Продукція > IPP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP3SAD6ApemКрасный Клемники
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP3SAD8L0G101ApemPushbutton Switches PUSHBUTTON SWITCH FD DBLE ICON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP3Z1AD2X1172-68ApemApem
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NInfineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+876.90 грн
22+649.42 грн
50+614.06 грн
100+591.00 грн
200+545.11 грн
500+461.68 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1InfineonMOSFET N-CH TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1
Код товару: 177758
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+718.86 грн
25+434.05 грн
100+403.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+716.84 грн
33+432.83 грн
100+402.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP410N30NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+703.11 грн
5+664.91 грн
10+625.89 грн
50+412.87 грн
100+364.39 грн
250+357.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S3-16Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 45A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S3L-13Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 45A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S4-09Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3 OptiMOS-T2
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S409AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S409AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 545 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S409AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+75.21 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S409AKSA2Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S409AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S4L-08Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3 OptiMOS-T2
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S4L08AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S4L08AKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S4L08AKSA2Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45P03P4L-11Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -45A TO220-3 OptiMOS-P2
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45P03P4L11AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 45A TO220-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45P03P4L11AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP45P03P4L11AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 45 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 45
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS P2
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45P03P4L11AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP47N10S33AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP47N10SL-26Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 47A TO220-3 SIPMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP47N10SL26AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+52.17 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP47N10SL26AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP47N10SL26AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_100+
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50CN10NGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50N10S3L-16Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 50A TO220-3 OptiMOS-T
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50N10S3L16AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP50N10S3L16AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0131 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 50
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS T
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0131
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50N10S3L16AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50N10S3L16AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50N10S3L16AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.67 грн
10+99.21 грн
100+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50N12S3L15AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50N12S3L15AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 100+
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50N12S3LAKSA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS POWER-TRANSISTOR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 23A TO220-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPINFINEON09+ QFP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPHKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 23A TO220-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.75 грн
10+191.21 грн
100+178.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+367.54 грн
68+209.23 грн
100+191.60 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 188891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
10000+155.70 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+286.70 грн
74+192.52 грн
100+179.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+281.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.75 грн
10+225.97 грн
100+163.38 грн
500+122.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 23A TO220-3
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.71 грн
50+146.19 грн
100+132.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.54 грн
10+209.23 грн
100+191.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 18.5A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEInfineon TechnologiesDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEInfineon
на замовлення 113500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.26 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TIPP50r190ce
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+69.69 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+97.03 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.25 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.76 грн
108+132.01 грн
114+124.93 грн
200+119.34 грн
500+100.60 грн
1000+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP50R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.5 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.57 грн
10+117.05 грн
100+90.23 грн
500+67.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+127.31 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.26 грн
1000+100.76 грн
10000+86.63 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+70.43 грн
1000+69.73 грн
2000+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+96.05 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.39 грн
110+128.59 грн
130+109.53 грн
500+90.35 грн
1000+71.64 грн
2500+67.05 грн
5000+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+70.43 грн
1000+69.73 грн
2000+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.10 грн
50+114.94 грн
100+105.18 грн
500+65.81 грн
1000+60.32 грн
2000+57.33 грн
5000+56.75 грн
10000+56.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 18.5A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 24.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
50+81.43 грн
100+73.24 грн
500+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R199CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R199CPInfineon TechnologiesDescription: IPP50R199 - 500V COOLMOS N-CHANN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R199CPInfineon technologies
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R199CPHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R199CPHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R199CPHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R199CPXKInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R199CPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.25 грн
50+190.45 грн
100+163.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R199CPXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R199CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R199CPXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP50R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.48 грн
10+184.52 грн
100+142.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R250CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 13A TO220-3 CoolMOS CP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R250CPHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R250CPXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R250CPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
50+71.93 грн
100+67.64 грн
500+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R250CPXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 550V 13A TO220-3
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R250CPXKSA1
Код товару: 185293
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]