Продукція > FDC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDC655BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.48 грн
6000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+11.77 грн
84+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.58 грн
13+34.22 грн
50+23.65 грн
100+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNonsemiMOSFETs SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.92 грн
10+34.13 грн
100+19.02 грн
500+14.49 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNONS/FAIMOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.06 грн
35+21.70 грн
36+21.22 грн
100+17.72 грн
250+16.02 грн
500+13.42 грн
1000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1360+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 1360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN-F40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1849+19.13 грн
10000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 1849 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN-F40onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN_GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOT-23
на замовлення 19178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1530+23.11 грн
10000+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655BN_NBNN007onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655NON SemiconductorFDC655N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 1521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1010+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 1010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC655N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1781+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 1781 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655NON SemiconductorFDC655N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 1521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC655NON SemiconductorFDC655N
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+23.25 грн
10000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 1521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561/5G1GFAI
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.51 грн
6000+13.75 грн
9000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.96 грн
9000+20.36 грн
24000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 N-CH 30V
на замовлення 6074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.15 грн
10+36.86 грн
100+21.95 грн
500+17.77 грн
1000+16.02 грн
3000+12.61 грн
9000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 102093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.41 грн
50+40.32 грн
100+24.22 грн
500+17.28 грн
1500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.96 грн
9000+20.36 грн
24000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+38.27 грн
100+24.89 грн
500+17.97 грн
1000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN
Код товару: 174745
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6561AN - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.082ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 102093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.22 грн
500+17.28 грн
1500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN-NB5S007AonsemiDescription: FET 30V 95.0 MOHM SSOT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 22283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN/561FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN\651FAIRCHILSOT-163
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN_NLFAIRCHIL
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.044 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 49502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.55 грн
500+17.96 грн
1500+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APFairchildP-MOSFET 4A 30V 0.8W 0.05Ω FDC658AP TFDC658AP
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.1nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.41 грн
10+44.62 грн
11+38.66 грн
50+27.34 грн
100+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP
Код товару: 123114
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+7.70 грн
100+6.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V
на замовлення 35939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+38.04 грн
100+24.68 грн
500+17.76 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APonsemi / FairchildMOSFETs -30VSgl P-Chl LogLv PwrTrch MOSFET
на замовлення 28254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.19 грн
10+37.02 грн
100+21.39 грн
500+16.44 грн
1000+14.77 грн
3000+12.40 грн
6000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.05 грн
50+43.57 грн
100+29.02 грн
500+20.68 грн
1500+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.65 грн
6000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 15 V
на замовлення 35939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.28 грн
6000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+33.19 грн
1000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.27 грн
27+28.99 грн
45+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658AP-GFairchild SemiconductorDescription: FDC658AP - MOSFET 30V 50.0 MOHM
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658APGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 P-CH -30V
на замовлення 6043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.31 грн
10+42.55 грн
100+27.66 грн
500+22.36 грн
1000+20.07 грн
3000+18.46 грн
6000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.11 грн
15+52.11 грн
25+50.87 грн
100+36.53 грн
250+32.72 грн
500+27.88 грн
1000+24.95 грн
3000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.72 грн
6000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 14425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.54 грн
500+29.89 грн
1500+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+52.11 грн
279+50.87 грн
374+37.89 грн
386+35.34 грн
500+29.04 грн
1000+24.95 грн
3000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC658P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.05 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 14425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.54 грн
50+62.91 грн
100+41.54 грн
500+29.89 грн
1500+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1206+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 1206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V
на замовлення 13047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.83 грн
100+34.77 грн
500+25.36 грн
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.24 грн
15+53.24 грн
25+52.71 грн
50+48.69 грн
100+34.38 грн
250+32.38 грн
500+28.51 грн
1000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P-NNFAZ0530NO
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P_NB4E011ON SemiconductorDescription: IC AUDIO JACK DETECTION SUPERSOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC658P_NLONS/FAIP-Channel MOSFET (SuperSOT-6) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6901LFairchild SemiconductorDescription: IC LOAD SWITCH INT SSOT-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6901L-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC697PFAIRCHILD0746+ VSOP-6/1210-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC697PFairchild SemiconductorDescription: 8A, 20V, 0.02OHM, P-CHANNEL MOSF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3524 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
на замовлення 69811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+77.17 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC697Ponsemi / FairchildMOSFET PCh 1.8V PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC697P-NLFAIRCHILD
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC697P/.697FAIR
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC697P_F077onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3524 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC697P_F077onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3524 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC699PON SemiconductorFDC699P
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+76.29 грн
515+68.67 грн
1000+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC699Ponsemi / FairchildMOSFET P-Channel 2.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC699PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 10 V
на замовлення 4762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC699PON SemiconductorFDC699P
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+76.29 грн
515+68.67 грн
1000+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC699PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC699P - MOSFET, P, SMD, FLMP, SSOT-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
на замовлення 4762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
25+73.97 грн
100+61.13 грн
250+51.63 грн
1000+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC699P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC699P_F077onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC7250066C-81001BCorning FDC Stbd Hdwr Rack Mount FDC-C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC72C65LJPSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+766.25 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC72C65PSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+527.09 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC765SMCPLCC44
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC765ASMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+588.56 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC765ALJPSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+332.02 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC765ALJTMCBSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC765APSMSCDescription: FLOPPY DISK CONTROLLER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+332.02 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC796NFAIRCHILD09+
на замовлення 7893 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC796NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1444 pF @ 15 V
на замовлення 984385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+56.39 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC796Nonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC796NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1444 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC796N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC796N/.796FAIR
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC796N_F077onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1444 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC796N_Qonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22  [ Наступна Сторінка >> ]