Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF3415SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 8949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+92.07 грн
500+82.87 грн
1000+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+96.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.94 грн
10+124.31 грн
25+120.63 грн
100+100.51 грн
250+92.14 грн
500+85.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineonMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.20 грн
10+191.44 грн
50+164.56 грн
100+127.09 грн
250+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+97.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.39 грн
10+136.39 грн
100+94.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+250.50 грн
84+169.78 грн
109+130.28 грн
500+103.75 грн
800+84.83 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.47 грн
10+159.80 грн
100+97.06 грн
500+81.70 грн
800+75.41 грн
2400+70.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+127.09 грн
250+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.94 грн
115+124.31 грн
118+120.63 грн
136+100.51 грн
250+92.14 грн
500+85.15 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF343International RectifierDescription: MOSFET N-CH 350V 8A TO3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF343Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CH 400V 14A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1821.71 грн
10+1666.49 грн
20+1578.74 грн
50+1399.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 400V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350Infineon / IRMOSFETs 400V Single N-Channel Hi-Rel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350
Код товару: 23682
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3
Uds,V: 400 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+41.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350-QRTT Electronics - IoT SolutionsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350-QRSemelab (TT electronics)IRF350-QR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3500EZKACRFMD04+
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF350RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF351Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+151.29 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515L-103
на замовлення 21200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515STRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3515STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF353HARRISIRF353
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+460.69 грн
100+438.24 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF353Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+325.82 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF353D2IR09+
на замовлення 968 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3546MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 4N-CH 25V 16A 41QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 41-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: 41-PQFN (6x8)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3546MTRPBFInfineon / IRMOSFET 60A Dual Intg Pwr Block
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3546MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 4N-CH 25V 16A 41QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 41-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: 41-PQFN (6x8)
Part Status: Obsolete
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+283.75 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3546MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 16A/20A 42-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+401.62 грн
100+381.54 грн
500+361.46 грн
1000+329.19 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3575DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 60A Exposed Top Intg Pwr Block
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3575DTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 303A 30-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.99 грн
500+191.36 грн
1000+180.73 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3575DTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3575DTRPBF - IRF3575D 20V-30V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+163.75 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3575DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 303A 32QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 303A (Tc)
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3575DTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3575DTRPBF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+201.99 грн
500+191.36 грн
1000+180.73 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF360International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF360International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 400V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF360IR/MOT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF360
Код товару: 26643
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF360Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF360IRF460IR
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF360PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610SInfineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 62A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+367.60 грн
500+355.32 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+267.43 грн
65+219.88 грн
70+202.81 грн
100+185.77 грн
500+166.52 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.54 грн
10+191.12 грн
100+120.10 грн
500+114.52 грн
800+99.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+171.28 грн
500+163.01 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 0.1µC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 103A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 94400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+171.28 грн
500+163.01 грн
1000+153.56 грн
10000+138.97 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 62A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF3610STRLPBF
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+171.28 грн
500+163.01 грн
1000+153.56 грн
10000+138.97 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF362International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+753.79 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF362International Rectifier HiRel ProductsIRF362
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+1066.67 грн
100+1013.51 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF362Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER100KVishay DaleDescription: FIXED IND 10UH 500MA 580 MOHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 580mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 7.96MHz
Frequency - Self Resonant: 45MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 500 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER100KVishay / DaleRF inductors - Leaded 10uH 10% Axial Leaded
на замовлення 12707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.90 грн
21+15.50 грн
25+12.43 грн
100+9.64 грн
250+9.15 грн
1000+7.05 грн
2500+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER101KVishayRF Choke Wirewound 100uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 275mA 1.8Ohm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER101KVishay DaleDescription: FIXED IND 100UH 275MA 1.8 OHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.8Ohm Max
Q @ Freq: 30 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 4.8MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Inductance: 100 µH
Current Rating (Amps): 275 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER102KVishay DaleDescription: FIXED IND 1MH 100MA 17.4 OHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 17.4Ohm Max
Q @ Freq: 50 @ 796kHz
Frequency - Self Resonant: 1.4MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Inductance: 1 mH
Current Rating (Amps): 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER1R0KVishay DaleDescription: FIXED IND 1UH 920MA 240 MOHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 240mOhm Max
Q @ Freq: 45 @ 25.2MHz
Frequency - Self Resonant: 140MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 920 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER1R8KVishay DaleDescription: FIXED IND 1.8UH 790MA 320 MOHM
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 320mOhm Max
Q @ Freq: 55 @ 7.96MHz
Frequency - Self Resonant: 121MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Inductance: 1.8 µH
Current Rating (Amps): 790 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER220KVishay DaleDescription: FIXED IND 22UH 410MA 840 MOHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 840mOhm Max
Q @ Freq: 40 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 9.9MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 410 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER221KVishay DaleDescription: FIXED IND 220UH 155MA 5.1 OHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.1Ohm Max
Q @ Freq: 70 @ 796kHz
Frequency - Self Resonant: 3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Inductance: 220 µH
Current Rating (Amps): 155 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER270JVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 940mOhm Max
Q @ Freq: 55 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 7.6MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Supplier Device Package: Axial
Inductance: 27 µH
Current Rating (Amps): 390 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER270JVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 940mOhm Max
Q @ Freq: 55 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 7.6MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Supplier Device Package: Axial
Inductance: 27 µH
Current Rating (Amps): 390 mA
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.71 грн
26+11.88 грн
28+11.01 грн
50+9.74 грн
100+9.19 грн
250+8.50 грн
500+7.88 грн
1000+7.43 грн
2500+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER270KVishay DaleDescription: FIXED IND 27UH 390MA 940 MOHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 940mOhm Max
Q @ Freq: 55 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 7.6MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Inductance: 27 µH
Current Rating (Amps): 390 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER271KVishay DaleDescription: FIXED IND 270UH 146MA 5.8 OHM TH
Tolerance: ±10%
Packaging: Bag
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 5.8Ohm Max
Q @ Freq: 65 @ 796kHz
Frequency - Self Resonant: 2.8MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Inductance: 270 µH
Current Rating (Amps): 146 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER2R2KVishay DaleDescription: FIXED IND 2.2UH 750MA 350 MOHM
Tolerance: ±10%
Packaging: Bag
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 350mOhm Max
Q @ Freq: 55 @ 7.96MHz
Frequency - Self Resonant: 110MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 750 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER330KVishay DaleDescription: FIXED IND 33UH 370MA 1.03 OHM TH
Packaging: Bag
Tolerance: ±10%
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.03Ohm Max
Q @ Freq: 55 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 6.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 370 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER331KVishay DaleDescription: IRF-36 330 10% ER E3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER3R3JVishayRF inductors - Leaded 3.3 UH 5%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER470KVishay DaleDescription: FIXED IND 47UH 340MA 1.22 OHM TH
Tolerance: ±10%
Packaging: Bag
Package / Case: Axial
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
DC Resistance (DCR): 1.22Ohm Max
Q @ Freq: 45 @ 2.52MHz
Frequency - Self Resonant: 6.3MHz
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Inductance: 47 µH
Current Rating (Amps): 340 mA
на замовлення 9845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.35 грн
30+10.36 грн
32+9.59 грн
50+8.48 грн
100+7.99 грн
250+7.40 грн
500+6.86 грн
1000+6.47 грн
2500+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER470KVishay / DaleRF inductors - Leaded 47uH 10%
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+14.01 грн
29+11.08 грн
34+8.45 грн
100+7.96 грн
250+6.98 грн
1000+6.56 грн
2500+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER471KVishay DaleDescription: FIXED IND 470UH 126MA 7.7 OHM TH
Current Rating (Amps): 126 mA
Inductance: 470 µH
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 2.25MHz
Q @ Freq: 60 @ 796kHz
DC Resistance (DCR): 7.7Ohm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER4R7KVishayRF inductors - Leaded 4.7 UH 10%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER4R7KVishay DaleDescription: FIXED IND 4.7UH 620MA 390MOHM TH
Current Rating (Amps): 620 mA
Inductance: 4.7 µH
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 80MHz
Q @ Freq: 70 @ 7.96MHz
DC Resistance (DCR): 390mOhm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.157" Dia x 0.394" L (4.00mm x 10.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF36ER561KVishay DaleDescription: IRF-36 560 10% ER E3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]