Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFI744GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.05 грн
500+164.64 грн
1000+156.41 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 86A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFI7536GPBF - IRFI7536 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+302.00 грн
74+192.86 грн
100+156.17 грн
500+140.62 грн
1000+115.08 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.53 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 86A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+128.77 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI820GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.56 грн
13+59.44 грн
100+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830BTUFairchild SemiconductorIRFI830BTU
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
918+30.75 грн
1000+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 918 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GN-CH 500 V 3.1 A 1.5 Om to-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830G
Код товару: 77935
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 3,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 610/38
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+46.50 грн
10+41.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GSiliconixN-MOSFET 500V 3.1A 35W IRFI830G Vishay TIRFI830g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.91 грн
94+151.47 грн
100+143.57 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.13 грн
178+79.33 грн
500+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.36 грн
10+103.78 грн
100+71.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI830GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.1 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.06 грн
10+87.41 грн
100+79.58 грн
500+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Power dissipation: 35W
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.37 грн
10+92.05 грн
50+82.00 грн
100+76.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840IOR96 TO220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 13732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFI840BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 782 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840BTUON SemiconductorIRFI840BTU
на замовлення 13732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.32 грн
1000+52.86 грн
10000+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=500V, Id=4.5A@T=25C, Id=2.9A@T=100C, Rds=0.85R, P=40W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220FULLPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GSiliconixN-MOSFET 4.6A 500V 40W 0.85Ω IRFI840 TIRFI840
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+71.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840G
Код товару: 216946
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840G Pbf(MFET,LC,N-CH,TO-220ISO) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCTO220-ISO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCSiliconixN-MOSFET 500V 4.5A 40W IRFI840GLC Vishay TIRFI840glc
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.10 грн
100+156.67 грн
500+138.02 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.70 грн
10+194.63 грн
100+154.71 грн
500+131.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.13 грн
10+107.94 грн
50+99.58 грн
100+95.39 грн
500+83.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBF
Код товару: 178489
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+193.62 грн
80+177.81 грн
100+169.91 грн
500+144.79 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI840GLCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+228.89 грн
10+138.07 грн
50+112.97 грн
100+103.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 4.6A N-CH MOSFET
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.15 грн
10+198.73 грн
100+150.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBF
Код товару: 116730
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+248.94 грн
70+202.84 грн
100+187.03 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI840GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.6 A, 0.85 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.28 грн
50+176.75 грн
100+160.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+367.14 грн
72+197.64 грн
100+149.55 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBFVishay(MFET,LC,N-CH,TO-220ISO) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.04 грн
10+177.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GVishayP-MOSFET 100V 5.2A 37W IRFI9520G Vishay TIRFI9520g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.83 грн
137+103.08 грн
500+94.26 грн
1000+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.69 грн
41+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+96.69 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.15 грн
50+115.12 грн
100+103.93 грн
500+79.12 грн
1000+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 5.2A P-CH MOSFET
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+120.03 грн
500+118.93 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.58 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI9520GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.2 A, 0.6 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520NVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI9530GPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GVishayP-MOSFET 7.7A 100V 42W 0.3Ω IRFI9530G TIRFI9530
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+127.85 грн
300+116.83 грн
450+108.70 грн
600+98.86 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+231.04 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.67 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.46 грн
2000+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+98.66 грн
145+97.82 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI9530GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Power dissipation: 42W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.02 грн
5+119.66 грн
10+89.54 грн
25+62.76 грн
50+57.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.55 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 7.7A P-CH MOSFET
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]