Продукція > MUN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MUN5233DW1T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 5173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.48 грн
6000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 80...200
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.58 грн
32+13.17 грн
100+6.48 грн
500+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 14650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9147+3.87 грн
10274+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 9147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 8153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3165+4.47 грн
6000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+13.90 грн
100+8.66 грн
500+6.16 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1013+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 1013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
29+10.49 грн
100+6.53 грн
500+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5233T1 - MUN5233T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 146750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 310 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
на замовлення 146750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 6662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5301+2.67 грн
6000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 5301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 37272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20135+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 20135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.23 грн
6000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.67 грн
6000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5173+2.73 грн
9000+2.60 грн
27000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 5173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+15.05 грн
82+9.23 грн
90+8.47 грн
132+5.55 грн
250+4.89 грн
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+5.80 грн
500+4.29 грн
1000+3.60 грн
3000+2.80 грн
6000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2440+5.80 грн
3297+4.29 грн
3927+3.60 грн
4871+2.80 грн
6000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 2440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 113000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20135+1.75 грн
100000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 20135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 7052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
46+6.64 грн
100+4.13 грн
500+2.81 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 200
на замовлення 19924 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
59+7.13 грн
88+4.81 грн
105+4.03 грн
250+3.21 грн
500+2.73 грн
1000+2.35 грн
1500+2.16 грн
3000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5233T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, AEC-Q100, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5233T1G SC70-3ON-SemiconductorNPN 50V 100mA 202mW MUN5233T1G ON Semiconductor TMUN5233t1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234DW1T1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234DW1T1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 49470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
30+10.19 грн
100+6.31 грн
500+4.34 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234DW1T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
6000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5234T1 - MUN5234T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5234T1G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 34191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234T1GOn SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234T1GonsemiDescription: MUN5234 - NPN BIPOLAR DIGITAL TR
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11920+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 11920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5234T1G/BL3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235onsemi SS SC70 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1onsemi LESHANBE SS SC88 BR XSTR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 567000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 5323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5235DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 567000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.56 грн
6000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 5274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
993+14.25 грн
1603+8.83 грн
2187+6.47 грн
2484+5.49 грн
3178+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 993 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 41284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+9.06 грн
100+5.61 грн
500+3.85 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.187W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 140
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1GOn SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.11 грн
6000+2.68 грн
9000+2.52 грн
15000+2.19 грн
21000+2.09 грн
30000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3969+3.56 грн
6000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 3969 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5235DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T1GON SemiconductorТранзистор подвоєний цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, hFE = 80 @ 5 мА, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корп
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235DW1T2onsemiDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 26957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 106367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
43+7.09 грн
100+4.37 грн
500+2.97 грн
1000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 92770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7732+1.83 грн
7813+1.81 грн
9000+1.65 грн
15000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 7732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3081+4.59 грн
3457+4.09 грн
4386+3.22 грн
7143+1.91 грн
7282+1.73 грн
15000+1.64 грн
30000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3081 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 45018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+15.02 грн
83+9.15 грн
84+9.05 грн
163+4.47 грн
250+4.10 грн
500+3.51 грн
1000+2.76 грн
3000+1.70 грн
6000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 202 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.37 грн
6000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 92770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.83 грн
6000+1.81 грн
9000+1.65 грн
15000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10564+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 10564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5235T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.86 грн
6000+1.84 грн
9000+1.69 грн
15000+1.33 грн
21000+1.22 грн
30000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5236DW1T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
на замовлення 35900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2885+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 2885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5236DW1T1ON SemiconductorDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5236DW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5236DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5236DW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN5236DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 121000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5236DW1T1GON SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10051+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 10051 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5236DW1T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5236DW1T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5236DW1T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5236T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN5236T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 7212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]