Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFC4227EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4227EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4229EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 46A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC430Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V TO PKG
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4310EFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V DIE ON FILM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4332EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4368DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4410ZEBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4468DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4468EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4568EBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 171A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Ta)
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4568EFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4668DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4668EFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4768EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4905BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 55V 42A DIE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4N65ABVishay / SiliconixMOSFET MOSFET N-CHANNEL 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4N65AB-CVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4N65AB-C1Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC5210BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 40A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC5305BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 55V 31A DIE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC7313BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 30V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC7314BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC7416BInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 30V 10A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC7501BInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC8721EDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH WAFER
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9024BVishayTransistor, P-Channel Mosfet, Die
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6810 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9024NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 55V 11A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9034NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 55V 19A DIE
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9110VishayTrans MOSFET P-CH 100V Case D-34
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14026 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9110BVishayP-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9120NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 6.6A DIE
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9130VishayTrans MOSFET P-CH 100V Die Standard
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9130NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 14A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9140VishayMOSFET Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2619 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9140NBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 100V 23A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 23A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9630BVishay / SiliconixMOSFET MOSFET P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9630BVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9640BVishay / SiliconixMOSFET MOSFET P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9640BVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2959 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFCOD1A01TR(ALCATEL2440)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFCZ44VBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 60V 55A DIE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD010IR09+
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD010Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 860mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD010Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD010PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 860mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.72 грн
10+87.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 60V 1.7A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBF
Код товару: 72611
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVMDIP-4
Uds,V: 60 V
Idd,A: 1,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 310/11
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+20.00 грн
10+13.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFD020PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020IR0307+
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 2.4 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.36 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020PBFIR09+
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020PBFVishayTrans MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-Pin HVMDIP T/R
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.85 грн
53+14.36 грн
54+14.14 грн
55+13.41 грн
56+12.22 грн
100+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.68 грн
10+104.54 грн
100+71.22 грн
500+53.44 грн
1000+49.13 грн
2500+44.46 грн
5000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020PBFVishay / SiliconixMOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET HEXDI
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.47 грн
10+66.81 грн
100+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024VishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.39 грн
10+113.61 грн
100+98.54 грн
250+90.48 грн
500+74.75 грн
1000+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBF
Код товару: 31843
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVM DIP-4
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,4 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
Монтаж: THT
у наявності: 95 шт
  • 95 шт - склад
1+42.00 грн
10+39.00 грн
100+37.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.75 грн
10+95.31 грн
100+76.09 грн
500+60.90 грн
1000+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBFMOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBFVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110HARRISIRFD110
на замовлення 5453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.58 грн
500+71.62 грн
1000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110Harris CorporationDescription: 1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110IRFD110 Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110HARRISIRFD110
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.58 грн
500+71.62 грн
1000+66.06 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 600 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: DIP-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: 0
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: 0
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBFVishay / SiliconixMOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBF
Код товару: 98653
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVMDIP-4
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,7 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8,3
Монтаж: THT
у наявності: 99 шт
  • 99 шт - склад
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD111Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD112HARRISIRFD112
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.35 грн
1000+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD112Harris CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113HARRISIRFD113
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+95.19 грн
500+85.66 грн
1000+79.00 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 46955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFD113PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113HARRISIRFD113
на замовлення 24593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+95.19 грн
500+85.66 грн
1000+79.00 грн
10000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113HARRISIRFD113
на замовлення 24390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+95.19 грн
500+85.66 грн
1000+79.00 грн
10000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113(94-2095)
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113(94-4111)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.84 грн
10+117.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.8A; Idm: 6.4A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 6.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.10 грн
10+132.15 грн
100+91.11 грн
500+69.05 грн
1000+63.77 грн
2000+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113PBFVishay / SiliconixMOSFETs 60V 800mOhm@10V 0.8A N-Ch
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.72 грн
10+101.18 грн
100+67.52 грн
500+59.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.85 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]