Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP340 | Harris Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 178 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP340A | на замовлення 953 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRFP340PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP340PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 400V 11A N-CH MOSFET | на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP340PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP340PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP340PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 11 A, 0.55 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP340PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.9A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.9A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 61 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP340PBF Код товару: 152111
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP341 | HARRIS | IRFP341 | на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP341 | на замовлення 763 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRFP341 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP3415 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC IRFP3415 IRFP3415TR IRFP3415 TIRFP3415 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP3415PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP3415PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 200W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 133.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP3415PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP3415PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP3415PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP3415PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 385 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP3415PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 144.4nCAC | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP3415PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP3415PBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP3415PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP342(340) | International Rectifier | (MFET,N-CH,150W,400V,11A,TO-247AC) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP344 | на замовлення 2522 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRFP344 | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP344 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 450V 9.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP344PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 450V 9.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350 | STMicroelectronics | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350 | Siliconix | N-MOSFET 16A 400V 180W 0.3Ω IRFP350 TIRFP350 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 71 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP350 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350 | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, P=190W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт кількість в упаковці: 100 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350A | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 202W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350LC | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350LC | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350LCPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 400V 16A N-CH MOSFET | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP350LCPBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 64A; 190W; TO247AC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247AC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 76nC On-state resistance: 0.3Ω Drain current: 10A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 64A Drain-source voltage: 400V Power dissipation: 190W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350LCPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP350NPBF Код товару: 177245
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP350PBF Код товару: 75598
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP350PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247AC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 150nC On-state resistance: 0.3Ω Drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 400V Power dissipation: 190W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP350PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 16 A, 0.3 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP350PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 400V 16A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP350PBF/IR | IR | 08+; | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP351 | HARRIS | IRFP351 | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP351 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 130 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP352 | HARRIS | IRFP352 | на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP352 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 133 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP354 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 450V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP354PBF | Vishay / Siliconix | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP354PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 450V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP360 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP360 | Siliconix | N-MOSFET 20A 400V 250W 0.2Ω IRFP360 TIRFP360 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP360 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP360 | IXYS | MOSFETs 23 Amps 400V 0.2 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP360LC | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP360LC | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP360LCPBF | Vishay Siliconix | N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 23 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 200 мOм @ 14 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP360LCPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP360LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 23 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP360LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP360LCPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP360LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP360LCPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 400V 23A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP360N Код товару: 173534
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRFP360PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 9179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF Код товару: 17825
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Uds,V: 400 V Idd,A: 23 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 9175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF Код товару: 219023
Додати до обраних
Обраний товар
| VBSemi | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Uds,V: 400 V Idd,A: 23 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4500/210 Монтаж: THT | у наявності: 66 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 400V 23A N-CH MOSFET | на замовлення 539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF | Vishay Siliconix | N-канальний ПТ, Udss, В = 400, Id = 23 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 4500 @ 25, Qg, нКл = 210 @ 10 В, Rds = 200 мОм @ 14 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 9179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP360PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 23 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF Код товару: 106220
Додати до обраних
Обраний товар
| TI/BB | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Uds,V: 400 V Idd,A: 23 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 14A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 14A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC | на замовлення 558 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF (TO-247AC, SILI) Код товару: 123236
Додати до обраних
Обраний товар
| Siliconix | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Uds,V: 400 V Idd,A: 23 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4500/210 Монтаж: THT | у наявності: 19 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF (TO-247AC, Vishay) Код товару: 23064
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Uds,V: 400 V Idd,A: 23 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP360PBF : SiHFP360-E3 IRFP360PBF | Vishay Siliconix | TO-247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP362 | HARRIS | IRFP362 | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP362 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 58 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP3703 | International Rectifier | TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP3703 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP3703 | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP3703PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V | на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP3703PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC | на замовлення 2140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP3703PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP3703PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP3703PBF Код товару: 41216
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 30 V Idd,A: 210 A Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209 Монтаж: THT | у наявності: 5 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRFP3703PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP3703PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRFP3703PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

