Продукція > uPA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UPA2794GR(0)-E1-AZRenesas Electronics AmericaDescription: TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2794GR-E1NECSOP8
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2800T1L-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8DFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2801T1L-E1NEC08+PB
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2802T1L-E2-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 20V 18A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+107.47 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2803T1L-E2-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+100.19 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2804T1L-E2-ATRenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+67.57 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2805UT1L-E2-AYNECMSOP8
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2806T1L-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2807T1L-E1-ATRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2810T1L-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8DFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2810T1L-E2-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET P-CH 30V 13A 8DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 170404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2811T1L-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2812T1L-E1-ATRenesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2812T1L-E1-ATRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HVSON (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2812T1L-E1-ATRenesasHVSON 8/PCH, SINGLE, -30V, ID(DC)-30A, @VGS=10V OR UPA2812T1
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2812T1L-E2-ATRenesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2812T1L-E2-ATRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET P-CH 30V 30A 8HWSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2813T1L-E1-ATRenesas ElectronicsMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2813T1L-E1-ATRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2813T1L-E2-ATRenesasMOSFET P-CH 30V 27A HWSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2813T1L-E2-ATRenesas ElectronicsMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2813T1L-E2-ATRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET P-CH 30V 27A 8HWSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2814T1S-E2-ATRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2814T1S-E2-ATRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 24A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.75 грн
10000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2814T1S-E2-ATRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 24A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.90 грн
10+88.10 грн
100+59.48 грн
500+44.32 грн
1000+40.61 грн
2000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2815T1S-E2-ATRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2815T1S-E2-ATRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2815T1S-E2-ATRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2816T1S-E2-ATRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2816T1S-E2-ATRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -30V -17A 15.5mohm SON-8 3.3x3.3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2816T1S-E2-ATRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2820T1S-E2-ATRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 8HVSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2820T1S-E2-ATRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2821T1L-E1-ATRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 26A 8HWSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2821T1L-E1-ATRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2822T1L-E1-ATRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2822T1L-E1-ATRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 34A 8HWSON
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2825T1S-E2-ATRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 30V 8HVSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2825T1S-E2-ATRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2826T1S-E2-ATRenesas Electronics CorporationDescription: 8P HWSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 13.5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2826T1S-E2-ATRenesas ElectronicsMOSFETs POWER TRANSISTOR MOS-IC
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.05 грн
10+119.08 грн
100+70.41 грн
500+56.54 грн
1000+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2826T1S-E2-ATRenesas Electronics CorporationDescription: 8P HWSON
Power Dissipation (Max): 20W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 13.5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 7189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
10+96.33 грн
100+71.58 грн
500+54.71 грн
1000+49.64 грн
2000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2830T1L-E2-AY#YWRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2981
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2981A
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2981CNECDIP/18
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2982CNEC08+ .
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2987G
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2987GSNECSOP16
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2987GS-E1-A/D
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2987GS-E2NEC0521+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA2987GS-T1NECSOP16
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA3071NNEC09+ TSSOP-20
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA30A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA3228CFHVEH08+ ZIP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA33A
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA33A5
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA34NEC
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA34ANEC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA3702GR
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA3753GR-E1-AT
Код товару: 139572
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA3753GR-E1-ATRenesas ElectronicsMOSFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UPA3753GR-E1-ATRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA3753GR-E1-AXRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.31 грн
10+104.85 грн
100+71.58 грн
500+53.79 грн
1000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA3753GR-E1-AXRenesas ElectronicsMOSFETs POWER TRANSISTOR MOSFET
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.99 грн
10+112.73 грн
100+67.10 грн
500+53.57 грн
1000+49.29 грн
2500+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA3753GR-E1-AXRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA37A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA37A(A)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA38ANEC2000
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA393F
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA39A
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA4000NEC08+ SIP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA44D
на замовлення 7435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA451C90
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA453CNECDIP14
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA46DNEC2003
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA47
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA49ANEC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA5000NEC08+ SIP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA500T
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA500T-T1
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA500T-T1-ARochester Electronics, LLCDescription: DUAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA500T-T2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA500T/BA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA501T
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA501T-T1NEC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA502T
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA502T(0)-T2
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA502T(0)-T2-ARenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 221382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1249+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 1249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UPA502T(0)-T2-ANECSOT23/5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA502T(0)-TL-ARENESASSOT25/SOT353
на замовлення 2516 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA502T-T1NEC09+
на замовлення 21908 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA502T-T1-A
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA502T-T1/DA
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA502T-T2NECSOT-153
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA502T-T2-ANECSOT25/SOT353
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA503-TNEC
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA503T
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UPA503T(0)-T2NEC
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]