Продукція > 2SC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5775 | onsemi | Description: TRANS NPN 160V 12A TO-3PB Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-3PB Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 2.5 W | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5779 | PANASONIC | TO-220 | на замовлення 3750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC578 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2SC5784(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 20V 1.5A TSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5784(TE85L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 20V 1.5A 500mW 3-Pin TSM T/R | на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5784(TE85LF) | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5785 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2SC5785(TE12L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 10V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | на замовлення 829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC57880PA | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 60V 3A MT-4 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: MT-4-A1 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 375mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC57880PA | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 60V 3A MT-4 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: MT-4-A1 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 375mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC57880QA | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 60V 3A MT-4-A1 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: 3-SIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: MT-4-A1 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC579 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2SC5793 Код товару: 55741
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2SC58 | NEC | CAN | на замовлення 617 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC580 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2SC5800 | NEC | 09+ | на замовлення 31018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5800-T1-A | RENESAS | SOT23/SOT323 | на замовлення 1010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5801(NE851M13) | NEC/CEL | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5802 | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5803 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2SC5803 Код товару: 81823
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3P-ISO fT: 4 MHz Uceo,V: 800 V Ucbo,V: 1500 V Ic,A: 12 A h21: 15 Примітка: 70W | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| 2SC5808-E | onsemi | Description: BIP NPN 2.5A 8700V Packaging: Bulk | на замовлення 11500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5808-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC5808-E - 2SC5808-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 11500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC581 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2SC5810 | TOSHIBA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2SC5810(T2LPEDZF) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5810(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 1A SC-62 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5810(TE12L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5810(TE12L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | на замовлення 9880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5810(TE12L,ZF) | Toshiba | 2SC5810(TE12L,ZF) | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5810(TE12L,ZF) | Toshiba | 2SC5810(TE12L,ZF) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5812WG-TR | RENESAS | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2SC581300L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 80V 1.5A MINI3 Power - Max: 600 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: Mini3-G1 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC581300L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 80V 1.5A MINI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: Mini3-G1 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5814-1R | ISA | 07+ SOT-23 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5814-T112-1R | ISAHAYA | SOT-23 05+ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5814-T12-1S | 02+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2SC5814-T1R-1R | MIT | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5819 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5819 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2SC5819(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 20V 1.5A SC-62 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5819(TE12L,ZF) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 20V 1.5A PW-MINI Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: PW-MINI DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC582 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2SC5820WU- | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2SC5820WU-TL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Supplier Device Package: CMPAK-4 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 20GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Power - Max: 100mW Gain: 17.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Bulk | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5820WU-TL-E | RENESAS | SOT343 | на замовлення 2477 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5820WU-TL-H | Renesas Electronics Corporation | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Bulk Supplier Device Package: CMPAK-4 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 20GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Power - Max: 100mW Gain: 17.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5824 | ROHM | 09+ | на замовлення 21663 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5824 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5824 T100R | ROHM | SOT89 | на замовлення 539 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 60V 3A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100Q | ROHM | SOT89 06+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 3A | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100Q | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 500mW; SC62,SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 0.5W Case: SC62; SOT89 Current gain: 120...270 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 244 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 60V 3A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 60V 3A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100R | ROHM | 09+ | на замовлення 112508 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 3A | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 500mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Case: SC62; SOT89 Power dissipation: 0.5W Collector current: 3A Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 180...390 | на замовлення 984 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 60V 3A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 15617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 11225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5824T100R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5825 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5825FTL | на замовлення 3208 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2SC5825TL | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5825TLQ Код товару: 81984
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542 39 90 00 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2SC5825TLQ | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT RECOMMENDED ALT 755-2SCR573D3TL1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5825TLQ | ROHM | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2SC5825TLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5825TLQ | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5825TLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5825TLR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT RECOMMENDED ALT 755-2SCR573D3TL1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5825TLR | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5825TLR | на замовлення 3750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2SC5826 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5826 | ROHM | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2SC5826TV2 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5826TV2Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 60V 3A ATV Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: ATV Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC5826TV2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 60V 3A ATV Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: ATV Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: 3-SIP Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC583 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2SC5831 | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 55V 2A 1500mW 3-Pin TO-126ML | на замовлення 75972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5831 | onsemi | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TO-126ML Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk | на замовлення 1432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5832-TL-E | ON Semiconductor | Darlington NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor | на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5832-TL-E | onsemi | Description: DRIVER APPLICATIONS Packaging: Bulk | на замовлення 50400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5832-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC5832-TL-E - 2SC5832 - DRIVER APPLICATIONS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC5832-TL-E | ON Semiconductor | Darlington NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor | на замовлення 72800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SC584 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2SC5845 | Panasonic | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2SC584500L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: Mini3-G1 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC584500L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: Mini3-G1 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SC584500L | PANPSONIC | 09+ | на замовлення 1518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

