Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC858BWT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BWT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BWT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BWT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BWT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BWT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BWT1G | ON | 07+; | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BW_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BW_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BW_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA SOT-323 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BW_R1_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BW_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BW_R2_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858B_D87Z | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858B_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858B_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858B_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858B_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858B_R1_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858B_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858B_R2_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 1083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC858C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C | CHIPNOBO | Transistor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC858CLT1G; BC858CLT3G; BC858CE6327HTSA1; BC858CE6433HTMA1; BC858C RFG; BC858C-7-F; BC858C-TP; BC858C_R1_00001; BC858C CHIPNOBO TBC858c CNB кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 47 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C Код товару: 3050
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon/Toshiba | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 150 MHz Uке, В: 30 V Uкб, В: 30 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 600 | у наявності: 1752 шт
|
| ||||||||||||||||||
| BC858C | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C | SHIKUES | Transistor PNP; 800; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC858CLT1G; BC858CLT3G; BC858CE6327HTSA1; BC858CE6433HTMA1; BC858C RFG; BC858C-7-F; BC858C-TP; BC858C_R1_00001 BC858C SHIKUES TBC858c SHK кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Transistor 200mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC858C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C | Diotec | Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2128 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Current gain: 520 Kind of package: reel; tape | на замовлення 4438 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C | MOT- | Transistor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC858CLT1G; BC858CLT3G; BC858CE6327HTSA1; BC858CE6433HTMA1; BC858C RFG; BC858C-7-F; BC858C-TP; BC858C SOT-23 MOT TBC858c MOT кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C | Rectron | Bipolar Transistors - BJT SOT23,PNP,0.1A,30V,420-800HFE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C 0.3MM | JUXING | Transistor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC858CLT1G; BC858CLT3G; BC858CE6327HTSA1; BC858CE6433HTMA1; BC858C RFG; BC858C-7-F; BC858C-TP; BC858C_R1_00001 BC858C JUXING TBC858c JUX кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C 3L | HT SEMI | Tranzystor PNP; 800; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC858C SOT23 HT SEMI TBC858c HTSEMI кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C RF | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT -30V, -0.1A, PNP Bipolar Transistor | на замовлення 8867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C RFG | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT -30V, -0.1A, PNP Bipolar Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 4829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Current gain: 420...800 Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: reel; tape | на замовлення 1169 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC858C-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR | на замовлення 4325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C-AQ | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C-AQ | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C-AQ | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP, AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C-AU-R1-000A1 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C-AU_R1_000A1 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA SOT-23 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C-AU_R1_000A1 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; SOT23; automotive industry Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C-HF | Comchip Technology | Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR PNP -30V -0.1A HALOGEN-FREE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C-HF | Comchip Technology | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C-R1-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT SOT23 30V PNP GP BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 420...800 Frequency: 200MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP | на замовлення 5900 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858C-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858C-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858CDW1T1 | ON | на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC858CDW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858CDW1T1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CDW1T1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 579000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CDW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC858CDW1T1 - BC858CDW1T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CDW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SC88/SC70 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CDW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 27910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858CDXV6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC858CDXV6T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 30 V, 100 mA, 500 mW, SOT-563, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 420 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 Wandlerpolarität: Zweifach pnp Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858CDXV6T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 27910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CDXV6T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CDXV6T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.357W; SOT563 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.357W Case: SOT563 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Current gain: 420...800 Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858CDXV6T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual PNP | на замовлення 3892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CDXV6T5 | onsemi | Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858CDXV6T5G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858CE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 43144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CE6327 | Infineon | Транзистори | на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC858CE6327HTSA1 - BC858 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 46480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 169480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858CE6327HTSA1 | ON Semiconductor | BC858CE6327HTSA1 | на замовлення 64950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

