Продукція > si4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4412DY-T-3E | на замовлення 28546 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4412DY-T1 | SILICONIX | 95+ | на замовлення 1479 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4412DY-T1-E3 | VISHAY | SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4412DY-TI | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4412DYT1 | VISHAY | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4412DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4413 | на замовлення 1556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4413ADY | на замовлення 590 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4413ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) | на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4413ADY-T1-E3 | Vishay | SI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4413ADY-T1-E3 | Vishay | SI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com | на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4413ADY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 15A 3.0W 7.5mohm @ 10V | на замовлення 392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4413ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4413ADY-T1-E3 | Vishay | SI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4413ADY-T1-E3 | Vishay | SI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com | на замовлення 2224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4413ADY-T1-E3 | Vishay | SI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com | на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4413ADY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 15A 3.0W 7.5mohm @ 10V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4413ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4413ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4413ADYE3 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4413BDY | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4413CDY | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4413CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4413CDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 15A 3.0W 7.5mohm @ 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4413DDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-Ch SO-8 30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4413DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 8SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4413DY | VISHAY | 09+ | на замовлення 2318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4413DY-T1 | VISHAY | 04+ | на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4413DY-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4413DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4414 | SI | SOP-8 | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4414-5 | на замовлення 183469 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4416 | SI | SOP-8 | на замовлення 15780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4416DY | на замовлення 19800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4416DY-T1 | VISHAY | 0405+ | на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4416DY-T1-E3 | VISHAY | SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4416DYT1 | VISHAY | SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4416DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4418 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4418DY | VISHAY | 09+ | на замовлення 168 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4418DY-T1-E3 | VISHAY | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4418DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4418DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4418DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4418DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4418DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4418DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4418DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI441DDY | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI441O | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4420 | SI | SOP-8 | на замовлення 8700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420 Код товару: 45261
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4420-D1-FT | Silicon Labs | TSSOP 16/TRANSCEIVER -EZRadio - UNIVERSAL ISM BAND FSK SI4420 кількість в упаковці: 96 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420-D1-FT | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx Only Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -109dBm Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Part Status: Not For New Designs Serial Interfaces: SPI RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: FSK Supplier Device Package: 16-TSSOP Current - Transmitting: 13mA ~ 24mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Receiving: 11mA ~ 13mA | на замовлення 1041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4420-D1-FT | Silicon Laboratories | Sub-GHz Transceiver | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2016 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420-D1-FT | Silicon Laboratories | Sub-GHz Transceiver | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2016 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420-D1-FT | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz transceiver | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2016 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420-D1-FTR | Silicon Laboratories | Sub-GHz Transceiver | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420-D1-FTR | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz transceiver | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420-D1-FTR | Silicon Laboratories | Sub-GHz Transceiver | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4420-D1-FTR | Silicon Labs | TSSOP 16/I°/Transceiver (EZRadio) SI4420 кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420-D1-FTR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Sensitivity: -109dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.4V Power - Output: 8dBm Current - Receiving: 11mA ~ 13mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 13mA ~ 24mA Supplier Device Package: 16-TSSOP Modulation: FSK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420-D1-FTR | Silicon Laboratories | Sub-GHz Transceiver | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420-D1-FTR | Silicon Laboratories | Sub-GHz Transceiver | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4420BDY | Siliconix | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; SI4420BDY TSI4420bdy кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4420BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 13.5A 0.0085Ohm | на замовлення 7327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4420BDY-T1-E3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 2518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4420BDY-T1-E3-PBF | на замовлення 2625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4420BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V | на замовлення 1404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI4420BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 13.5A 2.5W 8.5mohm @ 10V | на замовлення 7668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420BDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420BDYT1E3 | VISHAY | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4420DY | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420DY | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V 400a N-Ch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420DY | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420DY | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420DY | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 12.5A 2.5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420DY,518 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V SOT96-1 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420DY-T1 | VISHAY | 2003+ | на замовлення 355 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420DY-T1-E3 | VISHAY | SO-8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420DYPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420DYT1E3 | VISHAY | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI4420DYTR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420DYTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420DYTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420DYTRPBF | IR | SOP8 07+08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420DYTRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC | на замовлення 2916 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420DYTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4420DYTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4421 | на замовлення 2357 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4421-A0-FT | Silicon Labs | RF Transceiver Sub-GHz transceiver | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 96 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4421-A0-FT | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16TSSOP Packaging: Tube Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Sensitivity: -110dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.8V Power - Output: 7dbm Current - Receiving: 11mA ~ 13mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 15mA ~ 24mA Supplier Device Package: 16-TSSOP Modulation: FSK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4421-A0-FT | Silicon Laboratories | Sub-GHz Transceiver | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2016 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4421-A0-FT | Silicon Labs | TSSOP 16//Tranceivers - IA4421 SI4421 кількість в упаковці: 96 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4421-A0-FT1 | Silicon Labs | RF Transceiver TXRX SubG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI4421-A0-FT1 | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM 16TSSOP Packaging: Tube Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

