Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 27 30 31  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS6975.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6975. - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.71 грн
500+42.49 грн
1000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975A
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975ANLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975NLFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975_NF073onsemi / Fairchild Dual P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975_NLFSC09+
на замовлення 33418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975_SBAM003ON SemiconductorDescription: IC AUDIO JACK DETECTION
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 1&2 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AFairchild04+ SOP-8
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982asONS/FAIMOSFET N-CH DUAL 30V SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982asonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.94 грн
13+63.24 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS
Код товару: 148198
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982asonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 1&2 30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982asFairchild/ON SemiconductorСдвоенные N -канальные ПТ, Id = 6,6 A, Ptot, Вт = 2, Udss, В = 20,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982asonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS-F095onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS-Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982ASNLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS_Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS_GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V, 16nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5mOhm @ 8.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V, 1250pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH 1&2 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982AS_TGonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982SFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982S
Код товару: 25427
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Idd, A: 8,6 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982S-NLFDS
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982S_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6982_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984FAIRCHIL00+ SOP
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984A-NL
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A/8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.67 грн
18+42.13 грн
25+41.99 грн
100+35.49 грн
250+32.72 грн
500+31.25 грн
1000+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6984AS - MOSFET, DUAL N CH, 30V, 8.5A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
660+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A/8.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984ASON Semiconductor / FairchildMOSFET SO-8 DUAL N-CH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984ASFAIRCHILDSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984SONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 115231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+107.55 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984SFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984S-NLFDS09+
на замовлення 27018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6984S_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 10446 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986FAIRCHIL00+ SOP
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.27 грн
500+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.42 грн
5000+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A/7.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.15 грн
5000+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual SyncFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASFAIRCHILD09+
на замовлення 40018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.68 грн
12+70.80 грн
100+55.27 грн
500+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A/7.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+61.97 грн
100+41.26 грн
500+30.37 грн
1000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986AS-NLFAIRSOP8
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986ASNLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986AS_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986AS_SN00192onsemiDescription: MOSFET 2 N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V, 8nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V, 550pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695pF @ 10V, 1233pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V, 16nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 133744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+40.40 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986SFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986S-NBBD00FAI09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986S-NL
на замовлення 157114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986SNLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6989FAICHILD00+
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990FDSSOP-8
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.31 грн
10+82.78 грн
25+75.09 грн
100+56.31 грн
250+49.08 грн
500+46.25 грн
1000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990AONS/FAIMOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A SOIC-8 УСТАРЕВШ. Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235pF @ 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990A
Код товару: 170942
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990AFairchild2N-MOSFET 7.5A 30V 2W 22mΩ FDS6990A TFDS6990a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990AFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990A-NLFAIRSOP8
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990ANL
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
892+39.65 грн
1000+37.44 грн
Мінімальне замовлення: 892 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990ASONS/FAISO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990ASonsemi / FairchildMOSFETs 30V DUAL N-CH. FET 18 MO SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990A_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990NLFAIRCHILD
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990RFSC530
на замовлення 12774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990SFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 6294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+72.42 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990S-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990_NLFAIRCHILD
на замовлення 54500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6992FDS07+/08+ SOP8
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6993ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6993 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6993Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V/12V 4.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+72.42 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6993FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6994FAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 27 30 31  Наступна Сторінка >> ]