Продукція > Si1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
Si124-PDTeledyne FLIRThermal Imaging Cameras Si124 Industrial Ultrasound Partial Discharge Imaging camera
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI125-220
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI125P06L-TPMicro Commercial Components (MCC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI127-220M
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1284-01ST
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI12C2 NPN NOAECO SRLПромислова автоматизація
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI13-0D
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-E3Vishay SiliconixSC-70-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300DL-T1VISHAYSOT-323
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1301DL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1301DL-T1SI00+ SOT-70
на замовлення 39999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DLVISHAY
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1VISHAY
на замовлення 128900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1 SOT323-KAVISHAY
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1302DL-T1-BE3 - MOSFET, N-CH, 30V, 0.6A, SC-70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3VishayMOSFETs SC70 N CHAN 30V
на замовлення 20643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
11+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI1302DL-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 0.48 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT323 N-CH 30V .6A
на замовлення 46004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI1302DL-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 0.48 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3 SOT323-KAM PB-FREEVISHAY
на замовлення 36200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+29.83 грн
666+21.25 грн
1000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.32 грн
16+27.68 грн
17+25.16 грн
100+16.61 грн
500+11.82 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
11+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.48 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1302DL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.48 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 280mW
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SC70-3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1SOT323-KA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-TISI03+ SOT-23
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DWFVishaySI1302 (TNHM30) DIE IN WAFER FORM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303DLVISHAY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303DL-T1VISHAY
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303DL-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI1403CDL-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303DL-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI1403CDL-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303DL-T1-E3VISHAY
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303DL-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI1403CDL-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303DL-T3Vishay / SiliconixMOSFET 2.5V P-CH (G-S) TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303DL-T3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303EDL-T1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 0.72A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303EDL-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303EDL-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 0.72A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 670mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303EDL-T3Vishay / SiliconixMOSFET 20V P-CH, 2.5V RATED TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL
Код товару: 162688
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SOD-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.57 грн
100+9.13 грн
500+6.37 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL-T1-E3Vishay SiliconixSC-70 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI1308EDL-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL-T1-E3
на замовлення 932 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304DLVISHAY
на замовлення 12200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304DL-T1VISHAYSOT-323
на замовлення 13721 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304DL-T1-E3VISHAY05NOPB
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304DL-T1/
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304DL-T1/K8S
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305VISHAY06+ SOT-323
на замовлення 39333 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305DLVISHAY09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305DL-TVISHAY2004
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305DL-T1VISHAYSOT-323
на замовлення 27540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305DL-T1-E3VISHAYSOT323
на замовлення 20900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305DL-T1/LBOVISHAY
на замовлення 102200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305DL-TI-E3
на замовлення 902 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305EDL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305EDL-T1SI
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305EDL-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305EDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305EDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305LT-T1-E3
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305SL-T1
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1306DL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.