Продукція > SiH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SiHFBG30-E3Vishay SiliconixSiHFBG30-E3 IRFBG30PBF MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFC13M Electronic SpecialtyWire Identification SLEEVE 20MM 240/BOX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFC9640DWFVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFD014Vishay SiliconixSiHFD014 IRFD014 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD120Vishay SiliconixSiHFD120 IRFD120 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD120
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD120-E3
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD120-E3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD120-E3Vishay SiliconixSiHFD120-E3 100 В 1.3 А (HVMDIP) DIP-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD121
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD121-E3
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD122
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD122-E3
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD123Vishay SiliconixSiHFD123 IRFD123 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD123
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD123-E3Vishay SiliconixSiHFD123-E3 IRFD123PBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD123-E3
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD420-E3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFD9014Vishay SiliconixSiHFD9014 IRFD9014 P-Channel 60V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD9014-E3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD9014-E3Vishay SiliconixSiHFD9014-E3 -60 В -1.1 А (HVMDIP) P-Channel 60V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFD9120-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFD9210-E3Vishay SiliconixSiHFD9210-E3 IRFD9210PBF P-Channel 200 V 0.4 A DIP-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFI640GVishay SiliconixSiHFI640G IRFI640G (N-CH U=200B, I=9,8A TO-220) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFI640G-E3Vishay SiliconixSiHFI640G-E3 IRFI640GPBF (N-CH U=200V, I=9,8A TO-220-ISO) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFI740G-E3Vishay SiliconixSiHFI740G-E3 IRFI740GPBF MOSFET N-Ch 400V 5.4A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFI9530G-E3Vishay SiliconixSiHFI9530G-E3 IRFI9530GPBF TO-220, 100V Single P-Channel Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFI9Z34G-E3Vishay SiliconixSiHFI9Z34G-E3 IRFI9Z34GPBF MOSFET, P-CH, 60V, 12A, TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFIB11N50A-E3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFIB16N50K-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V 6.7A 45W 350mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFIB9N60A-E3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFIB9N65A-E3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFIB9N6A-E3
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL014
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFL014-E3Vishay SiliconixSiHFL014-E3 IRFL014PBF HEXFET N-CH 60 V 2.7 A 200 mOm SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL014NT-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL014T-E3Vishay SiliconixSiHFL014T-E3 IRFL014TRPBF HEXFET N-CH 60 V 2.7 A 200 mOm SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL014T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL014TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60V
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL024T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL024ZT-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL210
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL210T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL210TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL210TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.68 грн
10+41.20 грн
100+26.80 грн
500+19.32 грн
1000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL210TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT223 200V .96A N-CH MOSFET
на замовлення 4675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL214
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL214T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL4105T-E3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL4310T-E3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL5505T-E3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014Vishay SiliconixSiHFL9014 IRFL9014 MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFL9014-E3Vishay SiliconixSiHFL9014-E3 IRFL9014PBF MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014T-E3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3Vishay SiliconixSIHFL9014TR-GE3 -60 В -1.8 А (SOT-223) MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-223
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFL9014TR-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFL9014TR-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.04 грн
10+52.22 грн
50+38.69 грн
100+32.21 грн
500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110T-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 18369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.05 грн
10+42.64 грн
50+31.43 грн
100+26.07 грн
500+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110TR-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.69A
Pulsed drain current: -8.8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110TR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.73 грн
7500+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110TR-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFL9110TR-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110TR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-223
на замовлення 75712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110TR-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9110TR-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFL9110TR-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP240Vishay SiliconixSiHFP240 IRFP244PBF Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 15A; 150W; TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP240Vishay SiliconixSiHFP240 IRFP240 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP240-E3Vishay SiliconixSiHFP240-E3 IRFP240PBF MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP31N50L-E3Vishay SiliconixSiHFP31N50L-E3 IRFP31N50LPBF Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A),TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP360Vishay SiliconixSiHFP360 IRFP360 TO-247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP360LC-E3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP360LC-E3Vishay SiliconixSiHFP360LC-E3 IRFP360LCPBF TO-247AC Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+242.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFP450Vishay SiliconixSiHFP450 IRFP450 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFP450-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFP450-E3Vishay SiliconixSiHFP450-E3 IRFP450PBF N-MOSFET HEXFET 500V 190W TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFP450A-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFP450A-E3Vishay SiliconixSiHFP450A-E3 IRFP450APBF MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFP450LC-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPC60-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPC60LC-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS37N50A-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHFPS37N50A-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.13 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 446W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]