Продукція > BSS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS138N L6433 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138N L6908 | Infineon Technologies | MOSFETs SIPMOS Sm-Signal Transistor 60V .23A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138N L7854 | Infineon Technologies | MOSFETs SIPMOS Sm-Signal Transistor 60V .23A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138N-CT | Analog Power Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 0.6A SOT-23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138N-E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138N-H6327 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS138N-H6327 Код товару: 127157
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS138N-L6327 | Infineon | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS138NH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NH6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS138NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NH6327XTSA2 Код товару: 160339
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS138NH6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS138NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NH6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NH6327XTSA2 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NH6433XTMA1 Код товару: 217244
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS138NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.18A Pulsed drain current: 0.92A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | на замовлення 59943 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NH6908XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NL6327 | INFINEON | 07+ | на замовлення 156010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138NL6327XT | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSS138NL6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138P | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138P | NXP | N-MOSFET 60V 360mA 1.6Ω 350mW Replacement: BSS138P,215; BSS138P.215; BSS138P NEXPERIA TBSS138p кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 40281 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1668000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1668000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | NXP | MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 420mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm | на замовлення 114588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | NXP | N-MOSFET 60V 360mA 1.6Ω 350mW Replacement: BSS138P,215; BSS138P.215; BSS138P NEXPERIA TBSS138p кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 99000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 688546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 339000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | Nexperia | MOSFETs BSS138P/SOT23/TO-236AB | на замовлення 10231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 Код товару: 196560
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 420mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm | на замовлення 114588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 68682 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | NXP | N-MOSFET 60V 360mA 1.6Ω 350mW Replacement: BSS138P,215; BSS138P.215; BSS138P NEXPERIA TBSS138p кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 8717 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1548000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138P,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 687000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS | TECH PUBLIC | Transistor Dual N-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 1,9Ohm; 300mA; 0,35W; -55°C~150°C; BSS138PS TBSS138PS TEC кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS | UMW | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT23-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PS | NXP | 2N-MOSFET 60V 0.32A 1.6Ω 420mW BSS138PS,115 BSS138PS NXP TBSS138ps кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1538 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PS | EVVO | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT-363 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS | NXP | 2N-MOSFET 60V 0.32A 1.6Ω 420mW BSS138PS,115 BSS138PS NXP TBSS138ps кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS | UMW | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT23-6 | на замовлення 1898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS | NXP | 2N-MOSFET 60V 0.32A 1.6Ω 420mW BSS138PS,115 BSS138PS NXP TBSS138ps кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS | EVVO | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT-363 | на замовлення 2949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 435000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 420mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138PS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 0.9 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 420mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 122337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.42W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A | на замовлення 44868 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | Nexperia | Mosfet Array 60V 320mA 420mW Surface Mount 6-TSSOP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 435000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 435000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 420mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138PS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 0.9 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 420mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 122337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 141 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | Nexperia | MOSFETs BSS138PS/SOT363/SC-88 | на замовлення 3402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 795000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PW | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138PW,115; BSS138W; BSS138W E6327; BSS138W E6433; BSS138W L6327; BSS138W L6433; BSS138WH6327XTSA1; BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-7-F; BSS138W-TP; BSS138WT106; BSS138PW кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PW | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PW | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 340mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138PW,115; BSS138W; BSS138W E6327; BSS138W E6433; BSS138W L6327; BSS138W L6433; BSS138WH6327XTSA1; BSS138WH6433XTMA1; BSS138W-7-F; BSS138W-TP; BSS138WT106; BSS138P кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP; BSS138PW,115 TBSS138pw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.32A Power dissipation: 0.26W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 325885 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2988000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | Nexperia | MOSFETs BSS138PW/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | Nexperia | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 320 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Rds = 1,6, Ugs(th) = 1,5 , Р, Вт = 0.26, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 44 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2988000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm | на замовлення 20109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP; BSS138PW,115 TBSS138pw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1725000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm | на замовлення 20109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | Nexperia | MOSFET N-CH 60 V 320 mA SC-70, SOT-323 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PW,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138PW.115 Код товару: 184059
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS138PW.115 | NXP | BSS138PW.115 BSS138PW,115 MOSFET N-CH 60 V 320 mA SC-70, SOT-323 Транзистори | на замовлення 8 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138PW115 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BSS138PW - SMALL SI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138Q | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138Q-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

