Продукція > JAN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANS2N5005 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5151 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5151 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/545 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5151L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A TO5 Qualification: MIL-PRF-19500/545 Grade: Military Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5151L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5151U3 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.16 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5151U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5152 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5152L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5153 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5153 | Microsemi | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5153 | Semicoa Semiconductors | Trans GP BJT PNP 80V 2A 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5153 | Microsemi | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5153 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/545 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5153 | Microsemi | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Tray | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| JANS2N5153L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/545 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5153L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Long-Lead Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5153L | Microsemi | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5153U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Low Profile CER Power BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5153U3 | Microsemi | Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| JANS2N5153U3 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A U3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.16 W Qualification: MIL-PRF-19500/545 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5153U3/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Low Profile CER Power BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5154 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5154 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 2A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/544 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5154L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 2A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/544 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5154L | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5154L | Semicoa Semiconductors | NPN Bipolar junction transistor 80V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5154L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5154U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 1MW NPN Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5154U3 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 2A U3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/544 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5154U3/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 1MW NPN Power BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5154U3/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 2A U3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/544 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5237S | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/394 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5339 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 100V 100UA TO39 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 µA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5339 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5339U3 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 100V 5A SMD5 Qualification: MIL-PRF-19500/560 Grade: Military Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: SMD5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-SMD Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5339U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5339U3/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 100V 5A SMD5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-SMD Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Supplier Device Package: SMD5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5339U3/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5415 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 200V 1A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 750 mW Qualification: MIL-PRF-19500/485 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5415S | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 200V 1A TO39 Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5415U4 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 200V 50UA U4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5415UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5415UA | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 200V 1A TO-5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5415UA/TR | Microchip Technology | PNP Silicon Low-power Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5415UA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5415UA/TR | Microchip Technology | PNP Silicon Low-power Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5416 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 300V 1A TO-39 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5416S | Microchip Technology | Description: PNP TRANSISTOR Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Packaging: Bulk DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Qualification: MIL-PRF-19500/485 Grade: Military Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5416U4 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 300 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5416U4 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 300V 1A U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: U4 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/485 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5416U4/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 300V 1A U4 Qualification: MIL-PRF-19500/485 Grade: Military Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: U4 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5416UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 300 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5416UA | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 300V 1A UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Qualification: MIL-PRF-19500/485 Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: UA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5416UA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 300V 1A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 750 mW Qualification: MIL-PRF-19500/485 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5665 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 5A TO-66 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5665 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5665 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5666 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5666U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5666U3 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 200V 5A TO-66 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5667 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 300V 5A 1.2W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5667 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS NPN 300V 5A TO-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5667S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 300V 5A 1.2W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5667S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5667U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794U | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794U | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794U/TR | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794UC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794UC | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794UC/TR | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5794UC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5795 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5795A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5796A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5796U | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N5796UC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6193 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 100V 5A 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6193 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 100V 5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/561 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6193 | Microchip / Microsemi | MOSFETs Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6193U3 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 100V 5A TO-39 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6193U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6249T1 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 200V 10A TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6250T1 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 275V 10A TO-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6251 | Microchip / Microsemi | Microchip Technology | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6251T1 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 350V 10A TO254AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6676 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 15A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 6 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6676T1 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 15A TO254 Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-254 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6678 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 400V 15A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 6 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6678T1 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 400V 15A TO254 Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-254 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6849 | Microchip / Microsemi | MOSFET P Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6849 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6987 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6987 | Microchip Technology | Description: PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-116 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/558 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| Jans2N6987/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6987U | Microchip Technology | Description: PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/558 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6987U | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANS2N6988 | Microchip Technology | Description: PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 4 PNP (Quad) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 400mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-116 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/558 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |