Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.96 грн
10+115.36 грн
100+78.41 грн
500+58.73 грн
1000+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInternational RectifierD-PAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
на замовлення 3741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.82 грн
10+106.00 грн
100+63.05 грн
500+50.07 грн
1000+46.02 грн
3000+44.41 грн
6000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+98.46 грн
500+88.60 грн
1000+81.72 грн
10000+70.26 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFR5410TRRPBF
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+98.46 грн
500+88.60 грн
1000+81.72 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.14 грн
6000+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505ir09+
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505UMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 157mOhm; 9A; 3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505TR UMW TIRFR5505 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505CPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505CTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505GTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.36 грн
35+21.65 грн
50+20.54 грн
100+18.71 грн
250+17.66 грн
500+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505PBF
Код товару: 49825
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-252
Uds,V: 55 V
Id,A: 18 A
Rds(on),Om: 0,18 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/32
Монтаж: SMD
у наявності: 384 шт
  • 372 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+22.50 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505PBFIRFR5505PBF Транзисторы
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9,6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRInternational RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505 TIRFR5505
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 530 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRHXY MOSFETTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505TR HXY MOSFET TIRFR5505 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRInfineonTransistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505 TIRFR5505
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5505; IRFR5505TRL; IRFR5505TR; IRFR5505GTR; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228; IRFR5505TR JGSEMI TIRFR5505 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
608+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 608 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -18A 110mOhm 21.3nC
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.47 грн
10+65.93 грн
100+44.62 грн
500+37.85 грн
1000+31.77 грн
3000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRLPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR5505TRLPBF - IRFR5505 - POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 62583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.90 грн
10+76.33 грн
100+50.77 грн
500+37.35 грн
1000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFTYSMOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
на замовлення 166 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
19+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.95 грн
6+70.94 грн
10+61.02 грн
25+49.09 грн
50+41.77 грн
100+36.14 грн
500+27.99 грн
1000+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.39 грн
4000+38.22 грн
6000+37.85 грн
10000+35.75 грн
14000+32.14 грн
20000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 500 Од.
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 470 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.64 грн
10+76.69 грн
100+44.27 грн
500+35.05 грн
1000+31.14 грн
2000+28.49 грн
4000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.58 грн
4000+30.80 грн
6000+29.53 грн
10000+26.37 грн
14000+25.57 грн
20000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineonMOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
14+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 49962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.06 грн
50+57.51 грн
100+46.11 грн
500+34.27 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.67 грн
203+70.14 грн
247+57.62 грн
500+45.54 грн
1000+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.08 грн
4000+37.92 грн
6000+37.55 грн
10000+35.48 грн
14000+31.89 грн
20000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.87 грн
16+48.24 грн
100+43.34 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215
Код товару: 170820
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 150 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 860/66
Монтаж: SMD
у наявності: 138 шт
  • 99 шт - склад
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+34.00 грн
10+30.60 грн
100+27.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215CPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR6215PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 13
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 13 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 25, Qg, нКл = 66 @ 10 В, Rds = 295 мОм @ 6,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+77.64 грн
150+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 150V 13A DPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+76.07 грн
189+75.31 грн
242+58.72 грн
320+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.97 грн
10+87.75 грн
100+59.22 грн
500+44.11 грн
1000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.06 грн
500+48.94 грн
1500+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF
Код товару: 187580
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -150V 13A 580mOhm 44nC
на замовлення 3563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.79 грн
10+85.12 грн
100+51.11 грн
500+40.57 грн
1000+37.22 грн
3000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.68 грн
50+85.54 грн
100+59.06 грн
500+48.94 грн
1500+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.31 грн
10+76.07 грн
25+75.31 грн
100+56.63 грн
250+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBFARMA1International Rectifier HiRel ProductsIRFR6215TRLPBFARMA1
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+84.25 грн
500+75.83 грн
1000+69.93 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 150V 13A DPAK=TO-252AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.23 грн
10+85.92 грн
100+50.00 грн
500+39.66 грн
1000+36.87 грн
2000+34.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.10 грн
10+70.77 грн
25+62.45 грн
50+56.82 грн
100+51.78 грн
250+45.72 грн
500+41.61 грн
1000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 31345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.83 грн
10+85.86 грн
100+57.89 грн
500+43.08 грн
1000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.01 грн
500+48.64 грн
1000+41.83 грн
5000+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.37 грн
4000+47.37 грн
6000+44.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.31 грн
4000+36.09 грн
6000+34.70 грн
10000+31.10 грн
14000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
на замовлення 9445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.16 грн
10+98.57 грн
100+66.07 грн
500+48.72 грн
1000+41.76 грн
5000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFR6215TRRPBF - IRFR6215 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRFR6215TRRPBF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+84.25 грн
500+75.83 грн
1000+69.93 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRRPBFInfineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRRPBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.23 грн
10+120.45 грн
100+81.70 грн
500+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRRPBF-IRInternational RectifierDescription: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440PBFInternational RectifierMOSFET N CH 40V 90A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440PBFInfineon / IRMOSFET 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, D-Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRUMWDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,8mOhm; 180A; 140W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR7440; IRFR7440TR; SP001555130; SP001573310; IRFR7440TR UMW TIRFR7440 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRInfineonTrans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IRFR7440TR IRFR7440-GURT IRFR7440 INFINEON TIRFR7440
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+83.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7440TRUMWDescription: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]