Продукція > FDS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS6975. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6975. - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6975A | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS6975ANL | FAIRCHILD | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6975NL | FAIRCHILD | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6975_NF073 | onsemi / Fairchild | Dual P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6975_NL | FSC | 09+ | на замовлення 33418 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6975_SBAM003 | ON Semiconductor | Description: IC AUDIO JACK DETECTION | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 N-CH 1&2 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982-NL | Fairchild | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6982A | Fairchild | 04+ SOP-8 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6982as | ONS/FAI | MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982as | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982AS | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6982AS Код товару: 148198
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6982as | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 N-CH 1&2 30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982as | Fairchild/ON Semiconductor | Сдвоенные N -канальные ПТ, Id = 6,6 A, Ptot, Вт = 2, Udss, В = 20,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982as | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982AS | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982AS-F095 | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982AS-G | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982AS-NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 20018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982ASNL | FAIRCHILD | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6982AS_G | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982AS_G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SO Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V, 16nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5mOhm @ 8.6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 10V, 1250pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982AS_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH 1&2 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982AS_TG | onsemi / Fairchild | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982S | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982S | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6982S Код товару: 25427
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 8,6 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| FDS6982S-NL | FDS | на замовлення 89000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6982S_NL | FAIRCHILD | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6982_NL | FAIRCHILD | на замовлення 51800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6984 | FAIRCHIL | 00+ SOP | на замовлення 3688 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6984A-NL | на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS6984AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A/8.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6984AS | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6984AS - MOSFET, DUAL N CH, 30V, 8.5A, SOIC-8 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1169 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6984AS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 8.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6984AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A/8.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6984AS | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SO-8 DUAL N-CH | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6984AS | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6984S | ONS/FAI | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6984S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 8.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 115231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6984S | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6984S-NL | FDS | 09+ | на замовлення 27018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6984S_NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 10446 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6986 | FAIRCHIL | 00+ SOP | на замовлення 3688 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6986AS | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6986AS | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6986AS | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A/7.9A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 57500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6986AS | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V Dual SyncFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6986AS | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 40018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6986AS | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 7.9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6986AS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6986AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A/7.9A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6986AS | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 7274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6986AS-NL | FAIR | SOP8 | на замовлення 266 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6986ASNL | FAIRCHILD | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6986AS_NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 1548 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6986AS_SN00192 | onsemi | Description: MOSFET 2 N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SO Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V, 8nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V, 550pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6986S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695pF @ 10V, 1233pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V, 16nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 133744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6986S | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6986S-NBBD00 | FAI | 09+ | на замовлення 2518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6986S-NL | на замовлення 157114 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS6986SNL | FAIRCHILD | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6989 | FAICHILD | 00+ | на замовлення 1551 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990 | FDS | SOP-8 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990-NL | Fairchild | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6990A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6990A | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990A | ONS/FAI | MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A SOIC-8 УСТАРЕВШ. Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990A | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235pF @ 15V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990A Код товару: 170942
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6990A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990A | Fairchild | 2N-MOSFET 7.5A 30V 2W 22mΩ FDS6990A TFDS6990a кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6990A | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990A | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990A-NL | FAIR | SOP8 | на замовлення 63 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990ANL | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS6990AS | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6990AS | ONS/FAI | SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990AS | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990AS | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V DUAL N-CH. FET 18 MO SO8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990A_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990NL | FAIRCHILD | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6990R | FSC | 530 | на замовлення 12774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990S | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk | на замовлення 6294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6990S-NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6990_NL | FAIRCHILD | на замовлення 54500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS6992 | FDS | 07+/08+ SOP8 | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6993 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS6993 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6993 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET 2P-CH 30V/12V 4.3A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 6.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 10200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS6993 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS6994 | FAIRCHILD | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

