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5761NEC00+ SOT-143
на замовлення 6999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5761-T2/T16
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5763MONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5763M - 2SC5763M, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5763MonsemiDescription: TRANS NPN 400V 7A TO-220AB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 5V
Frequency - Transition: 17MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+64.03 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]