НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7813+4.54 грн
10000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7813+4.54 грн
10000+4.05 грн
100000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.43 грн
41+7.33 грн
100+4.50 грн
500+3.07 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 10295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2253+6.29 грн
3152+4.50 грн
3624+3.91 грн
4492+3.04 грн
6494+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 2253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7813+4.54 грн
10000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7813+4.54 грн
10000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 18359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+7.90 грн
161+4.70 грн
163+4.64 грн
266+2.74 грн
269+2.51 грн
500+2.40 грн
1000+2.38 грн
3000+2.37 грн
6000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7813+4.54 грн
10000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 48603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7813+4.54 грн
10000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.31 грн
6000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7813+4.54 грн
10000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7813+4.54 грн
10000+4.05 грн
100000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 18359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4808+2.95 грн
4886+2.90 грн
4967+2.85 грн
5051+2.71 грн
6000+2.47 грн
15000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 4808 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 11586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 10295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+6.29 грн
500+4.50 грн
1000+3.91 грн
3000+3.04 грн
6000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Quantity in set/package: 3000pcs.
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Current gain: 80...150
Base-emitter resistor: 100kΩ
Base resistor: 100kΩ
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7813+4.54 грн
10000+4.05 грн
100000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 92990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7813+4.54 грн
10000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 7813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1461+9.71 грн
1510+9.39 грн
2500+9.12 грн
5000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 1461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 20MA
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 42080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
409+34.73 грн
509+27.88 грн
577+24.57 грн
1000+23.58 грн
2000+19.20 грн
3000+17.62 грн
6000+16.71 грн
24000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Current gain: 82
Base-emitter resistor: 100kΩ
Base resistor: 100kΩ
Frequency: 250MHz
Case: SC75A; SOT416
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKROME
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKAROHM07+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKAFSROHMSOT23
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 100MA
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 100kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Current gain: 82
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 100kΩ
Case: SC59; SOT346
Frequency: 250MHz
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.32 грн
50+8.48 грн
100+5.22 грн
500+3.80 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
30+10.02 грн
100+6.18 грн
500+4.25 грн
1000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EMROHMSMD
на замовлення 9407 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EM-TPMicro Commercial CoDescription: BIPOLAR TRANSISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EM-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EM3T5GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 12264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 9535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
30+10.02 грн
100+6.25 грн
500+4.30 грн
1000+3.79 грн
2000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 100kΩ
Quantity in set/package: 8000pcs.
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.6W
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Current gain: 80...150
Base-emitter resistor: 100kΩ
Base resistor: 100kΩ
Case: SOT723
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EMHZGT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-723, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive, suitable for inverter and interface, driver. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1342+10.57 грн
1387+10.22 грн
2500+9.92 грн
5000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 1342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EMT2LROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 100kΩ
Case: SOT723
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 100kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Base resistor: 100kΩ
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Current gain: 82
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors DGTL NPN 50V 20MA
на замовлення 6256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1342+10.57 грн
1387+10.22 грн
2500+9.92 грн
5000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 1342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
17+17.65 грн
100+11.11 грн
500+7.77 грн
1000+6.91 грн
2000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1342+10.57 грн
1387+10.22 грн
2500+9.92 грн
5000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 1342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
806+17.61 грн
811+17.48 грн
1081+13.12 грн
1210+11.30 грн
2000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 806 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ES
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUROHMSOT-323
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EU T106ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC115EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
24+12.56 грн
100+7.82 грн
500+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 20970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3425+4.14 грн
3522+4.03 грн
5000+3.91 грн
10000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC115EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EU3HZGT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 0.1A 4.7kO SOT-323
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EU3T106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
на замовлення 5661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
39+7.70 грн
100+4.73 грн
500+3.23 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUAROHM
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUA T106ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUA/2PROHM
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUAT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 20MA
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUAT106
Код товару: 85486
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1873+7.57 грн
1936+7.32 грн
2500+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 1873 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
22+14.13 грн
100+8.84 грн
500+6.13 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1363+10.40 грн
1624+8.73 грн
2000+7.23 грн
3000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 1363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUBTLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS-SS NPN SOT323 50V
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUT106
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EUT107
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GKROHM
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GKAROHMSOT-23
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.77 грн
57+5.31 грн
100+3.59 грн
500+2.55 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GKT146
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
24+12.56 грн
100+7.82 грн
500+5.41 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
926+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 926 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3HZGT106ROHM SemiconductorDigital Transistors Automotive NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) - DTC115GU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit withou
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3T106ROHMDescription: ROHM - DTC115GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115GU3T106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
на замовлення 9508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.