Продукція > MUN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MUN5214 | на замовлення 1210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1 | на замовлення 477000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 50280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 75743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G | On Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V | на замовлення 52262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 10434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 50342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G Код товару: 56814
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5214DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 75743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G | ON-Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R MUN5214DW1T1G TMUN5214dw кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 10434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5214DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5214T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5214T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5214T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5214T1/8D | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5214T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5214T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5214T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 9071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5214T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5214T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 37901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215D | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5215DW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1 | ON | 07+; | на замовлення 13520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5215DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 72520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1 | Rochester Electronics, LLC | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | на замовлення 72520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4808 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1(7E) | на замовлення 6680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1/7EY | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V | на замовлення 10228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 16480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 16480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Base (R1): 10kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 8120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215DWITI | MOTO | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN5215DWT1 | на замовлення 3150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5215T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5215T1 - MUN5215T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5215T1 | LRC | SOT-323 03+ | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215T1G | ON | 07+; | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 | на замовлення 681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5215T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5215T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5216 | onsemi | SS SC70 BR XSTR NPN 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5216 | на замовлення 34720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5216/8F | ON | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5216DW1 | onsemi | SS SC88 BR XSTR NPN 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5216DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5216DW1T1 | на замовлення 96000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5216DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5216DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5216DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216DW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 26881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216DW1T1G | ON | 07+; | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5216DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5216DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5216DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN | на замовлення 24136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5216DW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216T1 | PANASONIC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN5216T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5216T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Bulk | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5216T1 - MUN5216T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5216T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5216T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 339320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 59000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 15900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216T1G | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN5216T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 4609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5216T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN5216T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5216\8F | ON | SOT-323 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN5217DW1T1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

