Продукція > ZXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXTN4006ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4006ZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 200V 1A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 320mV
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.92 грн
2000+11.25 грн
3000+10.65 грн
5000+9.36 грн
7000+8.98 грн
10000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4006ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4006ZTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Trans SOT89 T&R 1K
на замовлення 95138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4006ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4006ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN4006ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4006ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+13.99 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4006ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
225+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4006ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4006ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4006ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN4006ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4006ZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 200V 1A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 320mV
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
11+28.34 грн
100+18.21 грн
500+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4006ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4240F-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN4240F-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 730 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4240F-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 730 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 70701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.23 грн
100+10.22 грн
500+7.15 грн
1000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4240F-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 2A 730mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1353000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4240F-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 2A 730mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.13 грн
6000+6.45 грн
9000+6.11 грн
15000+5.52 грн
21000+4.90 грн
30000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4240F-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 2A 730mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.05 грн
6000+4.56 грн
9000+4.37 грн
15000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4240F-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 730 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.04 грн
6000+4.39 грн
9000+4.16 грн
15000+3.65 грн
21000+3.51 грн
30000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4240F-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN4240F-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 730 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4240F-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 2A 730mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.13 грн
6000+6.45 грн
9000+6.11 грн
15000+5.52 грн
21000+4.90 грн
30000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4240F-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 2A 730mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.05 грн
6000+4.56 грн
9000+4.37 грн
15000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4240F-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transistor SOT23 T&R 3K
на замовлення 6668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4240FQ-7Diodes ZetexZXTN4240FQ-7
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4240FQ-7Diodes Incorporated SS Mid-Perf Transistor SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLQTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLQTADiodes ZetexZXTN5551FLQTA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLQTADiodes ZetexZXTN5551FLQTA
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 330 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN5551FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 160V 0.6A
на замовлення 14075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN5551FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551FLTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.41 грн
25+12.77 грн
50+10.43 грн
100+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 157000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.81 грн
10+31.49 грн
100+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 160V 600mA NPN
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1715+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 1715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+29.80 грн
847+16.74 грн
856+16.57 грн
885+15.45 грн
1462+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 91000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1.2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.53 грн
26+29.80 грн
100+16.14 грн
250+14.79 грн
500+13.73 грн
1000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551ZTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 160V 0.6A
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN617MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 4.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 15V 4.5A DFN2020B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN617MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 4.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
521+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 15V 4.5A DFN2020B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 10221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
10+30.44 грн
100+21.16 грн
500+15.51 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN617MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN618MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 20V 4.5A DFN2020B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 269984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
10+31.26 грн
100+21.76 грн
500+15.95 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN618MATADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN618MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 20V 4.5A DFN2020B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.82 грн
6000+11.72 грн
9000+10.88 грн
30000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADiodes Inc./ZetexTRANS NPN 50V 4A 3-DFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATA
Код товару: 220206
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 80455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.79 грн
10+39.94 грн
100+25.99 грн
500+18.76 грн
1000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.19 грн
6000+14.36 грн
9000+13.73 грн
15000+12.22 грн
21000+11.82 грн
30000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN619MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.43 грн
6000+16.27 грн
9000+15.83 грн
15000+14.74 грн
21000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.82 грн
6000+14.80 грн
15000+13.78 грн
30000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 20872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+32.31 грн
100+20.92 грн
500+15.00 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.46 грн
6000+16.29 грн
9000+15.86 грн
15000+14.77 грн
21000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.85 грн
6000+11.36 грн
9000+10.84 грн
15000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN620MATADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.82 грн
6000+14.80 грн
9000+13.78 грн
24000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN649FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN649FTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 725 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.57 грн
6000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN649FTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 25V 3A 725mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.