Продукція > AUI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFR5410 | International Rectifier | D-Pak Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR5410 Код товару: 154309
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| AUIRFR5410 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 205mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR5410-IR | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR5410TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR5410TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR5410TRL | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| AUIRFR5410TRL Код товару: 198092
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| AUIRFR5410TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR5410TRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 205mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR5410TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR5410TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR5410TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR5410TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR5410TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR5410TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR5410TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR5410TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR5410TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR5410TRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 205mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR5505 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR5505 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR5505-IR | International Rectifier | Description: PFET, 18A I(D), 55V, 0.11OHM, 1O Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR5505TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR5505TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR5505TRL | International Rectifier | Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR6215 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR6215 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO -150V 1 P-CH HEXFET 580mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR6215 | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR6215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HexFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR6215 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR6215 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR6215TR | Infineon / IR | MOSFET AUTO -150V 1 P-CH HEXFET 580mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR6215TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR6215TRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO -150V 1 P-CH HEXFET 580mOhms | на замовлення 5463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR6215TRL | Infineon | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| AUIRFR6215TRL | Infineon Technologies | AUIRFR6215TRL Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Si - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR6215TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8401 | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AUIRFR8401TRL AUIRFR8401TR AUIRFR8401 International Rectifier TAUIRFR8401 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8401 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 4.3mOhms 100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8401 | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AUIRFR8401TRL AUIRFR8401TR AUIRFR8401 International Rectifier TAUIRFR8401 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8401 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8401 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8401TR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 4.3mOhms 100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8401TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8401TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8401TRL | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 4.3mOhms 100A | на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8401TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8401TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 3.1mOhms 100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 127A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3171 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 76A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 127A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3171 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403TR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 3.1mOhms 100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 127A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 76A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3171 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) | на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403TRL | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFR8403TRL - AUIRFR8403 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 127A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403TRL | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 3.1mOhms 100A | на замовлення 2715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR8403TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 99W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Produktreihe HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403TRL | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 40V 127A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3171 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 76A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 127A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR8403TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 99W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 99W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Produktreihe HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 127A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403TRLARMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-901|DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3171 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8403TRLARMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8405 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 13799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8405 | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.98mOhms 100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8405 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRFR8405 - AUIRFR8405 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8405TR | Infineon Technologies | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.98mOhms 100A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8405TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8405TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8405TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8405TRL | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.98mOhms 100A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR8405TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8405TRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5171 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR8405TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 211A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR9024N | Infineon Technologies | MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 175mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR9024N | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR9024N | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR9024NTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR9024NTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR9024NTRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR9024NTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFR9024NTRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFR9024NTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR9024NTRL | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -8A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFR9024NTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK-3 (TO-263) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004 | Infineon Technologies | MOSFET 40V 340A 1.75 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004-7P | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004-7P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004-7P-IR | International Rectifier | Description: PFET, 240A I(D), 40V, 0.00125OHM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 195A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004-7TRL | Infineon Technologies | MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 1.25mOhm 240A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004-7TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004-7TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 400A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004-7TRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFS3004-7TRL - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 40 V, 400 A, 900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 400 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 380 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 900 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004-7TRR | Infineon / IR | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.90mOhm 240A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004TRL | Infineon Technologies | MOSFET 40V 340A 1.75 mOhm Automotive MOSFET | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AUIRFS3004TRR | Infineon / IR | MOSFET 40V 340A 1.75 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |