Продукція > TK1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK15405MTLSOT163-405
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15406MTB
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1540M
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15420
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15420D
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15420LTL/5450
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15420MTOKO
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15420M-TBBTOKO
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15420MTLTOKO
на замовлення 6941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15420MTL-GTOKO
на замовлення 6435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15421MTL-GTOKO1
на замовлення 877 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15430VTL
на замовлення 810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15430VTL-G
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15440M-1TOKO
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15445LTOKO2004 SOP
на замовлення 11916 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15446LTOKO09+
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15446L446TOKOSOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15446LTL-G
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15450LTOKOSSOP8
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15450LTLTOKO
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15450M-TBB
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15452V-XTOKOTSSOP1
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15452VTL
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15452VTL-G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15465STBTOKO2005
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15465STB-G
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15467STOKO2004 SOT23
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK1546S
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A60Z1,S4XToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A60Z1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A60Z1S4X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4XToshibaMOSFETs MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+380.71 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+333.00 грн
48+299.67 грн
52+272.16 грн
55+248.88 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 18A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 0.13Ω
Drain current: 18A
Power dissipation: 40W
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
200+180.37 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK155A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65Z,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155A65ZS4X(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK155E60Z1,S1XToshibaMOSFETs 600 V 0.155 Ohm N-ch MOSFET TO-220 DTMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK155E60Z1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 17A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155E60Z1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET 600 V 0.155 OHM TO-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.43 грн
50+181.96 грн
100+165.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK155E65Z,S1XToshibaMOSFETs 650V DTMOS VI TO-220 155mohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK155E65Z,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS VI TO-220 155MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.68 грн
50+177.61 грн
100+161.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK155E65Z,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK155E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK155E65Z,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+220.55 грн
67+212.15 грн
100+204.95 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155E65ZS1X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U60Z1,RQToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.42 грн
10+155.14 грн
100+108.10 грн
500+82.60 грн
1000+82.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.155 @10V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 18A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ(SToshibaTK155U65Z,RQ(S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+400.11 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK155U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.122 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ(SToshibaTK155U65Z,RQ(S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+372.39 грн
50+342.82 грн
100+306.78 грн
250+246.82 грн
500+220.29 грн
1000+201.97 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ(SToshibaTK155U65Z,RQ(S
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+380.06 грн
41+347.19 грн
44+325.10 грн
50+290.61 грн
100+243.26 грн
250+198.37 грн
500+190.40 грн
1000+181.22 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK155U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.122 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK155U65ZRQ(SToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1560/CLilliput Electronics (USA) Inc.Description: MONITOR 15.60" CAP 1920 X 1080
Packaging: Retail Package
Interface: AV, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1920 x 1080
Diagonal Screen Size: 15.60" (396.24mm)
Touchscreen: Capacitive
Part Status: Active
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25741.66 грн
5+23872.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK1560/T
Код товару: 211897
Додати до обраних Обраний товар
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1560/TLilliput Electronics (USA) Inc.Description: MONITOR 15.60" CAP 1920 X 1080
Packaging: Retail Package
Interface: AV, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1920 x 1080
Diagonal Screen Size: 15.60" (396.24mm)
Touchscreen: Capacitive
Part Status: Active
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28912.58 грн
5+27207.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK156SSTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 6m
Core section: 0.55mm2
Number of cores: 1
Cable length: 6m
Insulation colour: black
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Type of connection cable: Jack - Jack
Enclosure material: metal
Version: mono
Kind of core: OFC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2217.96 грн
5+1829.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK159SSTASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,Jack 6.3mm 2pin angled plug; 9m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 2pin plug; Jack 6.3mm 2pin angled plug
Version: mono
Cable length: 9m
Insulation colour: black
Kind of core: OFC
Core section: 0.55mm2
Number of cores: 1
Enclosure material: metal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A20D,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK15A20D,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15 A, 0.12 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A20D,S4X(SToshibaMOSFETs Silicon N-Channel MOS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A20D,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 15A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15A
Power dissipation: 35W
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
на замовлення 106900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
700+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A20D,S4X(S)ToshibaN-channel MOSFET Transistor, 15 A, 200 V, 3-Pin SC-67 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A20DS4X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET N-CH 500V, 15A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,Q,M)
Код товару: 191692
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+298.77 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 15A 500V 50W 2300pF 0.3
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A50D(STA4,X,S)ToshibaTK15A50D(STA4,X,S)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+513.24 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 15A 600V 50W 2600pF 0.37
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60U
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60U(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60U(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
500+112.29 грн
1000+103.56 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15A60U(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 34950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
500+112.29 грн
1000+103.56 грн
10000+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15D60U (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15E60UTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK15E60U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15E60UToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15E60U,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 15A 600V 170W 950pF 0.3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK15E60U,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15H50C
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK15H50C(Q)ToshibaTK15H50C(Q)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK15J50D
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]