НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4413
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY-T1-E3VishaySI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
на замовлення 2224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+104.21 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 15A 3.0W 7.5mohm @ 10V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY-T1-E3VishaySI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.98 грн
25+75.22 грн
50+71.81 грн
100+63.69 грн
250+60.53 грн
500+58.41 грн
1000+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY-T1-E3VishaySI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+200.70 грн
79+179.44 грн
80+171.10 грн
100+128.62 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY-T1-E3VishaySI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+75.98 грн
189+75.22 грн
191+74.47 грн
199+68.78 грн
250+63.05 грн
500+58.41 грн
1000+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.97 грн
10+119.35 грн
100+95.01 грн
500+75.44 грн
1000+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY-T1-E3VishaySI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 15A 3.0W 7.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADYE3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413BDY
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413CDY
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413CDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 15A 3.0W 7.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413DDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-Ch SO-8 30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413DDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413DYVISHAY09+
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413DY-T1VISHAY04+
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4414SISOP-8
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4414-5
на замовлення 183469 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4416SISOP-8
на замовлення 15780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4416DY
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4416DY-T1VISHAY0405+
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4416DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4416DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4416DYT1E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418DYVISHAY09+
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI441DDY
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI441O
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420
Код товару: 45261
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420SISOP-8
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420-D1-FTSilicon LabsTSSOP 16/TRANSCEIVER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK SI4420
кількість в упаковці: 96 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420-D1-FTSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2016 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420-D1-FTSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transceiver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2016 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420-D1-FTSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -109dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Current - Receiving: 11mA ~ 13mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 13mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Modulation: FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.98 грн
10+456.25 грн
96+399.63 грн
192+360.69 грн
288+352.69 грн
576+339.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420-D1-FTSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2016 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420-D1-FTRSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420-D1-FTRSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transceiver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420-D1-FTRSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+513.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420-D1-FTRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -109dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V
Power - Output: 8dBm
Current - Receiving: 11mA ~ 13mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 13mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Modulation: FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420-D1-FTRSilicon LabsTSSOP 16/I°/Transceiver (EZRadio) SI4420
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420-D1-FTRSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420-D1-FTRSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+400.14 грн
100+399.17 грн
250+383.86 грн
500+354.55 грн
1000+339.44 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDYSiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY TSI4420bdy
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4420BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 8500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.85 грн
10+108.85 грн
50+82.84 грн
100+69.85 грн
500+56.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 13.5A 0.0085Ohm
на замовлення 4031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3-PBF
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 13.5A 2.5W 8.5mohm @ 10V
на замовлення 7668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.13 грн
10+57.83 грн
100+56.51 грн
500+52.14 грн
1000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDYT1E3VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DYON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 400a N-Ch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DYonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DYInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 12.5A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DYFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DY,518NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V SOT96-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DY-T1VISHAY2003+
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DYPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DYT1E3VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DYTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DYTRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DYTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DYTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DYTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DYTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FTSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -110dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V
Power - Output: 7dbm
Current - Receiving: 11mA ~ 13mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 15mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Modulation: FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FTSilicon LabsTSSOP 16//Tranceivers - IA4421 SI4421
кількість в упаковці: 96 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FTSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transceiver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FTSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2016 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FT1Silicon LabsRF Transceiver TXRX SubG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FT1Silicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM 16TSSOP
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FT1RSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FT1RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FTRSilicon LaboratoriesSub-GHz Transceiver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FTRSilicon LabsRF Transceiver Sub-GHz transceiver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421-A0-FTRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sensitivity: -110dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V
Power - Output: 7dbm
Current - Receiving: 11mA ~ 13mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 15mA ~ 24mA
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Modulation: FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.