Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFR420TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 500V 2.4 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420UHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+50.50 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420UHARRISIRFR420U
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.53 грн
1000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR421Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+44.38 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR422Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430AIRFR430A Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.25 грн
75+85.53 грн
150+77.26 грн
525+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.23 грн
118+120.27 грн
150+108.64 грн
300+92.78 грн
525+82.23 грн
1050+72.79 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+59.11 грн
150+56.04 грн
525+55.48 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.18 грн
22+35.29 грн
23+33.78 грн
100+32.11 грн
500+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+35.29 грн
418+33.78 грн
424+33.30 грн
500+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBF
Код товару: 163510
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+59.20 грн
252+56.12 грн
525+55.55 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 5 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 1,7 Ом @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 327 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+16.71 грн
150+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR430APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFR430ATRPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRLPBFVISHAY
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR430ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+44.25 грн
333+42.47 грн
500+40.93 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFR430ATRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFIR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.25 грн
10+119.46 грн
100+81.92 грн
500+61.83 грн
1000+57.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430ATRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430BFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430BTFFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 49950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430BTFONSEMIDescription: ONSEMI - IRFR430BTF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 49950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430BTFFAIRCHILD
на замовлення 29500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430BTMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFR430BTM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 258610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430BTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 207739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR430TRFAIRCHIL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510PBFIRFR4510PBF Транзисторы
на замовлення 103 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 56 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3031 @ 50, Qg, нКл = 81 @ 10 В, Rds = 13,9 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 100 мкА, Р, Вт = 143, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.59 грн
10+121.81 грн
100+96.34 грн
500+85.08 грн
1000+63.11 грн
4000+59.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+178.59 грн
116+121.81 грн
147+96.34 грн
500+85.08 грн
1000+63.11 грн
4000+59.98 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineonMOSFET N CH 100V 56A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 56A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4510TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4510TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0139 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615PBFInternational RectifierDPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615PBF
Код товару: 115461
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 пФ @ 50 В, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 21 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 144 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+67.81 грн
150+58.13 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 26nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+103.09 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInternational RectifierDPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.47 грн
10+106.28 грн
50+80.65 грн
100+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.52 грн
100+91.26 грн
500+72.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1750 @ 50, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 42 мОм @ 21 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 144, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+84.96 грн
168+84.27 грн
206+68.57 грн
250+65.72 грн
500+52.77 грн
1000+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineonMOSFET N-CH 150V 33A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBF
Код товару: 189386
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+134.42 грн
156+90.52 грн
500+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.84 грн
10+84.96 грн
25+84.27 грн
100+66.12 грн
250+60.85 грн
500+50.66 грн
1000+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620PBFInfineonDPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620PBF
Код товару: 37550
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 24 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1710/25
Монтаж: SMD
у наявності: 28 шт
  • 4 шт - склад
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+110.00 грн
10+99.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620PBFInternational RectifierDPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLInfineonTranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 24A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4620; IRFR4620; IRFR4620TRL; IRFR4620-GURT; SP001552208; IRFR4620TRL TIRFR4620
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLInfineonTranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 24A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4620; IRFR4620; IRFR4620TRL; IRFR4620-GURT; SP001552208; IRFR4620TRL TIRFR4620
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLInfineonTranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 24A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4620; IRFR4620; IRFR4620TRL; IRFR4620-GURT; SP001552208; IRFR4620TRL TIRFR4620
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 17310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.30 грн
10+116.72 грн
50+88.86 грн
100+74.97 грн
500+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.37 грн
9000+69.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
на замовлення 7630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.27 грн
100+115.08 грн
500+92.07 грн
1000+81.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.33 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBFInternational RectifierIRFR4620TRLPBF IRFR4620TRPBF DPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.67 грн
9000+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.41 грн
9000+70.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]