Продукція > NVM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS5C638NLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C638NLWFT1G | ON Semiconductor | на замовлення 1395 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVMFS5C638NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C638NLWFT1G | onsemi | MOSFETs 60V 3.0 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8 | на замовлення 505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C638NLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLAFT1G | onsemi | MOSFETs T6 60V SO8FL | на замовлення 4133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLAFT3G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLAFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V SO8FL | на замовлення 1028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLWFAFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C645NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3300 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLWFAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLWFAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLWFAFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C645NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3300 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLWFAFT1G | onsemi | MOSFETs T6 60V SO8FL | на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLWFAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLWFAFT3G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLWFAFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLWFT1G | onsemi | MOSFETs T6 60V SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NLWFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NT1G | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 92A, 4.6mohm | на замовлення 5533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 92A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C645NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 92A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLAFT1G | ON Semiconductor | на замовлення 4130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVMFS5C646NLAFT1G | onsemi | MOSFETs T6 60V S08FL | на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLAFT1G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V S08FL | на замовлення 324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLAFT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A 93A 5DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLAFT3G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V S08FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLET1G-YE | onsemi | MOSFETs T6 60V S08FL | на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH | на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLWFAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLWFAFT1G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V S08FL | на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLWFAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLWFAFT1G | onsemi | MOSFETs T6 60V S08FL | на замовлення 816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLWFAFT3G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V S08FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLWFET1G | onsemi | MOSFETs T6 60V S08FL | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLWFT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLWFT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C646NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 92A 4.7MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670N | onsemi | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLAFT1G | onsemi | MOSFETs TRENCH 6 60V NFET | на замовлення 1957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLAFT1G | ON Semiconductor | на замовлення 1245 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVMFS5C670NLAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLAFT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLAFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLAFT3G | onsemi | MOSFETs TRENCH 6 60V NFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLET1G-YE | onsemi | MOSFETs TRENCH 6 60V NFET | на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLT1G | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 60V 71A 6.1MOH | на замовлення 3169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 105 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLT3G | onsemi | MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 60V, 71A, 6.1mO Power MOSFET 60 V, 6.4 mohm, 67 A, Single N-Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFAFT1G | onsemi | MOSFETs TRENCH 6 60V NFET | на замовлення 3791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFAFT3G | onsemi | MOSFETs TRENCH 6 60V NFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFAFT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFAFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFAFT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 60V 71A 6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 71A 6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C670NT1G | onsemi | MOSFETs Power MOSFET 60 V, 7.0 mohm, 71 A | на замовлення 2392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C670NWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NWFT1G | onsemi | MOSFETs T6 60V SG | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C670NWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C673NL | onsemi | MOSFETs TRENCH 6 60V NFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C673NLAFT1G | ON Semiconductor | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVMFS5C673NLAFT1G Код товару: 205465
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVMFS5C673NLAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVMFS5C673NLAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVMFS5C673NLAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |

