Продукція > mt5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:A | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 1G x 32 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 32Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:A TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 1G x 32 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 32Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:B | Micron Technology | Memory DRAM Chip | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:B | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 UT | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 1G x 32 Access Time: 3.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 32Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Box | на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:B TR | Micron Technology | Memory DRAM Chip | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:C | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 0.6V/1.1V 200-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:C | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 UT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 UT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:C TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT:C TR | Micron Technology | MT53E1G32D2FW-046 AUT:C TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:A | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:A | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V 200-Pin TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:A | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 IT:A - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 Bauform - Speicherbaustein: TFBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DRAM-Dichte: 32Gbit IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Taktfrequenz: 2.133GHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit Speicherkonfiguration DRAM: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:A | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:A TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V 200-Pin TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:A TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 IT | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Tray | на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 IT:B - DRAM, LPDDR4, 32GB, 1G x 32 Bit, 2.133GHz, TFBGA, 200 Pins tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA Tray | на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 32GbDRAM; 2.133GHz; -40÷95°C; 1.1÷1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...1.17V Operating temperature: -40...95°C Clock frequency: 2.133GHz Memory: 32Gb DRAM Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 32GbDRAM; 2.133GHz; -40÷95°C; 1.1÷1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...1.17V Operating temperature: -40...95°C Clock frequency: 2.133GHz Memory: 32Gb DRAM Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 0.6V/1.1V T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Memory Organization: 1G x 32 Memory Interface: Parallel Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory Size: 32Gbit Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:C | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 IT | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:C | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:C | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA | на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:C TR | Micron Technology | LPDDR4 DRAM Chip | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:C TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Memory Organization: 1G x 32 Memory Interface: Parallel Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory Size: 32Gbit Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 IT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 IT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT ES:A | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT ES:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT ES:B | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT ES:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2720 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT ES:C | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 WT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT ES:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 WT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:A | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:A | Micron Technology | LPDDR4 32G 1GX32 DRAM Chip | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:A | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 WT:A - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:A | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 1G x 32 Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 32Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:A TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 32GbDRAM; 2.133GHz; -25÷85°C; 1.1÷1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory Mounting: SMD Supply voltage: 1.1...1.17V Operating temperature: -25...85°C Clock frequency: 2.133GHz Memory: 32Gb DRAM Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 WT | на замовлення 1789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR | Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 32Gbit 1Gx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:C | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 WT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Memory Interface: Parallel Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory Size: 32Gbit Package / Case: 200-TFBGA Memory Organization: 1G x 32 Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:C | Micron Technology | LPDDR DRAM | на замовлення 7837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G32D2FW-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:C | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 32GbDRAM; 2.133GHz; -25÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Mounting: SMD Operating temperature: -25...85°C Clock frequency: 2.133GHz Memory: 32Gb DRAM Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:C | Micron Technology | LPDDR DRAM | на замовлення 7837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 WT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:C TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA Memory Organization: 1G x 32 Memory Interface: Parallel Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory Size: 32Gbit Package / Case: 200-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:C TR | Micron Technology | MT53E1G32D2FW-046 WT:C TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT:A | Microchip Technology | Microchip Technology LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT:A | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200WFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 1G x 32 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Voltage - Supply: 1.1V Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 32Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-WFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT:A TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200WFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 1G x 32 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Voltage - Supply: 1.1V Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 32Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-WFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT:A TR | Micron Technology | MT53E1G32D2NP-046 WT:A TR | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT:A TR | Micron Technology | MT53E1G32D2NP-046 WT:A TR | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 WFBGA 2 WT | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.1V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Part Status: Active Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT:B | Micron Technology | LPDDR DRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT:B TR | Micron Technology | MT53E1G32D2NP-046 WT:B TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.1V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Part Status: Active Memory Organization: 1G x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT:B TR | Micron Technology | MT53E1G32D2NP-046 WT:B TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-053 RS WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA Z42M | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-053 RS WT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-053 RS WT:C | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA Z42N | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-053 RS WT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D4NQ-046 WT:E | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA WT QDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D4NQ-046 WT:E TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA WT QDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D4NQ-053 RS WT:J | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D4NQ-053 RS WT:J TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D4NQ-053 RS WT:J TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D4NQ-053 WT:E | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA WT QDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G32D4NQ-053 WT:E TR | Micron | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA WT QDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AAT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C | Micron | DRAM LPDDR4 64Gbit 64 556/841 TFBGA 4 AT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 556Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 64 Bit | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |

