Продукція > 2N7
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N7002KW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KW-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 200mW; SOT323; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 1880 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002KWA-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002KWA-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KWA-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KWA-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2N7002KWA-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 2.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KWA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs 340mA 200mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KWA-TP | Micro Computer Control | 2N7002KWA-TP | на замовлення 387000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002KWBQ-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 416mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002KWBQ-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,SOT-323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KWBQ-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KWBQ-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 416mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002KWHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs DMOS TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KWHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KWHE3-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2N7002KWHE3-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 2.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KWHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002KWHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KWQ | YY | N-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C; 2N7002KW-Q Yangzhou Yangjie Elec. T2N7002KW-Q YY кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1240 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002KWS-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-323S Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 290mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002KWS-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KWS-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-323S T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KWS-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-323S Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 290mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002KW_R1_00001 | Panjit | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | на замовлення 23649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KW_R1_00001 | PanJit | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KW_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: SOT-323, MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002KW_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Case: SOT323 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KW_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: SOT-323, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V | на замовлення 14761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002KW_R1_000A2 | Panjit | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KW_R1_10001 | Panjit | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KW_R2_00001 | Panjit | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KW_R2_000A2 | Panjit | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KW_R2_10001 | Panjit | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002KX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002K_R1_00001 | PanJit | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002K_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002K_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 2A | на замовлення 2575 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002K_R1_00001 | PANJIT | N-Channel 60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002K_R1_00001 | PanJit | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2041 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002K_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V | на замовлення 11045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002K_R1_00001 | Panjit | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002K_R1_00001 | PanJit | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002K_R1_00501 | Panjit | MOSFETs Small signal MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002K_R1_10001 | Panjit | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002K_R2_00001 | Panjit | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002K_R2_00001 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Case: SOT23 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002K_R2_10001 | Panjit | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 67 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002L | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 22135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 233 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 34210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2N7002L productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm | на замовлення 93910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 38365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 233 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 38365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2N7002L productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm | на замовлення 93910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002L6327 | INFINEON | SOT-23 0827+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT23-PO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002LDBVR | Texas Instruments | MOSFETs N-channel 5V enhance ment mode field effe | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002LDBZR | Texas Instruments | Description: N-CHANNEL 5V ENHANCEMENT MODE FI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002LDBZR | Texas Instruments | MOSFETs N-channel 5V enhance ment mode field effe | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002LDBZR | Texas Instruments | Description: N-CHANNEL 5V ENHANCEMENT MODE FI | на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1 | On Semiconductor | N-кан. MOSFET 60V, 0.115A, 0.20Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1 Код товару: 9916
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 0,115 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7,5 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1 | onsemi | MOSFETs 60V 115mA N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1 SOT23-702 | ON | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002LT1(702) | на замовлення 180000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm | на замовлення 539109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | On Semiconductor | N-кан. MOSFET 60V, 0.115A, 0.20Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 47950 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 534240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 513000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | onsemi | MOSFETs 60V 115mA N-Channel | на замовлення 81047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | ON Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 7,5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm | на замовлення 539109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G Код товару: 127379
2
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 0,115 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7,5 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 50/ Монтаж: SMD | у наявності: 4600 шт
|
| ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 534250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G | ON-Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R) 2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR T2N7002 ONS кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 5395 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002LT1G/702 | ON | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7002LT1H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

