Продукція > MT5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT53E1G64D4HJ-046 AIT:A | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AIT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C | Micron | DRAM LPDDR4 64Gbit 64 556/841 TFBGA 4 IT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 556Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 64 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AIT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AUT:A | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AUT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AUT:C | Micron | DRAM LPDDR4 64Gbit 64 556/841 TFBGA 4 UT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 AUT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 WT ES:C | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2720 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 WT ES:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 WT:A | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 WT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 WT:C | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 64GBIT PAR 556WFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 WT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G64D4HJ-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 556Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1G x 64 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 WT:C | Micron | DRAM LPDDR4 64Gbit 64 556/841 TFBGA 4 WT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 WT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4HJ-046 WT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4NW-046 WT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G64D4NW-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 432 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 64Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 432Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1G x 64 Bit | на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G64D4NW-046 WT:C | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP Z42N | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1190 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4NW-046 WT:C TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G X64 VFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SP-046 WT:C | MICRON | Description: MICRON - MT53E1G64D4SP-046 WT:C - DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64 Bit, 2.133 GHz, FBGA tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 64Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1G x 64 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E1G64D4SP-046 WT:C | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP Z42N | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SP-046 WT:C TR | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 Z42M 16Gb LPDDR4 64Gbit 64 556/841 VFBGA 4 WT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AAT ES:A | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AAT ES:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 4GX16 FBGA QDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AAT:A | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ WFBGA Packaging: Tray Memory Size: 64Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.1V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Part Status: Obsolete Memory Organization: 1G x 64 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AAT:A | Micron | DRAM LPDDR4 256G 16GX16 FBGA QDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AAT:A TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ WFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Memory Size: 64Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.1V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Part Status: Obsolete Memory Organization: 1G x 64 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AAT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 256G 16GX16 FBGA QDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AIT:A | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ WFBGA Packaging: Tray Memory Size: 64Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.1V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Part Status: Obsolete Memory Organization: 1G x 64 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AIT:A | Micron | DRAM LPDDR4 64G 4GX16 FBGA QDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AIT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 4GX16 FBGA QDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 AIT:A TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ WFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Memory Size: 64Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.1V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Part Status: Obsolete Memory Organization: 1G x 64 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 WT ES:A | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 WT ES:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA QDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 WT:A | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 Z32M 16Gb | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 WT:A | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ WFBGA Packaging: Tray Memory Size: 64Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.1V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Part Status: Obsolete Memory Organization: 1G x 64 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 WT:A | Microchip Technology | Microchip Technology LPDDR4 64G 4GX16 FBGA QDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 WT:A TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 4GX16 FBGA QDP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D4SQ-046 WT:A TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ WFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Memory Size: 64Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.1V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Part Status: Obsolete Memory Organization: 1G x 64 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D8NW-046 WT:E | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA WT 8DP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1190 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D8NW-046 WT:E TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA WT 8DP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D8NW-046 WT:F | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1190 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D8NW-053 WT:E | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA WT 8DP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E1G64D8NW-053 WT:E TR | Micron | DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA WT 8DP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1DS-046 AAT:B | Micron | DRAM LPDDR4 4Gbit 16 200/264 WFBGA 1 AT | на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1DS-046 AAT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.1V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Memory Organization: 256M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E256M16D1DS-046 AAT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 4G 256MX16 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1DS-046 AIT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 4G 256MX16 FBGA | на замовлення 1586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1DS-046 WT:B | Micron Technology | Mobile LPDDR4 DRAM Chip | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1DS-046 WT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM LPDDR4 WFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256M x 16 Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Voltage - Supply: 1.1V Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-WFBGA Packaging: Tray | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1DS-046 WT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M16D1DS-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -30°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E256M16D1DS-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 4Gbit 16 200/264 WFBGA 1 WT | на замовлення 1316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1DS-046 WT:B TR | Micron | DRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1FW-046 AIT:B | Micron | DRAM LPDDR4 4Gbit 16 200/264 TFBGA 1 IT | на замовлення 867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1FW-046 AIT:B | Micron Technology | LPDDR4 4G 256MX16 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1FW-046 AIT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ FBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1FW-046 AIT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M16D1FW-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E256M16D1FW-046 AIT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 4G 256MX16 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1FW-046 AIT:B TR | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM LPDDR4 4G FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1FW-046 AUT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 4G 256MX16 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1FW-046 WT:B | Micron | DRAM LPDDR4 4G 256MX16 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1FW-046 WT:B | Micron Technology | LPDRAM Memory | на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E256M16D1FW-046 WT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M16D1FW-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 4Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E256M16D1FW-046 WT:B | Micron Technology | LPDRAM Memory | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M16D1FW-046 WT:B TR | Micron | DRAM LPDDR4 4G 256MX16 FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 AAT:L | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 8GBIT PAR 200VFBGA Memory Size: 8Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 200-VFBGA Packaging: Tray Qualification: AEC-Q100 Memory Organization: 256M x 32 Memory Interface: Parallel Grade: Automotive Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 2.133 GHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Memory Type: Volatile | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 AAT:L | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 AAT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 AAT:L | Micron | DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 VFBGA 1 AT | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 AAT:L | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 2.133GHz; -40÷105°C; 1.1÷1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM Memory: 8Gb DRAM Clock frequency: 2.133GHz Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Supply voltage: 1.1...1.17V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 AAT:L TR | Micron | DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 AIT:L | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 2.133GHz; -40÷95°C; 1.1÷1.95V Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM Memory: 8Gb DRAM Clock frequency: 2.133GHz Mounting: SMD Operating temperature: -40...95°C Supply voltage: 1.1...1.95V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 AIT:L | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 AIT:L - DRAM, AEC-Q100, LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 8Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit | на замовлення 1086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 AIT:L | Micron | DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 VFBGA 1 IT | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 AUT:L | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 AUT:L - DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 8Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit | на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 AUT:L | Micron | DRAM Z41M Automotive-grade 8 Gbit (gigabit) Mobile LPDDR4 SDRAM with a density of 8 Gbit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 AUT:L TR | Micron | DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 IT:L | Micron | DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 VFBGA 1 IT | на замовлення 1817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 IT:L | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 8GBIT PAR 200VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5) Memory Interface: Parallel Memory Organization: 256M x 32 | на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 IT:L | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 IT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 IT:L | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 2.133GHz; -40÷95°C; 1.1÷1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM Memory: 8Gb DRAM Clock frequency: 2.133GHz Mounting: SMD Operating temperature: -40...95°C Supply voltage: 1.1...1.17V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 IT:L TR | Micron | DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 TFBGA | на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 WT:L | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 8GBIT PAR 200VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5) Memory Interface: Parallel Memory Organization: 256M x 32 | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 WT:L | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D1KS-046 WT:L - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 8Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 WT:L | MICRON TECHNOLOGY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 2.133GHz; -25÷85°C; 1.1÷1.17V Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DRAM; LPDDR4; SDRAM Memory: 8Gb DRAM Clock frequency: 2.133GHz Mounting: SMD Operating temperature: -25...85°C Supply voltage: 1.1...1.17V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 WT:L | Micron | DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 VFBGA 1 WT | на замовлення 3764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1ZW-046 AAT:L | Micron | DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1ZW-046 AAT:L TR | Micron | DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1ZW-046 AUT:L | Micron | Micron LPDDR4 8Gbit 32 200/264 TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D1ZW-046 AUT:L TR | Micron | Micron LPDDR4 8Gbit 32 200/264 TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 AAT ES:B | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 AAT ES:B TR | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 AAT:B | Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 AAT:B | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 AAT:B | MICRON | на замовлення 1230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AAT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 AIT:B | MICRON | Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 2508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MT53E256M32D2DS-046 AIT:B | Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AIT | на замовлення 363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

