Продукція > STB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB3D16-222M
на замовлення 100412 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3D16-6R8K
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB3N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NA60-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NA80ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NA80T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NB60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NB60T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NC60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NC60-T4
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NC60-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NC60T4ST
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NC90ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NC90ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NC90Z-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NK60ZT4STMMOSFET N-CH 600V 2.4A 45W, D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NK60ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB3NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.33 грн
36+22.84 грн
100+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NK60ZT4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.51 грн
100+40.80 грн
500+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB3NK60ZT4 (транзистор)
Код товару: 47828
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB4
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB40100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB403015EUROPADescription: EUROPA - STB403015 - Gehäuse, Wandgehäuse, Stahl, IP65, 400 x 300 x 150mm
tariffCode: 73102990
Außentiefe - metrisch: 150mm
Außentiefe - imperial: 5.91"
productTraceability: No
Außenbreite - metrisch: 300mm
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - metrisch: 400mm
Außenhöhe - imperial: 15.75"
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Außenbreite - Zoll: 11.81"
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5421.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB403020EUROPADescription: EUROPA - STB403020 - Gehäuse, Wandgehäuse, Stahl, IP65, 400 x 300 x 200mm
tariffCode: 73102990
rohsCompliant: YES
Gehäusefarbe: Grau
Außenhöhe - imperial: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IP-Schutzart: IP65
NEMA-Bewertung: NEMA 4
Außentiefe - metrisch: 200mm
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 400mm
Außentiefe - imperial: -
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: 300mm
Produktpalette: Europa STB
productTraceability: No
Gehäusetyp: Wandmontage
Außenbreite - Zoll: -
Gehäusematerial: Stahl
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7054.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB404020EUROPADescription: EUROPA - STB404020 - Gehäuse, Wandgehäuse, Stahl, IP65, 400 x 400 x 200mm
tariffCode: 73102990
Außentiefe - metrisch: 200mm
Außentiefe - imperial: -888"
productTraceability: No
Außenbreite - metrisch: 400mm
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - metrisch: 400mm
Außenhöhe - imperial: -888"
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Außenbreite - Zoll: -888"
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6836.02 грн
5+6553.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB4045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB4045CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4045CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4045CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB406012Hoffman Enclosures, Inc.Description: IP66 TERM BOX 400X600X120MM
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB4060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB4060CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 mA @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4080CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D2PAK
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.49 грн
10+92.39 грн
100+62.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4080CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D2PAK
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4080CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4080CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40BE03L-20T4ST
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40MBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; universal; strengthened construction,with thumbwheel
Type of clamping tool: clamp
Kind of clamping: universal
Version: strengthened construction; with thumbwheel
Grip capacity: max. 400mm
Depth: 175mm
Tools application: metalworks; welding
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB40N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40N20ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 250W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 867 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+410.94 грн
10+257.47 грн
50+226.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.56 грн
10+290.85 грн
100+181.84 грн
500+167.91 грн
1000+156.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+499.74 грн
50+377.16 грн
100+333.79 грн
200+262.77 грн
500+238.25 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+601.51 грн
10+423.49 грн
100+310.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.26 грн
10+272.78 грн
100+196.31 грн
500+169.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NE03ST
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NE03L-20STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NE03L-20T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NE03L-20TR
на замовлення 53200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF03LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10-TR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.03 грн
2000+115.75 грн
3000+115.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 40 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.10 грн
2000+115.82 грн
3000+115.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+98.06 грн
2000+94.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.23 грн
10+165.82 грн
100+116.24 грн
500+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Id = 40 А, Ptot, Вт = 150, Udss, В = 100, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2300 @ 25, Qg, нКл = 64 @ 4,5 В, Rds = 33 мОм @ 20 А, 10 В, Tексп, °C = -65...+175, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.42 грн
2000+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.60 грн
10+139.64 грн
100+97.04 грн
500+77.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+99.17 грн
2000+96.02 грн
3000+95.05 грн
10000+90.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4STMN-channel 100V - 0.028. - 40A - D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4
Код товару: 172505
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+214.95 грн
10+129.15 грн
100+93.09 грн
250+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10T4STMN-кан. MOSFET 100V, 50A, 0.024Ом, 150Вт (STripFET II) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10T4
Код товару: 113421
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.82 грн
10+196.62 грн
100+139.34 грн
500+121.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.21 грн
10+213.93 грн
100+137.95 грн
500+119.84 грн
1000+111.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+111.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+272.55 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NS15ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NS15T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NS15T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 150 Volt 40 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NS15T4STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB40NS15T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB41N40DM6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB41N40DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 41 A, 0.05 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.27 грн
10+401.55 грн
100+315.38 грн
500+252.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB41N40DM6AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 400 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+203.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB41N40DM6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB41N40DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 41 A, 0.05 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+401.55 грн
100+315.38 грн
500+252.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB41N40DM6AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.54 грн
10+481.54 грн
25+399.22 грн
100+346.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB41N40DM6AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 400 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.02 грн
10+339.80 грн
100+247.81 грн
500+223.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB42N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+310.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]