Продукція > TPC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TPC8405(TE12LQM)ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8406TOSHIBA
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8406-HTOSHIBA
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8406-H(TE12LQ,M)ToshibaMOSFET N-CH P-CH 40V 6.5A SOP-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8407,LQ(SToshibaTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 9A/7.4A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8407,LQ(SToshibaMOSFET N and P Ch 30V FET 9A 1.5W 1190pF
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8407,LQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 450mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8408,LQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8408,LQ(SToshibaTrans MOSFET N/P-CH Si 40V 6.1A/5.3A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8408,LQ(SToshibaMOSFETs N and P Ch 40V FET 6.1A 1.5W 850pF
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.85 грн
11+29.69 грн
100+19.95 грн
250+19.47 грн
500+15.95 грн
1000+14.22 грн
2500+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8408,LQ(SToshibaTrans MOSFET N/P-CH Si 40V 6.1A/5.3A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+34.25 грн
500+23.96 грн
1000+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8408,LQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8408,LQ(SToshibaTrans MOSFET N/P-CH Si 40V 6.1A/5.3A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8601
на замовлення 577 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8A01TOSHIBA07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8A01(TE12L,Q)TOSHIBA2007
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8A02TOSHIBA
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8A02-H
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8A02-H(TE12L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.5x6.0)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8A03TOSHIBA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8A03-H
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8A03-H(TE12LQM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8A04-H(TE12L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8A05-H
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8A05-H(TE12L,QMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP (5.5x6.0)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8A06-H(TE12LQM)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC9.1-E3/86AVishay SemiconductorsESD Suppressors / TVS Diodes 1.5KW 9.1V 10% Uni
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC9.1-E3/87AVishay SemiconductorsESD Suppressors / TVS Diodes 1.5KW 9.1V 10% Uni
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC9.1A-E3/86AVishay SemiconductorsESD Suppressors / TVS Diodes 1.5KW 9.1V 5% Unidir
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC9.1A-E3/87AVishay SemiconductorsESD Suppressors / TVS Diodes 1.5KW 9.1V 5% Unidir
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC9.1AHM3/86AVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC SMPC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC9.1AHM3/87AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC9.1AHM3_A/HVishay General SemiconductorESD Suppressors / TVS Diodes 1500W Uni-Dir TO-277 AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC9.1AHM3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC TO277A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC9.1AHM3_A/IVishay General SemiconductorESD Suppressors / TVS Diodes 1500W Uni-Dir TO-277 AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC9.1HM3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: TVS DIODE 7.37VWM 13.8VC TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC9.1HM3/87AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: TVS DIODE 7.37VWM 13.8VC TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC9118FTOSHIBASOP4
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA800NEC
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8003-HTOSHIBA2005
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8003-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8004-HTOSHIBA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8004-H(LE12LQM
на замовлення 35234 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8004-H(LE12LQM)TOSHIBASOP8 0736+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8004-H(TE12LQM)TOSHIBA2007
на замовлення 286000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8005-HTOSHIBA0613
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8005-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8006-H(TE12LQMToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 100V 18A Rdson=0.067Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8007-H(TE12L,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA
Part Status: Obsolete
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8008-H(TE12L,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 4A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8008-H(TE12L,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 4A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8008-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 250V 4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8009-H(TE12L,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 7A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8009-H(TE12L,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 7A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8010-HTOSHIBA2005
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8010-H(TE12L,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8010-H(TE12L,QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8010-H(TE12L.Q)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8010-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 200V 5.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8011-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 20V 40A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8011HTOSHIBA
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8012-HTOS09+
на замовлення 393 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8012-H(T2LL2Q,M)TOSHIBAQFN
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8012-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3713 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8012-H/200vTOSHIBA09+ QFN-8
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8014
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8014-H
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8015-A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8015-HTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8016
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8016-HToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8016-HTOSHIBAQFN
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8016-H
Код товару: 105152
Додати до обраних Обраний товар
toshibaМікросхеми > Джерел живлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8016-H(PB)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8016-H(TE12LQMTOS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8016-H-TE12LQ
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8016-HЈЁTE12LЈ©
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8016H(TE12LQMTOSHIBA
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8016HTE12LQTRTOSHIBA
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8018-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2846 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8019-HTOS09+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8019-HToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8019-H (TE12LQM)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8019-H(T2LLNQM)TOSHIBAQFN
на замовлення 5637 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8019-H(TE12LQMToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 30V 45A Rdson 0.0023 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8019-H(TE12LQM)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8020-H(TE12L,Q)TOSHIBASOP8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8020-H(TE12LQMToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 40V 7.5A Rdson=0.027Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8021-HTOSHIBA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8021-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8023-HTSOHIBA09+
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8023-H(TE12LQMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8023HN/A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8024(TE12L,Q,MToshibaMOSFET MOSFET N-CH 30V, 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8025ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8025(TE12L,Q,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8026
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8026(TE12L,Q,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 45A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.85 грн
10+110.98 грн
100+76.23 грн
500+57.59 грн
1000+53.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8026(TE12L,Q,MToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 45A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8026(TE12L,Q,MToshibaMOSFET MOSFET N-CH 30V, 45A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]