Продукція > DTC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTC123JCA-HFComchip TechnologyDigital Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCA-HFComchip TechnologyDigital Transistors TRANS DIGITAL NPN 50V 200mW SOT-23
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.34 грн
22+14.85 грн
100+7.87 грн
500+5.66 грн
1000+4.90 грн
3000+3.04 грн
6000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN Digital Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCA-TPMicro Commercial CoDescription: NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCA-TPMicro Commercial CoDescription: NPNDIGITALTRANSISTORSSOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors SOT-23 BIPOLAR BJT NPN
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
26+12.46 грн
100+9.25 грн
500+5.80 грн
1000+5.11 грн
3000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 758 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC123JCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.78 грн
64+12.64 грн
100+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.64 грн
28+10.84 грн
100+6.75 грн
500+4.67 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+12.28 грн
1531+9.26 грн
2028+6.99 грн
2312+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 1155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1421+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 1421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC123JCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAT116ROHMDescription: ROHM - DTC123JCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.52 грн
59+13.85 грн
162+4.99 грн
500+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAT116ROHMDescription: ROHM - DTC123JCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.50 грн
100+5.89 грн
500+4.05 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1048+13.53 грн
1721+8.24 грн
2308+6.14 грн
2708+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 1048 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.05 грн
28+11.67 грн
100+6.21 грн
500+4.90 грн
1000+4.35 грн
3000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JCAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 80@10MA,5V 150MW 100MA 50V SOT-5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JELUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.15W; SOT523; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
150+2.88 грн
500+2.54 грн
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEonsemionsemi SMALL SIGNAL BIAS RESISTO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEROHM09+
на замовлення 23018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 80@10MA,5V 150MW 100MA 50V SOT-5
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
68+4.41 грн
111+2.71 грн
500+1.83 грн
1000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE RKTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 5223 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Resistors Included: R1 Only
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN 50Vcc 100mA 3.6mA 0.5uA 250MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-523
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
16+19.22 грн
100+9.71 грн
500+7.44 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.15 грн
24+13.42 грн
100+7.32 грн
500+5.38 грн
3000+3.73 грн
6000+3.31 грн
9000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC123JE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.13 грн
500+5.15 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4762+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 4762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC123JE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.02 грн
63+12.97 грн
100+8.13 грн
500+5.15 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4762+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 4762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
27+11.37 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3TLROHMDescription: ROHM - DTC123JE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.07 грн
73+11.03 грн
124+6.54 грн
500+4.48 грн
1000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 4468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.05 грн
27+12.07 грн
100+6.56 грн
500+4.90 грн
1000+4.28 грн
3000+4.21 грн
6000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JE3TLROHMDescription: ROHM - DTC123JE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.03 грн
124+6.54 грн
500+4.48 грн
1000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEB TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEBHZGROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEBHZGTLROHMDescription: ROHM - DTC123JEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-416FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.0468
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEBHZGTLROHMDescription: ROHM - DTC123JEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEBHZGTLROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEBMGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100MA 50V SC-89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.42 грн
100+5.83 грн
500+4.01 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1667 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEBTLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.59 грн
32+10.00 грн
100+5.45 грн
500+4.00 грн
1000+3.52 грн
3000+2.83 грн
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 962 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC123JEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC123JEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.19 грн
10000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
на замовлення 122092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123JET1 - DTC123JET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 23092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.19 грн
10000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123JET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+12.32 грн
96+8.46 грн
150+5.39 грн
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 28624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+11.76 грн
46+6.99 грн
100+3.73 грн
500+2.76 грн
1000+2.35 грн
3000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 18247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
46+6.51 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC123JET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; R2: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.06 грн
6000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JET1G 8M.ON-SemiconductorPrebias NPN 200mW 100mA 50V DTC123JET1G ONSemiconductor TDTC123jet
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1525+9.73 грн
3876+3.66 грн
3887+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 1525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.95 грн
76+5.48 грн
106+3.95 грн
500+3.26 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 17047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8153+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 8153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.16 грн
100+8.23 грн
500+5.71 грн
1000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLRohmЦифровой транзистор NPN, 2.2/2.2 кОм, SC-75-3, SOT-416 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA SOT-416
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.52 грн
23+14.05 грн
100+7.66 грн
500+5.66 грн
1000+5.04 грн
3000+4.14 грн
6000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 38161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2703+5.24 грн
2783+5.09 грн
5000+4.96 грн
10000+4.67 грн
25000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 2703 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKROHM
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKARectron USADescription: TRANS PRE-BIASED 200MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 46.2 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKARohmТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAROHM09+
на замовлення 156018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKA T146ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKA-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3L
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC123JKAFROHMSOT23
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]