Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2409000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 483000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2457000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1623000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2112000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1683000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2526000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1485000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1908000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2016000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2307000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 480000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2427000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1569000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2535000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1629000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2358000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1422000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2787000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1734000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2004000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2010000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2424000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 963000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2457000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1575000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2205000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1467000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2535000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1506000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1908000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2010000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...200MHz Application: automotive industry Pulsed collector current: 0.2A Quantity in set/package: 3000pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQB-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 340 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQB-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQB-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT8015 65V .1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQB-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 340 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 340 mW | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQBZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC856BQB/SOT8015/DFN1110D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 340 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQBZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2273 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 29985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 360 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC856BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 29985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 29985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 360 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC856BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP GP TRANS | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQCZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT8009 65V .1A PNP BJT | на замовлення 4057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 360 mW | на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQCZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC856BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false DC-Stromverstärkung hFE: 220hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 450mW Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQCZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 360 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQCZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC856BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856xQC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC856BS | Yangjie Technology | Description: SOT-363 PNP+PNP 0.2W -0.1A -80V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS | Yangjie Electronic Technology | Dual PNP Small Signal Transistor | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS | NXP | 2xPNP 100mA 65V 300mW 100MHz BC856BS.115 BC856BS _R1 _00001 BC856BS_ R2 _00001 BC856BS,135 BC856BS-TP BC856BS TBC856bs кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 321000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC856BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 200mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SC88,SOT363,TSSOP6 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 1008 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT363 65V .1A PNP B JT | на замовлення 219291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC856BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 200mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,115 транзистор Код товару: 201232
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC856BS,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BS,135 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SC88,SOT363,TSSOP6 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BS,135 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT363 65V .1A PNP B JT | на замовлення 9859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BS,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 900000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BS-AU-R1-000A1 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT SOT-363/TRA/SOT/DT-02TSP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BS-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BS-QX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT363 65V .1A PNP/PNP BJT | на замовлення 602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BS-R1-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT SOT-363/TRA/SOT/DT-02TSP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

