Продукція > BCR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCR158 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR158 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR158E6327 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR158E6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR158E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 1035 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR158E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR158E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR158E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR158E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR158E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR158E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR158E6327HTSA1 | Infineon | PNP 50V 100mA 200mW BCR158E6327 BCR158E6327HTSA1 BCR158 INF TBCR158 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 640 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR158F | infinen | SOT523 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR158F/DTA123JM | INFINEON | 09+ | на замовлення 72018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR158T/DTA123JE | INFINEON | 09+ | на замовлення 51018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR158W | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1875 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR158WE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR158WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR158WH6327 | Infineon | PNP 50V 100mA 200MHz 250mW BCR158WH6327XTSA1 BCR158WH6327 Infineon TBCR158w кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR158WH6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR158WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR158WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR158WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 179934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR158WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR158WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR158WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR16000FKAHWS | Vishay | Res Thin Film 0202 160 Ohm 1% 0.25W(1/4W) ±100ppm/°C Pad SMD Waffle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR16000JRAHWS | Vishay | Res Thin Film 0202 160 Ohm 5% 0.25W(1/4W) -250ppm/°C to 0ppm/°C Pad SMD Waffle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR1600BJMAHWS | Vishay Electro-Films | Description: BCR 5% +/-250PPM WS Power (Watts): 0.25W, 1/4W Tolerance: ±5% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Packaging: Tray Package / Case: 0202 (0505 Metric) Temperature Coefficient: ±250ppm/°C Size / Dimension: 0.020" L x 0.020" W (0.50mm x 0.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0202 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 16 Ohms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR162 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR162 | SM | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BCR162E6327 | Infineon | PNP 50V 100mA 200MHz 200mW BCR162E6327HTSA1 BCR162E6327 Infineon TBCR162 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR162E6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR162E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 4.7kΩ Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Base-emitter resistor: 4.7kΩ Case: SOT23 Frequency: 200MHz Collector current: 0.1A Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR162E6327HTSA1 - BCR162 - DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 448200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7118 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 37200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 712200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 135583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR162E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR162F/DTA143EM | INFINEON | 09+ | на замовлення 171018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR162L3 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR162T | INFINE | SOT25/ | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR162T E6327 | INFINEON | SOT23 | на замовлення 534 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR162TE6327 | INFINEON | 04+ | на замовлення 33010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR164T E6327 | INFINEON | SOT423-U6 PB-FRE | на замовлення 345000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR164TE6327SOT323-U6PB-FREE | INFINEON | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BCR164TE6327SOT423-U6PB-FREE | INFINEON | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BCR16500FKGHWS | Vishay Electro-Films | Description: BCR 1% +/-100PPM WS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR16502FRAHWS | Vishay Electro-Films | Description: BCR 1% +0/-250PPM WS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166 | Infineon Technologies | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166 Код товару: 55889
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BCR166 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR166 - BCR166 - DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166 E6359 | INFINEON | SOT23-WT | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166-E6327 | Infineon | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BCR166B6327HTLA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166E6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Type of transistor: PNP Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 47kΩ Base resistor: 4.7kΩ Frequency: 160MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT | на замовлення 36 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR166E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR166E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR166E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 391 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR166E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR166E6359SOT23-WT | INFINEON | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BCR166E6393HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 79000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR166E6393HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR166E6393HTSA1 - BCR166 - DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12659 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166E6393HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 103000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR166E6393HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 182000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR166E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR166E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR166E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR166E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166E6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR166E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 34368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BCR166E6433HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR166E6433HTMA1 - BCR166 - DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 34368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7118 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166W | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8893 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166W | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR166W - BCR166 - DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5893 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCR166W | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |