Продукція > ZXT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXTN25100DGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W | на замовлення 114042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN25100DGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN25100DGTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN25100DZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25100DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.46W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN | на замовлення 10330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT-89-3 Power - Max: 2.4 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 175MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 345mV @ 250mA, 2.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25100DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.46W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 345mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.4 W | на замовлення 45077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA-50 | Diodes Incorporated | Description: Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 345mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN25100DZTA-50 | Diodes Zetex | 100V NPN High Gain Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN26020DMF | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZXTN26020DMFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 1.5A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 40mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: DFN1411-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN26020DMFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 20V 1.5A 1000mW 3-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN26020DMFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 1.5A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 40mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: DFN1411-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN26020DMFTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 20V Bipolar 1.5A Ic 380mw | на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN26070CV-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 70V 2A 1000mW 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN26070CV-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 70V 2A SOT666 Power - Max: 600 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: SOT-666 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN26070CV-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 70V NPN Low SAT 2A Ic 5A Peak 130mOh | на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4000ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Trans SOT89 T&R 1K | на замовлення 1857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4000ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 150mV Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 46953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4000ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 1A SOT89-3 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 150mV Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 46000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4002ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-89-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 200mV Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4002ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4002ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Trans SOT89 T&R 1K | на замовлення 665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4002ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-89-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 200mV Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 23027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4002ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4002ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4004FGWQ-13 | Diodes Incorporated | Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4004K | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 3.8 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 3.8W; DPAK,TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 1A Power dissipation: 3.8W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Quantity in set/package: 2500pcs. Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | на замовлення 1722 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN4004KQTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 150V NPN LED Driver HFE 100 VCE 0.25V | на замовлення 6689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | Diodes Inc./Zetex | TRANS NPN 150V 1A TO252 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 3.8 W | на замовлення 3941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN4004KQTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4004KQTC-52 | Diodes Incorporated | Description: Transistor LED Driver TO252 T&R Power - Max: 3.8 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN4004KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 8851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | Diodes | TRANS NPN 150V 1A TO-252-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN4004KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.8W euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 8851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 3.8 W | на замовлення 17552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 379 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 3.8W; DPAK,TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 1A Power dissipation: 3.8W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Quantity in set/package: 2500pcs. Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Transistor LED Drive TO252 T&R 2.5K | на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4004KTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 3.8 W | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4004ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 2 W | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4004ZQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT LED Driver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4004ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 150V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4004ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 150V LED Driver 150mA 0.25V VCE | на замовлення 511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4004ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A SOT89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4004ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A SOT89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4006ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4006ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4006ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4006ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN4006ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4006ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 225 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4006ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4006ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 200V 1A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 320mV Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 17205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4006ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4006ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4006ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN4006ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4006ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Trans SOT89 T&R 1K | на замовлення 95138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4006ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4006ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 200V 1A SOT-89-3 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 320mV Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4006ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 200V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4240F-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 2A SOT-23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 730 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4240F-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 2A 730mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4240F-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transistor SOT23 T&R 3K | на замовлення 6668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN4240F-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 2A 730mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4240F-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN4240F-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 730 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4240F-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 2A 730mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4240F-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 2A SOT-23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 730 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 70701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4240F-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 2A 730mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1353000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4240F-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN4240F-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 730 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4240F-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 2A 730mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4240FQ-7 | Diodes Zetex | ZXTN4240FQ-7 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN4240FQ-7 | Diodes Incorporated | SS Mid-Perf Transistor SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN5551FLQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 330 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN5551FLQTA | Diodes Zetex | ZXTN5551FLQTA | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN5551FLQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN5551FLQTA | Diodes Zetex | ZXTN5551FLQTA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN5551FLTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN5551FLTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN5551FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN5551FLTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN5551FLTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 160V 0.6A | на замовлення 14075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN5551FLTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN5551FLTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN5551FLTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 1487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN5551FLTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN5551FLTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN5551FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN5551FLTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 122 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN5551FLTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ZXTN5551FLTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

