Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFR48Z
Код товару: 99948
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR48ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.00886 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 42
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 91
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00886
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 91W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+94.77 грн
500+85.28 грн
1000+78.65 грн
10000+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 40nC
на замовлення 4230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR48ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.00886 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 42
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 91
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00886
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+94.77 грн
500+85.28 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.62 грн
10+72.15 грн
100+49.55 грн
500+38.00 грн
1000+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+57.34 грн
1000+52.88 грн
10000+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 62A 11mOhm 40nC Qg
на замовлення 7445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+137.36 грн
154+92.10 грн
200+78.37 грн
500+60.78 грн
1000+53.34 грн
5000+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.11 грн
4000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.96 грн
4000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR48ZTRRIR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5035IR
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305JSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305InfineonTransistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305SLKORTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305International RectifierTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 43252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.83 грн
25+243.67 грн
100+154.29 грн
500+127.92 грн
1000+103.32 грн
2500+79.83 грн
5000+76.61 грн
10000+74.19 грн
25000+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305IR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305/PBF
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305CPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBFInternational RectifierP-ch. DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBF
Код товару: 2560
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 610 шт
  • 459 шт - склад
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 65 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+44.00 грн
10+39.60 грн
100+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 2 Од. вим: ш
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+24.99 грн
150+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305PBFIRFR5305PBF Транзисторы
на замовлення 109 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305THXY MOSFETTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRInfineonTransistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRInfineonTransistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 22713 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRInfineonTransistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRInfineonTransistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRInfineonTransistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR
Код товару: 185048
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 130 шт
  • 130 шт - склад
1+40.00 грн
10+35.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRInfineonTransistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TR IRFR5305TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302; IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRL
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.16 грн
100+82.17 грн
500+65.04 грн
1000+57.40 грн
3000+46.90 грн
6000+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.90 грн
10+118.59 грн
100+79.76 грн
500+60.87 грн
1000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.99 грн
6000+47.58 грн
9000+45.84 грн
15000+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 30946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.99 грн
6000+47.58 грн
9000+45.84 грн
15000+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.59 грн
177+79.76 грн
500+63.13 грн
1000+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 16718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.91 грн
10+76.89 грн
100+51.52 грн
500+38.14 грн
1000+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.14 грн
172+82.15 грн
500+65.03 грн
1000+57.39 грн
3000+46.89 грн
6000+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.94 грн
6000+48.46 грн
9000+46.68 грн
15000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -55V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.56 грн
10+69.12 грн
20+61.84 грн
100+48.53 грн
200+43.93 грн
500+38.99 грн
1000+36.40 грн
3000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.95 грн
6000+30.45 грн
9000+29.32 грн
15000+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+28.67 грн
4000+25.52 грн
6000+24.45 грн
10000+21.82 грн
14000+21.16 грн
20000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.02 грн
4000+39.82 грн
6000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.02 грн
4000+39.82 грн
6000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR5305TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 46486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -55V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.43 грн
10+62.26 грн
25+52.55 грн
100+41.42 грн
200+37.15 грн
500+32.63 грн
1000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineonP-ch. DPAK TO-252 Транзистори
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
13+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF
Код товару: 4177
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 25 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+31.00 грн
10+27.80 грн
100+24.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.08 грн
100+67.38 грн
500+52.90 грн
1000+46.52 грн
2000+39.57 грн
4000+35.17 грн
6000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 47366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.80 грн
10+63.64 грн
100+42.25 грн
500+31.02 грн
1000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.22 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
на замовлення 34552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.06 грн
210+67.37 грн
500+52.89 грн
1000+46.51 грн
2000+39.57 грн
4000+35.16 грн
6000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR530SIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 28,5mOhm; 35A; 91W; -55°C ~ 175°C; IRFR540Z TIRFR540z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+53.85 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBF
Код товару: 54258
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 35 А, Ptot, Вт = 91, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1690 @ 25, Qg, нКл = 59 @ 10 В, Rds = 28,5 мОм @ 21 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкA,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+77.64 грн
150+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 35A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.50 грн
6000+36.15 грн
9000+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]