Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 129 130 131 132 133 134
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.64 грн
169+83.73 грн
250+80.37 грн
500+74.70 грн
1000+66.91 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586D3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 5A; 10W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 5A
Power dissipation: 10W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 120...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.43 грн
10+61.84 грн
100+41.84 грн
250+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A LPTL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LPTL
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.92 грн
160+88.52 грн
184+76.89 грн
200+70.79 грн
500+65.34 грн
1000+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLLROHMDescription: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 40W TO-263AB
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLLROHMDescription: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JFRGTLLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: LPTL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.03 грн
10+129.46 грн
100+89.20 грн
500+67.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-263AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.65 грн
10+123.36 грн
100+84.60 грн
500+63.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR 80V, 5A, TO-263AB NPN
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 5A TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-263AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.31 грн
127+111.56 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLLROHMDescription: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR586JGTLLROHMDescription: ROHM - 2SCR586JGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR587D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.93 грн
10+65.82 грн
100+43.73 грн
500+32.14 грн
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+51.77 грн
284+49.69 грн
500+47.91 грн
1000+44.69 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+107.75 грн
189+74.86 грн
210+67.28 грн
237+57.44 грн
274+46.05 грн
306+39.60 грн
500+34.88 грн
1000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3FRATLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3FRATLROHMDescription: ROHM - 2SCR587D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3FRATLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor for Automotive
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3FRATLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.34 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+138.30 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.41 грн
10+96.47 грн
100+65.36 грн
500+48.83 грн
1000+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.48 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+138.30 грн
Мінімальне замовлення: 129 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR587D3TL1ROHMDescription: ROHM - 2SCR587D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR642PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR642PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR642PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR642PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR642PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR642PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT-89 NPN 30V 10A AUTO
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR642PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CHZGT116Rohm SemiconductorDescription: HIGH-VOLTAGE AMPLIFIER TRANSISTO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CHZGT116ROHMDescription: ROHM - 2SCRC41CHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CHZGT116ROHMDescription: ROHM - 2SCRC41CHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CHZGT116RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.05A SST3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.27 грн
11+29.30 грн
100+18.74 грн
500+13.33 грн
1000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CHZGT116RRohm Semiconductor2SCRC41CHZGT116R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1080+13.08 грн
1116+12.65 грн
2500+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 1080 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CHZGT116RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT High-voltage Amplifier Transistor (120V, 50mA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CHZGT116RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.05A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CHZGT116SROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT -120V, -50mA H. Volt Amplifier
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CHZGT116SRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.05A SST3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.27 грн
11+29.30 грн
100+18.74 грн
500+13.33 грн
1000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CHZGT116SRohm Semiconductor2SCRC41CHZGT116S
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+36.25 грн
614+22.98 грн
819+17.24 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CHZGT116SRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.05A SST3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CHZGT116SRohm Semiconductor2SCRC41CHZGT116S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+22.47 грн
690+20.46 грн
806+17.53 грн
1000+15.99 грн
2000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CT116ROHMDescription: ROHM - 2SCRC41CT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CT116ROHMDescription: ROHM - 2SCRC41CT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 50 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CT116RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.05A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CT116RRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 0.05A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+20.20 грн
725+19.47 грн
1000+18.83 грн
2500+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CT116RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.05A SST3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.28 грн
13+23.27 грн
100+13.96 грн
500+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CT116RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT High-voltage Amplifier Transistor (120V, 50mA)
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CT116SRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CT116SROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT -120V, -50mA H. Volt Amplifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCRC41CT116SRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.67 грн
13+24.10 грн
100+15.30 грн
500+10.81 грн
1000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 129 130 131 132 133 134