Продукція > 1n5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N5811C.TR | Semtech Corporation | Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: Axial Current - Average Rectified (Io): 6A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 5V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: Axial Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811C.TR | Semtech | Rectifiers 150V 3A Ultrafast Rec Rectifier Diode | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811C.TR | Semtech Corporation | Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: Axial Current - Average Rectified (Io): 6A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 5V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: Axial Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811E3 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811E3 | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case B Bag | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811E3 | Microchip Technology | Rectifiers 160V 3A Lead-Free UFR,FRR | на замовлення 558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811E3 | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case B Bag | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811E3/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 125 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811E3/TR | Microchip Technology | Rectifiers 160V 3A Lead-Free UFR,FRR TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 125 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811JAN | MICROSEMI | E/ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N5811 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811JAN | Sensitron Semiconductors | Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case 304 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811JANTX | Sensitron Semiconductors | Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case 304 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811JANTXV | Sensitron Semiconductors | Diode Switching 150V 6A 2-Pin Case 304 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811TR | Microsemi Corporation | Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811U4 | Microchip Technology | Rectifiers UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811U4 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 6A U4 Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 925 mV @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: U4 Current - Average Rectified (Io): 6A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 525 µs Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811URS | Microchip Technology | Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811URS | Microchip Technology | Description: DIODE GP 150V 3A SQ-MELF B Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, SQ-MELF Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, B Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811URS/TR | Microchip Technology | Description: UFR,FRR Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, SQ-MELF Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, B Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811URS/TR | Microchip Technology | Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811URS/TR | Microchip Technology | Description: UFR,FRR Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, SQ-MELF Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, B Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811US | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin B-MELF Bag | на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811US | Sensitron Semiconductors | Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811US | EIC | Diode Switching 150V 6A 2-Pin SMB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811US | Microchip Technology | Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT | на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811US | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811US | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin B-MELF Bag | на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811US | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin B-MELF Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 102 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811US | Semtech | Superfast Recovery Diodes Surface Mount POWER DISCR 1N5811 кількість в упаковці: 100 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811US | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin B-MELF Bag | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811US | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF Bag | на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811US | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin B-MELF Bag | на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811US | Sensitron Semiconductors | Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B | на замовлення 6535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811US | Sensitron Semiconductors | Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B | на замовлення 6535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811US | MICROSEMI | E_SQ_MELF/ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N5811 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811US | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin B-MELF Bag | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811US/TR | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF T/R | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811US/TR | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 126 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811US/TR | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811US/TR | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811US/TR | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B T/R | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811US/TR | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B T/R | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811US/TR | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811US/TR | Microchip Technology | Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | на замовлення 213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811US/TR | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811USE3 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, SQ-MELF Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Package / Case: SQ-MELF, B Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 126 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811USE3 | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin B-MELF Bag | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811USE3 | Microchip Technology | Rectifiers 150V 3A Lead-Free UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811USE3 | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin B-MELF Bag | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5811USE3 | Microchip Technology | Diode Switching 150V 6A 2-Pin B-MELF Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 126 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811USE3/TR | Microchip Technology | Rectifiers 150V 3A Lead-Free UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 123 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811USE3/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 123 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811USJAN | Sensitron Semiconductors | Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5811USJANS | Sensitron Semiconductors | Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5812 | Microchip Technology | Diode Switching 50V 20A 2-Pin DO-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5812 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 50V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 15 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5812 | Microchip Technology | Diode Switching 50V 20A 2-Pin DO-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5812 Код товару: 118740
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 1N5812 | Microchip Technology | Rectifiers 50V 20A Stud-Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5812 | Sensitron Semiconductors | Ultrafast Recovery Rectifiers Qualified per MIL-PRF-19500/478 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5812R | Microchip Technology | Rectifiers 50V 20A Reverse Stud-Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5812R | Sensitron Semiconductors | 50 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. , 50 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5812R | Microchip Technology | Description: DIODE STD REV 50V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5813 | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 1N5813 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 75V 20A 35ns 2-Pin DO-4 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5813 | Solid State Inc. | Description: DIODE GEN PURP 75V 20A DO4 Packaging: Box Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 75 V | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5813 | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5813R | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 75V 20A DO203AA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Stud Mount Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5813R | Microchip Technology | Rectifiers Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5814 | Sensitron Semiconductors | Ultrafast Recovery Rectifiers Qualified per MIL-PRF-19500/478 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5814 | Microchip Technology | Rectifiers 100V 20A Stud Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5814 | Microchip Technology | Diode Switching 100V 20A 2-Pin DO-4 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5814 | Microchip Technology | Diode Switching 100V 20A 2-Pin DO-4 Tray | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5814 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5814 | Microchip Technology | Diode Switching 100V 20A 2-Pin DO-4 Tray | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5814R | Microchip Technology | Diode Switching 100V 20A 2-Pin DO-4 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5814R | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5814R | Microchip Technology | Rectifiers 100V 20A Reverse Stud Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5814R | Sensitron Semiconductors | 50 VOLT, AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. , 50 VOLT, AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5815 | Microchip Technology | Rectifiers 125V 20A Stud Mount UFR,FRR | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5815 | Microchip Technology | Diode Switching 125V 20A 2-Pin DO-4 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5815 | Solid State Inc. | Description: DIODE GEN PURP 125V 20A DO4 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 1N5815R | Microchip Technology | Description: RECTIFIER DIODE Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-4 (DO-203AA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5815R | Solid State Inc. | Description: DIODE GEN PURP 125V 20A DO4 Packaging: Box Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 125 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 125 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5815R | Microchip Technology | Rectifiers 125V 20A Reverse Stud Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5816 | Microchip Technology | Diode Switching 150V 20A 2-Pin DO-4 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5816 | Microchip Technology | Rectifiers 150V 20A Stud Mount UFR,FRR | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5816 | Sensitron Semiconductors | Ultrafast Recovery Rectifiers Qualified per MIL-PRF-19500/478 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5816 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5816E3 | Microchip Technology | Rectifiers 150V 20A Lead-Free Stud Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5816E3 | Microchip Technology | Diode Switching 150V 20A 2-Pin DO-203AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5816E3 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5816R Код товару: 190100
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 1N5816R | Microchip Technology | Rectifiers 150V 20A Reverse Stud Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5816R | Sensitron Semiconductors | 150 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. , 150 VOLT, 20 AMP, 35 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5816R | Microchip Technology | Description: DIODE STD REV 150V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5817 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - 1N5817 - Schottky-Gleichrichterdiode, 20 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 450 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 25A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 450mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 22698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 1N5817 | MIC | Schottky, 1A, 20V, Vf=0.45V@1A, DO-41 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |