Продукція > FDC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDC6420CONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70/125mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.54 грн
13+33.13 грн
25+29.35 грн
50+26.92 грн
100+24.66 грн
500+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.09 грн
3000+24.67 грн
6000+23.16 грн
9000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420CON-SemiconductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960mW; -55°C Podobny do: FDC6420C-VB; FDC6420C SSOT-6 TFDC6420c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C-NLFAIRCHILD
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C/420FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6420C/ROHSFAIRCHILD09+
на замовлення 13426 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1755+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 1755 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.93 грн
40+19.32 грн
43+17.62 грн
100+16.44 грн
250+14.71 грн
500+13.63 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
на замовлення 16990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.46 грн
6000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 11410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1714+20.64 грн
10000+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 1714 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
803+17.62 грн
830+17.05 грн
859+16.47 грн
890+15.34 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 1.2W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.2W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.75 грн
15+52.13 грн
50+38.23 грн
100+32.52 грн
500+23.03 грн
1137+20.97 грн
3000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 10 V
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.78 грн
50+26.25 грн
100+21.73 грн
500+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.52 грн
6000+14.47 грн
9000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.45 грн
6000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.18 грн
6000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1714+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 1714 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.18 грн
6000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH -20V
на замовлення 16578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0525 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.2
Bauform - Transistor: SuperSOT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0525
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085onsemi / FairchildMOSFETs P-CHANNEL 2.5V PowerTrench MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0525 ohm, SuperSOT
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1421+24.89 грн
10000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 1421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PonsemiMOSFETs P-ChannelPowerMosfet
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1421+24.89 грн
10000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 1421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085P - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1421+24.89 грн
10000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 1421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1421+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 1421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PBKONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PBKonsemiDescription: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, -2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PBKonsemiMOSFETs PMOS SSOT6 20V 65 MOHM
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PBKONSEMIDescription: ONSEMI - FDC642P-F085PBK - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.065 ohm, SSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: POWERTRENCH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-F085PBKonsemiDescription: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, -2
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+41.06 грн
50+30.22 грн
100+25.08 грн
500+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P/642FAIR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P\642FAIRCHILSOT-163
на замовлення 25900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC642P_SB4N006onsemiDescription: MOSFET N-CH SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6432SHONSEMIDescription: ONSEMI - FDC6432SH - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 822 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6432SHFAIRCHILDFDC6432SH
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.65 грн
1000+50.40 грн
10000+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6432SHFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 45128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+47.21 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6432SHFAIRCHILDFDC6432SH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.65 грн
1000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6432SH-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.77 грн
8+57.87 грн
10+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 17376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+78.83 грн
250+56.67 грн
500+56.10 грн
1000+37.28 грн
3000+34.43 грн
6000+26.43 грн
12000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.10 грн
20+38.56 грн
32+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH
на замовлення 8952 шт:
термін постачання 371-380 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC645N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 154287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+30.89 грн
10000+27.54 грн
100000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 1145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 29088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+14.85 грн
100+14.51 грн
500+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.46 грн
100+29.14 грн
500+21.17 грн
1000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC645N_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6506PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6506PONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6506Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6506P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6506P/506FAIR
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6506P_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-6 P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.06 грн
6000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NonsemiMOSFETs SSOT-6 N-CH 30V
на замовлення 43550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.71 грн
6000+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NONS/FAIN-CH 30V 5A SSOT-6 Транзистори
на замовлення 35 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
16+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.78 грн
21+36.58 грн
25+36.22 грн
100+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.83 грн
50+39.20 грн
100+32.65 грн
500+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.20 грн
6000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.03 грн
6000+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+38.03 грн
1009+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.90 грн
8+58.03 грн
10+49.06 грн
50+33.63 грн
100+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+38.03 грн
1009+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+41.16 грн
500+36.96 грн
1000+34.51 грн
3000+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NONSEMIDescription: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.71 грн
6000+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.