Продукція > FDP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDPF51N25RDTU | onsemi | MOSFETs UniFET 250V | на замовлення 623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF51N25RDTU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F (LG-Formed) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF51N25RDTU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF51N25RDTU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 51A Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF51N25YDTU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Packaging: Bulk | на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF51N25YDTU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | на замовлення 867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF51N25YDTU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF51N25YDTU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF51N25YDTU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | на замовлення 867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF51N25YDTU | onsemi | MOSFETs 250V 28A N-CH UNIFET | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF51N25YDTU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF52N20T | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO220F Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF52N20T | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF55N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF55N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF55N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPF55N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF55N06 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 | на замовлення 99748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF55N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF55N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF55N06 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34.8A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.22Ω Pulsed drain current: 220A Kind of package: tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF55N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V | на замовлення 4484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF55N06 | onsemi | MOSFETs 60V 55A N-Chan UniFET MOSFET | на замовлення 9666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50FT | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50FT | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 58950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50FT | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50FT | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel | на замовлення 659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50FT | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50FT | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50FT | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50FT | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPF5N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: UniFET FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 58950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 72771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZ | onsemi / Fairchild | MOSFET UniFET2 500V N-chan | на замовлення 772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 407640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZ | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Packaging: Bulk | на замовлення 412929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPF5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 50600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 19200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50NZF | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V | на замовлення 551340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPF5N50NZF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.2 A, 1.57 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 4.2 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 30 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.57 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.57 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50NZF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 316696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 7685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZF | onsemi | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 8685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 228000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50NZF | onsemi | MOSFETs 500V N-Channel UniFET-II | на замовлення 616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50NZF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.95A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZU | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel UniFET-II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50NZU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50NZU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.95A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50NZU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50T | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50T | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 8954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50T | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50T | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V | на замовлення 55864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50T | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50T | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPF5N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 28W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm | на замовлення 766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50T | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 38855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50T | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 6055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50T | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel | на замовлення 1197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50TYDTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPF5N50TYDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 51180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 605 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50TYDTU | ON Semiconductor | FDPF5N50TYDTU | на замовлення 51180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50TYDTU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F (LG-Formed) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 51180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50UT | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 4520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50UT | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 17120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50UT | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50UT | onsemi | MOSFETs 500V N-Channel FRFET, Ultra FRFET | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50UT | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50UT | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V | на замовлення 7077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50UT | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPF5N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4 A, 1.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET Ultra FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 17282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50UTYDTU | ON Semiconductor | FDPF5N50UTYDTU | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50UTYDTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPF5N50UTYDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 49600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 526 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N50UTYDTU | ON Semiconductor | FDPF5N50UTYDTU | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50UTYDTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS MOSFET N-CH 500V 4A T/R Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 49600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N50UT_T | onsemi / Fairchild | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N60NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N60NZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V, N-Channel MOSFET, UniFET-II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N60NZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF5N60NZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF5N60NZ | onsemi | MOSFETs 600V, N-Channel MOSFET, UniFET-II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF680N10T | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPF680N10T - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 53188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF680N10T | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V | на замовлення 37584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF680N10T | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF680N10T | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF680N10T | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench | на замовлення 342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF6N60ZUT | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF6N60ZUT | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 600V 4.5A N-Chan FRFET UniFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF770N15A | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V NCHAN PwrTrench | на замовлення 1492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF770N15A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPF770N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.06 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 21 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 21 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF770N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 10A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF79N15 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 39.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF7N50 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V | на замовлення 265296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF7N50F | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDPF7N50F - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 472 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FDPF7N50F | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V | на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FDPF7N50U | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V | на замовлення 321595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

