Продукція > BSS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSS138KDWShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 200MA 6@4.5V 2 N-CHANNEL SOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138KS-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138KS-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138KT-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138KT-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET, SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138KT-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.25A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138KT-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET, SOT-523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138KT-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET, SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8 pF @ 25 V
на замовлення 7678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.60 грн
28+10.97 грн
100+6.84 грн
500+4.72 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138KV-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138KV-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS138KV-TP - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 204 mA, 3.3 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.91 грн
1000+2.56 грн
5000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138KV-TPMicro Commercial ComponentsBSS138KV-TP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138KV-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS138KV-TP - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 204 mA, 3.3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 204mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.3ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 289mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+7.63 грн
185+4.36 грн
245+3.29 грн
500+2.91 грн
1000+2.56 грн
5000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138KV-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.82 грн
29+10.37 грн
100+6.45 грн
500+4.45 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.39 грн
60+12.59 грн
61+12.47 грн
62+11.89 грн
100+7.16 грн
250+6.81 грн
500+6.08 грн
1000+4.91 грн
3000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.75V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138L - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 7154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.88 грн
1500+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.61 грн
54+7.79 грн
70+5.99 грн
100+5.27 грн
250+4.42 грн
500+3.84 грн
1000+3.29 грн
3000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LonsemiMOSFETs FET 50V 35 OHM SOT23
на замовлення 544608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1765+8.01 грн
1782+7.94 грн
1995+7.09 грн
2468+5.53 грн
4323+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 1765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138L - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 7154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.64 грн
74+10.93 грн
113+7.12 грн
500+4.88 грн
1500+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.75V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.82 грн
29+10.52 грн
100+6.56 грн
500+4.53 грн
1000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138L (SOT-23, ON Semiconductor)
Код товару: 170471
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LTonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1onsemiMOSFETs 50V 200mA N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1ONSOT23
на замовлення 48116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1635000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4546+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 4546 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 105610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.16 грн
500+6.29 грн
1500+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.64 грн
33+12.93 грн
41+10.35 грн
50+8.69 грн
100+7.29 грн
500+5.01 грн
1000+4.34 грн
3000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 15694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
25+12.31 грн
100+7.69 грн
500+5.33 грн
1000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1GOn SemiconductorN-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1328+10.65 грн
1341+10.55 грн
1808+7.83 грн
2028+6.73 грн
3219+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 1328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1635000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1GonsemiMOSFETs 50V 200mA N-Channel
на замовлення 336832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.59 грн
45+16.97 грн
47+16.07 грн
100+10.27 грн
250+9.42 грн
500+6.71 грн
1000+5.98 грн
3000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 105610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.35 грн
69+11.65 грн
100+9.16 грн
500+6.29 грн
1500+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 15563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.06 грн
6000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1GON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 200 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 пФ @ 25 В, Rds = 3.5 Ом @ 200 мА, 5 В, Ugs(th) = 1.5 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Без свинцю,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 218 Од. ви
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.70 грн
6000+5.54 грн
12000+5.41 грн
27000+5.11 грн
51000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1G (SOT-23, ON)
Код товару: 28421
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 50 V
Струм стоку Idd, A: 0,200 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 40/
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+3.50 грн
100+3.10 грн
1000+2.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1G-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 115mA; 300mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138LT1G-CN CHIPNOBO
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1G-ESElecSuperTranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138LT1G-ES; BSS138NH6327-ES; ESBSS138LT1G; BSS138-13-F-ES; BSS138; BSS138-TP-ES; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; B
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 691 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 691 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT1G/J1ONSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3GON SEMICONDUCTORMOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
12+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3GonsemiMOSFETs 50V 200mA N-Channel
на замовлення 165639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138LT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.75V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 49685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.81 грн
63+12.78 грн
104+7.76 грн
500+5.34 грн
1000+3.88 грн
5000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3G
Код товару: 211590
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 115500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2809+5.04 грн
5000+4.55 грн
10000+4.41 грн
30000+3.96 грн
50000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 2809 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3GOn SemiconductorN-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.75V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138LT7GON SemiconductorMOSFET NFET SOT23 50V 200MA 3.5O
на замовлення 10470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NInfineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 230 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 41 @ 25, Qg, нКл = 1.4 @ 10 В, Rds = 3.5 Ом @ 230 мА, 10 В, Ugs(th) = 1.4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,36, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NAnalog Power Inc.Description: DIODE SIL SIC 60V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.75V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.09 грн
6000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N
Код товару: 74147
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N E6433Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N E6908Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N E6908Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N E7854Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N E7854Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N E8004Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N E8004Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
на замовлення 175842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N H6327Infineon
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N H6433Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
на замовлення 107983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N L6433Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N L6908Infineon TechnologiesMOSFETs SIPMOS Sm-Signal Transistor 60V .23A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N L7854Infineon TechnologiesMOSFETs SIPMOS Sm-Signal Transistor 60V .23A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N-CTAnalog Power Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 0.6A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.30 грн
12+26.64 грн
100+13.01 грн
500+10.18 грн
1000+7.07 грн
3000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N-E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N-H6327
Код товару: 127157
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N-H6327Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138N-L6327Infineon
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2
Код товару: 160339
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
940+15.05 грн
1528+9.26 грн
2025+6.99 грн
2294+5.95 грн
3000+4.38 грн
6000+3.73 грн
9000+3.11 грн
15000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 940 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 5419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.07 грн
40+10.61 грн
58+7.18 грн
100+5.98 грн
500+3.98 грн
1000+3.52 грн
3000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 28395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.48 грн
51+15.05 грн
100+9.26 грн
500+6.74 грн
1000+5.51 грн
3000+4.20 грн
6000+3.73 грн
9000+3.11 грн
15000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS138NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 270633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.25 грн
250+7.98 грн
1000+4.54 грн
9000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
у наявності 31395 шт:
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS138NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 270633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.81 грн
72+11.25 грн
250+7.98 грн
1000+4.54 грн
9000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS138NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+21.54 грн
61+13.18 грн
100+8.28 грн
500+5.67 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
878+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 878 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
907+15.60 грн
1422+9.95 грн
1974+7.17 грн
2476+5.51 грн
2505+5.04 грн
5000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 907 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
23+13.43 грн
100+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS138NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.28 грн
500+5.67 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1
Код товару: 217244
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 33  [ Наступна Сторінка >> ]