Продукція > 2SD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1615-T2 | NEC | SOT89 | на замовлення 7362 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1615-T2-AZ | NEC | SOT89 | на замовлення 641 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1615A | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1616 | Toshiba | TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1616 Код товару: 214221
Додати до обраних
Обраний товар
| SJ | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 Гранична частота fT: 100 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 120 В Струм колектора Ic, А: 1 А Коефіцієнт передачі струму h21: 600 Монтаж: THT | у наявності: 80 шт
|
| ||||||||
| 2SD1616 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1616 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 32136
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 Гранична частота fT: 160 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В Струм колектора Ic, А: 1 А Коефіцієнт передачі струму h21: 600 Монтаж: THT | у наявності: 9 шт
|
| ||||||||
| 2SD1616A | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1616A | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1616A-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1616A-T-AZ | Renesas Electronics Corporation | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 749200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1616A-T-AZ | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1616A-T-AZ | Renesas | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 709500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1616A-T-AZ | Renesas | Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 39700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1617 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1618 | KEXIN | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1618 | onsemi | onsemi BIP NPN 0.7A 15V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1618S-TD-E | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1618S-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 15V 0.7A SOT89-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1618T-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1618T-TD-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 154850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1618T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1618T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1618T-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 15V 0.7A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1618T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 9850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1618T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 37000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1618T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1618T-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 15V 0.7A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Bulk | на замовлення 154850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1618T-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V | на замовлення 4463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1618T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 61000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1619 | Sanyo | LF Amp,Electronic Governor Applications Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1619 | KEXIN | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1619S-TD | SANYO | на замовлення 174000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SD1619T-TD | SANYO | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SD1619T-TD-E | ON Semiconductor | 2SD1619T-TD-E | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1619T-TD-E | On Semiconductor | LF Amp,Electronic Governor Applications Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1619T-TD-E | FAIRCHILD | 2SD1619T-TD-E | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1619T-TD-E | onsemi | Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1619T-TD-E | ON Semiconductor | 2SD1619T-TD-E | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1619T-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1619T-TD-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1619T-TD-E | Sanyo Electric | 2SD1619T-TD-E | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1619T-TD-E | FAIRCHILD | 2SD1619T-TD-E | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1619T-TD-E-FS | Fairchild Semiconductor | Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk | на замовлення 46000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1619T-TD-E-SY | Sanyo | Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD162 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1620 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1620 | onsemi | onsemi BIP NPN 3A 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1620-TD | SANYO | 09+ | на замовлення 109018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1620-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 10V | на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1620-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 10V 3A PCP Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1620-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1620-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1620-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 10V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1620-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 10V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1620-TD-E | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 10V; 3A; 0.5W; SOT89 Case: SOT89 Mounting: SMD Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Collector current: 3A Collector-emitter voltage: 10V Current gain: 140 Frequency: 200MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1620-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 10V 3A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1621 | SANYO | 05+ SOT-89 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1621S-TD-E | SANYO | SOT89 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1621S-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 2A 1300mW | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1621T-TD | SANYO | SOT89 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1621T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) PCP | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1621T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) PCP | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1621T-TD-E | SANYO | SOT89-DD PB-FREE | на замовлення 122000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1621T-TD-E | onsemi | Description: BIP NPN 2A 25V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1621T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) PCP | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1621T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) PCP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1621T-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1621T-TD-E - 2SD1621 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 2A 25V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1621T-TD-E SOT89-DD P | SANYO | на замовлення 121000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SD1621T-TD-ESOT89-DDPB-FREE | SANYO | на замовлення 122000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SD1621T-TL | SAYNO | SOT89 | на замовлення 3860 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1622 | KEXIN | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1622S-TD-E | SANYO | SOT353 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1622S-TD-E | ON Semiconductor | 2SD1622S-TD-E | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1622S-TD-E | onsemi | Description: BIP NPN 1A 50V Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1622T-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1622T-TD-E - 2SD1622 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 1A 50V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1622T-TD-E | ON Semiconductor | 2SD1622T-TD-E | на замовлення 75769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1622T-TD-E | onsemi | Description: BIP NPN 1A 50V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 75769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1623 | onsemi | BIP NPN 2A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623 | ROHM | 09+ | на замовлення 28018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623(транзистор) Код товару: 88717
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SD1623-S | KESENES | 09+ | на замовлення 934860 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623-S(DF/S2N) | на замовлення 69135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1623-S(DF/S3N) | на замовлення 36990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1623-S/2SD1898 | SANYO | SOT-89 05+ | на замовлення 20100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623-T(DF/T3N) | на замовлення 128000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1623-T(DF/T3S) | на замовлення 135994 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SD1623-TD-E | SANYO | SOT89 | на замовлення 890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623R | ROHM | 09+ | на замовлення 13018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623S-TD | SANYO | SOT89 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623S-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623S-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V | на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623S-TD-E | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89 Case: SOT89 Mounting: SMD Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 140...280 Frequency: 150MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623S-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623S-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1623S-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623S-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623T-TC | SANYO | 09+ SSOP32 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623T-TD | SANYO | SOT223 | на замовлення 19925 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623T-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SD1623T-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SD1623T-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 41900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

