Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFI734GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740BTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740G
Код товару: 77936
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Idd, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,55 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1370/66
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
  • 9 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GSiliconixN-MOSFET 5.7A 400V 40W 0.55Ω IRFI740G TIRF740 iso
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.4A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI740GLCPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 5.7A N-CH MOSFET
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.7A; Idm: 23A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 23A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.32 грн
10+82.73 грн
100+80.86 грн
1000+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI740GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 5.4 A, 0.55 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.64 грн
165+85.77 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBFIRFI740GPBF Микросхемы Общие, Прочие
на замовлення 102 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.03 грн
50+139.01 грн
100+125.98 грн
500+96.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.74 грн
5+133.75 грн
10+114.28 грн
50+71.11 грн
100+66.03 грн
500+62.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.30 грн
121+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 11370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 5.4A N-CH MOSFET
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 11380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.17 грн
10+174.36 грн
100+158.40 грн
1000+151.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 6,5 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1370 @ 25, Qg, нКл = 66 @ 10 В, Rds = 550 мОм @ 3,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.32 грн
171+82.73 грн
175+80.86 грн
1000+76.90 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7440GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7440GPBFInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7440GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+93.27 грн
500+83.95 грн
1000+77.42 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7440GPBFInternational RectifierDescription: IRFI7440 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4549 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7446GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3199 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 40.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+64.36 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7446GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7446GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3199 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 40.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7446GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFI7446GPBF - IRFI7446GP 12V-300V N-CHANNEL POWER MOS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7446GPBF
Код товару: 172384
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7446GPBFInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7446GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.30 грн
500+110.07 грн
1000+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI744GN-CH 450 V 4.9 A 0.63 A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI744GIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI744GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI744GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+174.05 грн
500+164.64 грн
1000+156.41 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFI7536GPBF - IRFI7536 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 86A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+134.90 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+302.00 грн
74+192.86 грн
100+156.17 грн
500+140.62 грн
1000+115.08 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.53 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 86A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI7536GPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.56 грн
13+59.44 грн
100+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI820GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830BTUFairchild SemiconductorIRFI830BTU
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
918+30.75 грн
1000+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 918 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GN-CH 500 V 3.1 A 1.5 Om to-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830G
Код товару: 77935
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 3,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 610/38
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+46.50 грн
10+41.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GSiliconixN-MOSFET 500V 3.1A 35W IRFI830G Vishay TIRFI830g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
10+104.98 грн
100+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+87.13 грн
178+79.33 грн
500+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI830GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.1 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.06 грн
10+87.41 грн
100+79.58 грн
500+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.91 грн
94+151.47 грн
100+143.57 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Power dissipation: 35W
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.92 грн
10+93.12 грн
50+82.96 грн
100+77.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840IOR96 TO220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840BTUONSEMIDescription: ONSEMI - IRFI840BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 782 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840BTUON SemiconductorIRFI840BTU
на замовлення 13732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.32 грн
1000+52.86 грн
10000+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840BTUFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 13732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=500V, Id=4.5A@T=25C, Id=2.9A@T=100C, Rds=0.85R, P=40W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220FULLPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GSiliconixN-MOSFET 4.6A 500V 40W 0.85Ω IRFI840 TIRFI840
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+71.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840G
Код товару: 216946
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840G Pbf(MFET,LC,N-CH,TO-220ISO) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCTO220-ISO Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCSiliconixN-MOSFET 500V 4.5A 40W IRFI840GLC Vishay TIRFI840glc
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.57 грн
10+198.49 грн
100+157.79 грн
500+134.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.93 грн
79+179.13 грн
100+171.23 грн
500+146.06 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+314.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBF
Код товару: 178489
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.24 грн
10+109.20 грн
50+100.73 грн
100+96.50 грн
500+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI840GLCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+198.46 грн
100+157.77 грн
500+138.99 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.97 грн
10+182.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 4.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.61 грн
10+228.33 грн
50+178.38 грн
100+152.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]