Продукція > DMP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP2160U | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2160U | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2160U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 627 pF @ 10 V | на замовлення 6727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1092000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs SINGLE P-CHANNEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2160U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 627 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2160UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.054ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.4W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 420134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2160UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2160UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.054ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN T/R | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.4W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 417000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDB-7 Код товару: 178275
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Драйвери транзисторів | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DMP2160UFDB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2160UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V 3.8A DUAL P-CHAN | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2160UFDB-7R | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2160UFDB-7R | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs Dual P-Ch Enh FET VDSS -20V -12VGSS | на замовлення 284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDBQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2160UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.054ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDBQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2160UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.054ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 536pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | на замовлення 229406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UW | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2160UW-7 | на замовлення 8800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2160UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2160UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 627 pF @ 10 V | на замовлення 23889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 627 pF @ 10 V | на замовлення 23750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs SINGLE P-CHANNEL | на замовлення 28312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UW-7 | DIODES/ZETEX | P-MOSFET 20V 1.5A 100mΩ 350mW DMP2160UW Diodes TDMP2160uw кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 110 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2160UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UWQ-7 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2160UWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V P-CH MOSFET | на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UWQ-7 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT323 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 627 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 50580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UWQ-7 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 627 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2160UWQ-7 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 310000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-13 | Diodes | MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2165UW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V | на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2165UW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V | на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | DIODES/ZETEX | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; +/-12V; 90mOhm; 2.5A; 500mW; -55°C~150°C; DMP2165UW-13; DMP2165UW-7 TDMP2165UW-7 Diodes кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 110 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K | на замовлення 54212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2165UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | DIODES/ZETEX | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; +/-12V; 90mOhm; 2.5A; 500mW; -55°C~150°C; DMP2165UW-13; DMP2165UW-7 TDMP2165UW-7 Diodes кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 22962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 255000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2165UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | Diodes | MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT323 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2170U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2170U-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2170U-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -13A; 1.28W; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -13A Drain current: -2.5A Gate charge: 7.8nC On-state resistance: 0.25Ω Power dissipation: 1.28W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 13 inch reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2170U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2170U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2170U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2170U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.01V euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2170U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4641000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2170U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4642470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2170U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 15859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2170U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2170U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.01V euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP2170U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2170U-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -13A; 1.28W; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -13A Drain current: -2.5A Gate charge: 7.8nC On-state resistance: 0.25Ω Power dissipation: 1.28W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP2170U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4641000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP21D0UFB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP21D0UFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET P-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP21D0UFB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X1-DFN T/R | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP21D0UFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.5 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 25101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP21D0UFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.5 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP21D0UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET 20V P-Ch Enh FET Pd .43W -8Vgss -5.0A | на замовлення 14893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP21D0UFB4 | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP21D0UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V P-Ch ENH Mode 495mOhm -4.5V -0.77A | на замовлення 59658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP21D0UFB4-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP21D0UFB4-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 770mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP21D0UFB4-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP21D0UFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP21D0UFB4-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP21D0UFB4-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP21D0UFB4-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMP21D0UFB4-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 430mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.54 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP21D0UFB4-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP21D0UFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 770 mA, 0.495 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 770mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 430mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.495ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMP21D0UFB4-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 1.17A 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 2765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

